- А. с. 1245161 СССР, МПК H01L 23/263. Способ обработки гетероэпитаксиальных пленок / А.Л.Асеев, С.М.Пинтус, О.П.Пчеляков, С.И.Стенин, А.И.Торопов; заявитель Институт физики полупроводников СО АН СССР. N 3833591/24-25; заявл. 15.03.1986, опубл. 23.06.1990, Бюл. N 23. С.263.
- Реферат [jpg 98 Kb]
- А. с. 1102416 СССР, МПК H01L 21/26. Способ изготовления планарных полупроводниковых приборов и интегральных схем / А.Л.Асеев, Н.Н.Герасименко, В.В.Калинин, Л.И.Федина; заявитель Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет им. Ленинского комсомола. N 3519765/18; заявл. 08.12.1982; опубл. 07.08.1989, Бюл. N 29. С.288.
- Титульный лист [jpg 1,23 Mb]
- А. с. 1635827 СССР, МПК H01L 21/322. Способ формирования внутреннего геттера в пластинах кремния / В.Ф.Трищункин, Л.И.Федина, Е.Б.Горохов, А.Л.Асеев, В.Л.Денисов, А.Н.Бельц, Л.П.Чулинина, Б.Г.Тепман. N 4487102/25; заявл. 28.09.1988; опубл. 23.09.1992, Бюл. N 35. С.234.
- Титульный лист [jpg 1,31 Mb]
- А. с. 1772702 СССР, МПК G01N 23/225. Электронный микроскоп для исследования процессов молекулярно-лучевой эпитаксии / А.В.Латышев, А.Б.Красильников, В.А.Вырыпаев, А.Л.Асеев; заявитель Институт физики полупроводников СО АН СССР. N 4786413/21; заявл. 26.01.1990; опубл. 30.10.1992, Бюл. N 40. C.163.
- Титульный лист [jpg 1,41 Mb]
- А. с. 786705 СССР, МПК H01L 21/26. Способ изготовления полупроводниковых сверхрешеток / И.И.Ли, А.Л.Асеев; заявитель Институт физики полупроводников СО АН СССР. N 2748846/25; заявл. 06.04.1979; опубл. 27.05.1995, Бюл. N 15. С.265.
- Реферат [jpg 61 Kb]
- Пат. 2268952 Российская Федерация, МПК C25D 11/02; B82B 3/00. Способ создания окисных пленок / Д.В.Щеглов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев; патентообладатель Институт физики полупроводников СО РАН. N 2004123698/02; заявл. 02.08.2004; опубл. 27.01.2006, Бюл. N 3. С.1125.
- Титульный лист [jpg 129 Kb]
- Пат. 2287865 Российская Федерация, МПК G11C 14/00. Элемент памяти для флэш электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства / В.А.Гриценко, К.А.Насыров, Д.В.Гриценко, А.Л.Асеев, В.Г.Лифшиц; патентообладатель Институт физики полупроводников СО РАН. N 2005122671/09; заявл. 18.07.2005; опубл. 20.11.2006, Бюл. N 32. С.586.
- Титульный лист [jpg 143 Kb]
- Пат. 2287865 Российская Федерация, МПК G11C 14/00. Элемент памяти для флэш электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства / В.А.Гриценко, К.А.Насыров, Д.В.Гриценко, А.Л.Асеев, В.Г.Лифшиц; патентообладатель Институт физики полупроводников СО РАН. N 2005122671/09; заявл. 18.07.2005; опубл. 20.11.2006, Бюл. N 32. С.586.
- Титульный лист [jpg 143 Kb]
- Пат. 2310949 Российская Федерация, МПК H01L 31/101. Фотодиодный приемник инфракрасного излучения / В.В.Васильев, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, А.О.Сусляков, Ю.Г.Сидоров, А.Л.Асеев; патентообладатель Институт физики полупроводников СО РАН. N 2006128300/28; заявл. 03.08.2006; опубл. 20.11.2007, Бюл. N 32. С.848.
- Титульный лист [jpg 161 Kb]
- Пат. 2336593 Российская Федерация, МПК H01L 21/2. Способ создания пленок германия / Е.Б.Горохов, В.А.Володин, К.Н.Астанкова, Д.В.Щеглов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев; патентообладатель Институт физики полупроводников СО РАН. N 2007113527/28; заявл. 11.04.2007; опубл. 20.10.2008, Бюл. N 29. С.733.
- Титульный лист [jpg 142 Kb]
- Пат. 2774307 Российская Федерация, МПК G01N 27/414, B82Y 15/00. Биосенсор для индикации биопатогенов / А.Л.Асеев, В.М.Генералов, В.Б.Локтев, Е.В.Протопопова, А.С.Сафатов, А.А.Черемискина, М.В.Кручинина; патентообладатель Государственный научный центр вирусологии и биотехнологии «Вектор». N 2021134257; аявл. 23.11.2021; опубл. 17.06.2022, Бюл. N 17.
- Полный текст
- Пат. Российская Федерация, МПК G01J 5/20. Болометрический приемник излучения терагерцового диапазона / А.А.Павлов, А.А.Дудин, Д.В.Щеглов, М.А.Демьяненко, О.И.Семенова, С.В.Родякин, Д.А.Насимов, С.В.Ситников, Д.И.Рогило, Л.И.Федина, А.Л.Асеев, А.В.Латышев; патентообладатель Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (ИНМЭ РАН) (RU). N 2022114580; аявл. 30.05.2022; опубл. 28.03.2023, Бюл. N 10.
- Полный текст
|
