Библиография трудов академика РАН А.Л.Асеева за 1969-1997 гг.
 Навигация
 
 

Асеев А.Л.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды



 Научные школы ННЦ
 

БИБЛИОГРАФИЯ ТРУДОВ 1969-1997 1998-2007 2008-2012 с 2013 года ИЗОБРЕТЕНИЯ
 
1969 | 1972 | 1973 | 1974 | 1975 | 1976 | 1977 | 1978 | 1979 | 1980 | 1981 | 1982 | 1983 | 1984
1985 | 1986 | 1987 | 1988 | 1989 | 1990 | 1991 | 1992 | 1993 | 1994 | 1995 | 1996 | 1997

  1. Асеев А.Л. Дислокационная структура пластически изогнутого германия / А.Л.Асеев, С.И.Стенин // Материалы Всесоюзного совещания по дефектам структуры в полупроводниках (29 сентября - 4 октября 1969 г.). - Москва, 1969. - С.248-252.

  2. Исследование дислокаций в деформированном изгибом германии с применением несимметричных съемок по Борману / А.Л.Асеев, Ю.Д.Ваулин, С.И.Стенин, Ф.Л.Эдельман // Украинский физический журнал. - 1969. - Т.14, N 8. - С.1264-1269.

  3. Система дислокаций в изогнутом германии / А.Л.Асеев, Ю.Д.Ваулин, С.И.Стенин, Ф.Л.Эдельман // Физика твердого тела. - 1969. - Т.11, N 3. - С.758-759.

  4. Связь электрофизических свойств и структуры размерно-квантовых пленок InSb / В.Н.Молин, О.И.Васин, П.А.Скрипкина, А.Л.Асеев, В.И.Петросян, С.И.Стенин, Б.А.Тавгер // Физика и техника полупроводников. - 1972. - Т.6, N 8. - С.1447-1451.

  5. Formation and motion of dislocations in the crystallization process of selenium from the amorphous phase / A.L.Aseev, O.I.Vasin, S.I.Stenin // Physica Status Solidi (A). - 1972. - Vol.10, N 1. - P.297-306.

  6. Relationship between electrical properties and the structure of size-quantized InSb films / V.N.Molin, O.I.Vasin, P.A.Skripkina, A.L.Aseev, V.I.Petrosyan, S.I.Stenin, B.A.Tavger // Soviet Physics. Semiconductors. - 1972. - Vol.6, N 8. - P.1259-1262.

  7. Асеев А.Л. Микромеханизмы пластической деформации кремния и германия при температурах от 0,5 до 0,95 Тпл / А.Л.Асеев, Ю.Н.Голобоков, С.И.Стенин // Дефекты структуры в полупроводниках: материалы всесоюзного совещания по дефектам в полупроводниках, 2-4 октября 1973 г. / ответственный редактор С.И.Стенин. - Новосибирск, 1973. - С.131-133.

  8. Гетеропереходы Ge-GaAs, полученные конденсацией в высоком вакууме / В.Н.Шумский, А.Л.Асеев, О.И.Васин, Ю.Н.Голобоков, Е.А.Криворотов, С.И.Стенин // Физика и техника полупроводников. - 1973. - Т.7, N 5. - С.1026.

  9. Структура гетероперехода Ge-GaAs / А.Л.Асеев, Ю.Н.Погорелов, С.И.Стенин, В.Н.Шумский // Материалы IX Всесоюзной конференции по электронной микроскопии (Тбилиси, 29 октября - 2 ноября 1973 г.). - Москва, 1973. - С.229.

  10. Структура гетероперехода германий-арсенид галлия / А.Л.Асеев, Ю.Н.Погорелов, С.И.Стенин, В.Н.Шумский // Дефекты структуры в полупроводниках: материалы всесоюзного совещания по дефектам в полупроводниках, 2-4 октября 1973 г. / ответственный редактор С.И.Стенин. - Новосибирск, 1973. - С.86-87.

  11. Тонкие монокристаллические пленки германия на сапфире, полученные ионным распылением / Р.Н.Ловягин, А.Л.Асеев, Р.Ш.Ибрагимов, С.И.Стенин // Микроэлектроника. - 1973. - Т.2, N 2. - С.184-186.

  12. Особенности структуры гетеропереходов Ge-GaAs, полученных различными методами / А.Л.Асеев, Ю.Н.Погорелов, С.И.Стенин, В.Н.Шумский // Известия Академии наук СССР. Серия физическая. - 1974. - Т.38, N 7. - С.1523-1527.

  13. Асеев А.Л. Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоев кремния и германия на различных подложках: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук / А.Л.Асеев; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск, 1975. - 11 с.

  14. Гетероэпитаксия германия на арсениде галлия при вакуумной конденсации / А.Л.Асеев, О.И.Васин, Ю.Н.Голобоков, Е.А.Криворотов, С.И.Стенин, В.Н.Шумский // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. - Новосибирск, 1975. - Ч.2. - С.371-375.

  15. Стенин С.И. Применение электронной микроскопии и рентгеновской топографии к исследованию структуры полупроводниковых материалов / С.И.Стенин, А.Л.Асеев // Известия Сибирского отделения Академии наук СССР. Серия химических наук. - 1975. - N 1. - С.136-160.

  16. Aseev A.L. Dislocation processes during plastic deformation of Si and Ge in the range 0.50 to 0.95 of the melting temperature / A.L.Aseev, Yu.N.Golobokov, S.I.Stenin // Physica Status Solidi (A). - 1975. - Vol.28, N 1. - P.355-364.

  17. Formation of dislocation structure in silicon layers on non-orienting substrates / S.Meyer, A.L.Aseev, A.G.Klimenko, E.A.Klimenko, S.I.Stenin // Crystal Research and Technology. - 1975. - Vol.10, N 3. - P.247-257.

  18. Investigation of germanium films and GeSi interface structure by transmission electron microscopy / A.L.Aseev, O.I.Vasin, S.I.Stenin, N.N.Soldatenko, Yu.A.Tkhorik // Thin Solid Films. - 1975. - Vol.30, N 1. - P.73-82.

  19. Радиационные высокотемпературные эффекты в германии при облучении в высоковольтном электронном микроскопе / О.П.Пчеляков, А.Л.Асеев, Л.С.Смирнов, С.И.Стенин // Физика и техника полупроводников. - 1976. - Т.10, N 8. - С.472-479.

  20. High-temperature radiation effects in germanium irradiated in a high-voltage electron microscope / O.P.Pchelyakov, A.L.Aseev, L.S.Smirnov, S.I.Stenin // Soviet Physics. Semiconductors. - 1976. - Vol.10, N 8. - P.874-877.

  21. Influence of the method of preparation on the structure and properties of Ge-GaAs heterojunctions / A.L.Aseev , Yu.N.Pogorelov, S.I.Stenin, V.N.Shumsky // Thin Solid Films. - 1976. - Vol.32, N 2. - P.351-354.

  22. Асеев А.Л. Дислокационные механизмы пластической релаксации гетероэпитаксиальных и термических напряжений в монокристаллических слоях кремния и германия / А.Л.Асеев, С.И.Стенин // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. - Новосибирск, 1977. - Ч.2. - С.212-218.

  23. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники: [коллективная монография] / ответственный редактор Л.Н.Александров, В.И.Петросян; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1977. - 248 с.
      Из содерж.:
    • Дефекты в монокристаллических слоях полупроводников / С.И.Стенин, А.Л.Асеев. - С.84-106.

  24. High-temperature radiation effects in germanium under high-voltage electron microscope observation / A.L.Aseev, O.P.Pchelyakov, L.S.Smirnov, S.I.Stenin // Radiation effects in semiconductors 1976: invited and contributed papers from the international conference on radiation effects in semiconductors, Dubrovnik, Yugoslavia, 6-9 September 1976. - London: Institute of Physics, 1977. - P.300-303. - (Institute of Physics Conference Series; vol.31)

  25. Стенин С.И. Электронная микроскопия дефектов в полупроводниках / С.И.Стенин, А.Л.Асеев, О.П.Пчеляков // Lattice defects in crystals: V International Summer School on Defects, Krynica, Poland, 8-18 May 1976 / Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, Polish Physical Society. - Warszawa; Lodz: Polish Scientific Publishers, 1978. - P.179-197.

  26. О природе и условиях образования стержнеобразных дефектов в кремнии / А.Л.Асеев, В.В.Болотов, Л.С.Смирнов, С.И.Стенин, В.М.Астахов // Физика и техника полупроводников. - 1979. - Т.13, N 7. - С.1302-1307.

  27. Образование дефектов в условиях радиационно-ускоренной диффузии в Si и Ge / В.В.Калинин, А.Л.Асеев, Н.Н.Герасименко, В.И.Ободников, С.И.Стенин // Физика и техника полупроводников. - 1979. - Т.13, N 1. - С.28-36.

  28. Aseev A.L. Electron-beam-induced changes of the real structure of semiconductors: abstract of paper presented at the International Symposium, Hale/Saale, German Democratic Republic, April 2–6, 1979 / A.L.Aseev, G.Kastner // Ultramicroscopy. - 1979. - Vol.4, N 2. - P.271.

  29. Electron beam induced changes of the real structure of semiconductors / A.L.Aseev, V.M.Astakhov, O.P.Pchelyakov, J.Heydenreich, G.Kastner, D.Hoehl // Crystal Research and Technology. - 1979. - Vol.14, N 11. - P.1405-1411.

  30. Nature and conditions of formation of rod-shaped defects in silicon / A.L.Aseev, V.V.Bolotov, L.S.Smirnov, S.I.Stenin // Soviet Physics. Semiconductors. - 1979. - Vol.13, N 7. - P.764-767.

  31. Дефекты в полупроводниковых кристаллах при облучении высокоэнергетическими электронами / B.M.Астахов, А.Л.Асеев, О.П.Пчеляков, И.Хейденрайх, Г.Кэстнер, Д.Хоэль // Известия Академии наук СССР. Серия физическая. - 1980. - Т.44, N 6. - С.1242-1246.

  32. Aseev A.L. Diatribution of defects in silicon irradiated in a HVEM / A.L.Aseev, V.M.Astakhov // Electron microscopy 1980: proceedings of the Seventh European Congress on Electron Microscopy, The Hague, The Netherlands, August 24-29, 1980. - Vol.4: High voltage. - Leiden, 1980. - P.244-245.

  33. Charge transport in MNOS structures with metal grains at the silica-silicon nitride interface / S.A.Biryukov, V.M.Efimov, V.A.Kolosanov, A.A.Frantsuzov, A.L.Aseev // Physica Status Solidi (A). - 1980. - Vol.58, N 1. - P.87-97.

  34. The formation of defects in Si under the radiation enhanced diffusion conditions / V.V.Kalinin, A.L.Aseev, N.N.Gerasimenko, V.l.Obodnikov, S.I.Stenin // Radiation Effects. - 1980. - Vol.48, N 1/4. - P.13-18.

  35. HVEM investigation of radiation defects in silicon and germanium / V.M.Astakhov, A.L.Aseev, O.P.Pchelyakov, V.V.Bolotov, D.Hoehl, H.Bartsch // Радиационная физика полупроводников и родственных материалов: труды международной конференции, Тбилиси, 13–19 сентября 1979 г. - Тбилиси, 1980. - P.761-765.

  36. Pasemann M. Analyse stabchen-formiger Defekte in Silizium mittels Durchstrahlungselektronen-mikroskopie / М.Pasemann, A.L.Aseev, D.Hoehl // Veröffentlichungen zur 10. Tagung «Elektronenmikroskopie», 19-21.01.1981, Leipzig. - Leipzig: Die Gesellschaft, 1981. - S.364-365.

  37. Асеев А.Л. Взаимодействие точечных дефектов с поверхностью кристаллов кремния при облучении в высоковольтном электронном микроскопе / А.Л.Асеев, В.М.Астахов // Физика твердого тела. - 1982. - Т.24, N 7. - С.2037-2042.

  38. Асеев А.Л. Изучение поведения точечных дефектов в кристаллах полупроводников и системе полупроводник-диэлектрик с помощью высоковольтной электронной микроскопии / А.Л.Асеев, В.М.Астахов, Л.И.Федина // Известия Академии наук СССР. Серия физическая. - 1983. - Т.47, N 6. - С.1156-1161.

  39. Дефекты структуры в германии при облучении ионами гелия и водорода / А.Л.Асеев, В.М.Ивахнишин, В.Ф.Стась, Л.С.Смирнов // Физика твердого тела. - 1983. - Т.25, N 10. - С.3097-3103.

  40. Дислокационная структура границы раздела Ge-Si(111) / С.М.Пинтус, А.В.Латышев, А.Л.Асеев, В.Ю.Карасев // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1983. - N 8. - С.61-63.

  41. О взаимодействии тонких пленок никеля с монокристаллическим кремнием / А.Е.Гершински, А.Л.Асеев, Г.В.Тимофеева, Е.И.Черепов // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1983. - N 9. - С.83-86.

  42. Analysis of rod-like defects in silicon and germanium by means of high-resolution electron microscopy / M.Pasemann, D.Hoehl, A.L.Aseev, O.P.Pchelyakov // Physica Status Solidi (A). - 1983. - Vol.80, N 1. - P.135-139.

  43. Aseev A.L. Investigation of point-defect behavior in semiconductor crystals and semiconductor-dielectric systems by means of a high-voltage electron microscope / A.L.Aseev, V.M.Astakhov, L.I.Fedina // Bulletin of the Academy of Sciences of the USSR. Physical serie. - 1983. - Vol.47, N 6. - P.111-116.

  44. Structure defects in germanium irradiated by helium and hydrogen ions / A.L.Aseev, V.M.Ivakhnishin, V.F.Stas', L.S.Smirnov // Physics of the Solid State. - 1983. - Vol.25. - P.1786-1789.

  45. Асеев А.Л. На новый уровень: навстречу отчетно-выборной профсоюзной конференции Новосибирского научного центра: [подборка материалов] / А.Л.Асеев // Наука в Сибири. - 1984. - N 45 (22 ноября). - С.5.

  46. Применение отражательной электронной микроскопии для изучения процесса испарения пленок двуокиси германия с поверхности германия / А.В.Латышев, А.Л.Асеев, Е.Б.Горохов, С.И.Стенин // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1984. - N 2. - С.89-93.

  47. Aseev A.L. The formation and shrinkage of (113)-defects in silicon by irradiation of Si-SiO2 system in a high voltage electron microscope / A.L.Aseev, L.I.Phedina // Electron microscopy 1984: proceedings of the Eighth European Congress on Electron Microscopy, Budapest, Hungary, August 13-18, 1984. - Budapest, 1984. - Vоl.1. - P.475-476.

  48. Aseev A.L. Interaction of point defects with dislocations in germanium crystals by irradiation in a high-voltage electron microscope / A.L.Aseev, D.Hoehl // Electron microscopy 1984: proceedings of the Eighth European Congress on Electron Microscopy, Budapest, Hungary, August 13-18, 1984. - Budapest, 1984. - Vоl.1. - P.477-478.

  49. Асеев А.Л. О структуре дефектов упаковки окисления в кремнии / А.Л.Асеев, М.Циглер, Л.И.Федина // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1985. - N 10. - С.70-77.

  50. Стенин С. Дефекты структуры в полупроводниках / С.Стенин, А.Асеев // Наука в Сибири. - 1985. - 7 февраля (N 6). - С.5.
    О работе IV Всесоюзного совещания по дефектам структуры в полупроводниках (Новосибирск, 23-25 октября 1984 г.), организованного Институтом физики полупроводников СО АН СССР.

  51. Федина Л.И. Анализ структуры дефектов упаковки окисления в кремнии с помощью методов электронной микроскопии / Л.И.Федина, В.М.Кудряшов, А.Л.Асеев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. - 1985. - N 1. - С.43-45.

  52. Устройство для дифференциальной сверхвысоковакуумной откачки электронного микроскопа / А.А.Крошков, А.Л.Асеев, Э.А.Баранова, О.А.Якушенко, А.В.Латышев, С.И.Стенин // Приборы и техника эксперимента. - 1985. - N 1. - С.199-202.

  53. Differential ultrahigh-vacuum pump for electron microscope / A.A.Kroshkov, A.L.Aseev, E.A.Baranova, A.V.Latyshev, O.A.Yakushenko // Instruments and Experimental Techniques. - 1985. - Vol.28, N 1, pt.2. - P.220-224.

  54. Асеев А.Л. Изучение структурных перестроек на атомарно-чистой поверхности полупроводников с помощью сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии / А.Л.Асеев, А.В.Латышев, С.И.Стенин // Проблемы электронного материаловедения: материалы IV всесоюзной школы / ответственный редактор Ф.А.Кузнецов. - Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1986. - С.109-127.

  55. Асеев А.Л. Изучение структуры границы раздела InSb - естественный окисел с помощью высокоразрешающей электронной микроскопии / А.Л.Асеев, Г.Л.Курышев // Кристаллография. - 1986. - Т.31, N 5. - С.1036-1038.

  56. Aseev A.L. Structure processes in silicon and germanium during electron irradiation in high voltage electron microscope / A.L.Aseev // Electron microscopy 1986: proceedings of the XIth International Congress on Electron Microscopy, Kyoto, Japan, August 31-September 7, 1986. - Kyoto, 1986. - Vоl.2. - P.1137-1138.

  57. Electron microscopy data for threshold energy of point defects creation in silicon / L.I.Fedina, A.L.Aseev, S.G.Denisenko, L.S.Smirnov // Defects in semiconductors. Materials Science Forum. - Vоl.10-12: Proceedings of the 14th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS‐14), Paris, France, August 18-22, 1986. - Trans Tech Publications Ltd, 1986. - P.1123-1127.

  58. Fedina L.I. Study of interaction of point defects with dislocations in silicon bу means of irradiation in an electron microscope / L.I.Fedina, A.L.Aseev // Physica Status Solidi (A). - 1986. - Vоl.95, N 2. - P.517-529.

  59. Investigation of sublimation and homoepitaxy processes on clean step surface of silicon (111) by means of ultrahigh vacuum reflection electron microscopy / A.V.Latyshev, A.L.Aseev, A.B.Krasilnikov, S.I.Stenin // Electron microscopy 1986: proceedings of the XIth International Congress on Electron Microscopy, Kyoto, Japan, August 31-September 7, 1986. - Kyoto, 1986. - Vоl.2. - P.989-990.

  60. Асеев А.Л. Изучение взаимодействия дислокаций с точечными дефектами в кремнии и германии при in situ облучении электронами в высоковольтном электронном микроскопе / А.Л.Асеев // Известия Академии наук СССР. Серия физическая. - 1987. - Т.51, N 9. - С.1502-1508.

  61. Кинетика роста и условия сокращения размеров (113)-дефектов в приповерхностных слоях кремния и германия / А.Л.Асеев, С.Г.Денисенко, В.М.Ивахнишин, Л.И.Федина, Д.Хеэль. - Новосибирск, 1987. - 38 с. - (Препринт / Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР; вып.19).

  62. Пороговая энергия образования точечных дефектов в кремнии по данным электронной микроскопии / Л.И.Федина, А.Л.Асеев, С.Г.Денисенко, Л.C.Смирнов // Физика и техника полупроводников. - 1987. - Т.21, N 4. - С.592-597.

  63. Aseev A.L. High voltage electron microscopy of clusters of point defects in silicon and germanium crystals / A.L.Aseev // Defects in crystals. - Singapore, 1987. - P.161-172.

  64. Aseev A.L. Interaction between dislocations and point defects in Ge and Si on irradiation in the high-voltage electron microscope / A.L.Aseev // Bulletin of the Academy of Sciences of the USSR. Physical ser. - 1987. - Vol.51, N 9. - P.38-43.

  65. Studies of interaction of dislocations with point defects in germanium by means of irradiation in a high-voltage electron microscope / A.L.Aseev, V.M.Ivakhnishin, D.Hoehl, H.Bartsch // Physica Status Solidi (A). - 1987. - Vоl.100, N 2. - P.431-440.

  66. Влияние электрического тока на соотношение площадей доменов (2 x 1) и (1 x 2) на чистой поверхности кремния (001) в процессе сублимации / А.В.Латышев, А.Б.Красильников, А.Л.Асеев, С.И.Стенин // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1988. - Т.48, N 9. - С.484-487.

  67. Латышев А.В. Аномальное поведение моноатомных ступеней при структурном переходе (1 x 1) = (7 x 7) на атомно-чистой поверхности кремния (111) / А.В.Латышев, А.Л.Асеев, С.И.Стенин // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1988. - Т.47, N 9. - С.448-450.

  68. Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния (111) при сублимации в условиях нагрева электрическим током / А.В.Латышев, А.Л.Асеев, А.Б.Красильников, С.И.Стенин, А.В.Ржанов // Доклады Академии наук СССР. - 1988. - Т.300, N 1. - С.84-88. - Библиогр.: 14 назв.

  69. Aseev A.L. Reflexions-Elektronenmikroskopie: Stand und Entwicklungstendenzen / A.L.Aseev, A.V.Latyshev // Veröffentlichungen zur 12. Tagung Elektronenmikroskopie, 18-20 Januar 1988, Dresden. - Dresden, 1988. - S.100-102.

  70. Behavior of monatomic steps on the silicon (111) surface upon sublimation when heated by an electric current / A.V.Latyshev, A.L.Aseev, A.B.Krasilnikov, A.V.Rzhanov, S.I.Stenin // Soviet Physics - Doklady. - 1988. - Vol.33, N 5. - P.352-354.

  71. Latyshev A.V. The structure of atomically clean silicon (111) surface under sublimation and epitaxy / A.V.Latyshev, A.L.Aseev, S.I.Stenin // Proceedings of the 19th International Conference on the Physics of Semiconductors, Warsaw, Poland, August 15-19, 1988. - Warszawa, 1988. - Vol.1. - P.721-724.

  72. Асеев А.Л. О механизме формирования скоплений междоузельных атомов в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации / А.Л.Асеев, Л.И.Федина // Физика и техника полупроводников. - 1989. - Т.23, N 1. - С.171-174.

  73. Асеев А.Л. Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов: автореферат дис. ... д-ра физ.- мат. наук / А.Л.Асеев; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск, 1989. - 36 с.

  74. Литвин Л.В. Об электрической активности скоплений междоузельных атомов в приповерхностных слоях кремния / Л.В.Литвин, Л.И.Федина, А.Л.Асеев // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1989. - N 6. - С.100-103.

  75. Initial stages of silicon homoepitaxy studied by in situ reflection electron microscopy / A.V.Latyshev, A.L.Aseev, A.B.Krasilnikov, S.I.Stenin // Physica Status Solidi (A). - 1989. - Vol.113, N 2. - P.421-430.

  76. Interaction of point defects with interstitial clusters, dislocations and impurities during in SITU electron irradiation of silicon crystals in the electron microscope / A.L.Aseev, L.Fedina, D.Hoehl, H.Bartsch // Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology: proceedings of the 3rd International Autumn meeting, Garzau, GDR, October 8-13, 1989. - Vaduz: Sci-tech Publications, 1989. - P.235-242. - (Solid State Phenomena; vol.6/7).

  77. Reflection electron microscopy study of structural transformation on a clean silicon surface under sublimation, phase transition and homoepitaxy / A.V.Latyshev, A.L.Aseev, A.B.Krasilnikov, S.I.Stenin // Physics of Semiconductor devices: proceedings of the 5th International workshop, December 11-15, 1989, New Delhi, India. - New-Delhi: Macmillan, 1989. - P.516-525.

  78. Transformations on clean Si(111) stepped surface during sublimation / A.V.Latyshev, A.L.Aseev, A.B.Krasilnikov, S.I.Stenin // Surface Science. - 1989. - Vol.213, N 1. - P.157-169.

  79. Гаврилова Т.А. Определение толщины островковых пленок с помощью растрового электронного микроскопа / Т.А.Гаврилова, А.Л.Асеев // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1990. - N 12. - С.110-112.

  80. Сверхвысоковакуумная отражательная электронная микроскопия для изучения структуры и микроморфологии атомно-чистой поверхности кремния / А.В.Латышев, А.Б.Красильников, А.Л.Асеев, С.И.Стенин // Электронная промышленность. - 1990. - N 2. - С.58-62.

  81. Структурные перестройки на атомно-чистой поверхности кремния в процессах сублимации и эпитаксии / А.В.Латышев, А.Л.Асеев, А.Б.Красильников, С.И.Стенин // Рост кристаллов. - Москва: Наука, 1990. - Т.18. - С.61-80.

  82. Федина Л.И. Взаимодействие точечных дефектов с атомами бора и фосфора в кристаллах Si при большой скорости генерации пар Френкеля / Л.И.Федина, А.Л.Асеев // Физика твердого тела. - 1990. - Т.32, N 1. - С.60-68.

  83. Reflection electron microscopy study of structural transformations on a clean silicon surface in sublimation, phase transition and homoepitaxy / A.V.Latyshev, A.L.Aseev, A.B.Krasilnikov, S.I.Stenin // Surface Science. - 1990. - Vol.227, N 1/2. - P.24-34.

  84. Асеев А.Л. Влияние процессов аннигиляции точечных дефектов на рост скоплений междоузельных атомов при облучении кристаллов Si и Ge электронами в высоковольтном электронном микроскопе / А.Л.Асеев, С.Г.Денисенко, Л.И.Федина // Физика и техника полупроводников. - 1991. - Т.25, N 4. - С.582-587.

  85. Денисенко С.Г. Кинетика образования зародышей кластеров междоузельных атомов при облучении кристаллов Si в ВЭМ / С.Г.Денисенко, А.Л.Асеев // Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники: III Всесоюзная конференция, Новосибирск, 4-6 июня 1991 г.: программа и тезисы докладов. - Новосибирск, 1991. - С.21.

  86. Денисенко С.Г. Модель кинетики радиационных точечных дефектов в кристалле при их аннигиляции на примеси и уменьшенном стоке одной из компоненты пары Френкеля на поверхности кристалла / С.Г.Денисенко, А.Л.Асеев // Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники: III Всесоюзная конференция, Новосибирск, 4-6 июня 1991 г.: программа и тезисы докладов. - Новосибирск, 1991. - С.58.

  87. Применение электронно-лучевой литографии при изготовлении субмикронных полупроводниковых структур для изучения квантовых эффектов / В.М.Кудряшов, М.М.Качанова, Н.В.Елисеева, Т.А.Гаврилова, А.Л.Асеев // Микроэлектроника. - 1991. - Т.20, N 3. - С.314-317.

  88. Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии / А.Л.Асеев, Л.И.Федина, Д.Хеэль, Х.Барч; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1991. - 149 с.

  89. Эффекты объединения моноатомных ступеней в процессах сверхструктурных перестроек на поверхности Si(111) / А.В.Латышев, А.Б.Красильников, А.Л.Асеев, С.И.Стенин // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1991. - N 3. - С.148-150.

  90. Aseev A.L. Direct observation of monoatomic step behaviour in MBE on Si by reflection electron microscopy / A.L.Aseev, A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov // Journal of Crystal Growth. - 1991. - Vol.115, N 1/4. - P.393-397.

  91. Aseev A.L. In situ electron microscopy study of interstitial cluster formation in silicon and germanium / A.L.Aseev, L.I.Fedina // Microscopy of Semiconducting Materials 1991: proceedings of the Institute of Physics Conference, Oxford University, 25-28 March 1991. - Bristol: CRC Press, 1991. - P.121-124. - (Institute of Physics Conference Series; vol.117).

  92. Aseev A.L. Influence of the processes of point defect annihilation on the growth of interstitial atom clusters during irradiation of Si and Ge crystals with electrons in a high-voltage electron microscope / A.L.Aseev, S.G.Denisenko, L.I.Fedina // Soviet Physics - Semiconductors. - 1991. - Vol.25, N 4. - P.352-355.

  93. Fedina L.I. Self-interstitial atoms and structure of intrinsic getter in silicon crystals / L.I.Fedina, S.G.Denisenko, A.L.Aseev // Gettering and defect engineering in semiconductor technology: proceedings of the 4th International Conference (GADEST'91), Frankfurt, Germany, October 1991. - Zurich: Sci-tech Publications, 1991. - P.79-84. - (Solid State Phenomena; vol.19-20).

  94. In situ UHV REM study of the structure of silicon surfaces / A.L.Aseev, A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, L.V.Litvin // Microscopy of Semiconducting Materials 1991: proceedings of the Institute of Physics Conference, Oxford University, 25-28 March 1991. - Bristol: CRC Press, 1991. - P.427-430. - (Institute of Physics Conference Series; vol.117).

  95. Initial stages of epitaxial growth of Si, Ge and Au on Si(111) studied by in situ UHV REM / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev, S.I.Stenin // Epitaxial Crystal Growth: proceedings of the 1st International Conference, Budapest, Hungary, April 1-7, 1990. - Zurich: Trans Tech Publications, 1991. - Pt.2: Contributed papers. - P.31-33.

  96. Reflection electron microscopy study of clean Si(111) surface reconstruction during the (7 x 7) < = > (1 x 1) phase transition / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev, L.V.Sokolov, S.I.Stenin // Surface Science. - 1991. - Vol.254, N 1/3. - P.90-96.

  97. Aseev A.L. Formation of interstitial clusters in high doped Si and Ge crystals at electron irradiation in HVEM. 1992 / A.L.Aseev, L.I.Fedina // Electron Microscopy 92: proceedings of the 10th European Congress on Electron Microscopy, Granada, Spain, 7-11 September 1992. - Granada, 1992. - Vol.2. - P.81-82.

  98. Aseev A.L. In situ REM study of structural transformation on Si surfaces / A.L.Aseev, A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov // Electron microscopy: proceedings of the 5th Asia-Pacific Electron Microscopy Conference, Beijing, China, 2-6 August 1992. - Singapore: World Scientific, 1992. - Vol.1. - P.60-63.

  99. In situ UHV reflection electron microscopy studies of surface processes on Si(100) surface and Si(111) / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, L.V.Litvin, A.L.Aseev // Electron Microscopy 92: proceedings of the 10th European Congress on Electron Microscopy, Granada, Spain, 7-11 September 1992. - Granada, 1992. - Vol.1. - P.187-188.

  100. Krasilnikov A.B. In situ REM study of epitaxy of Ge on Si(111) / A.B.Krasilnikov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev // Electron microscopy: proceedings of the 5th Asia-Pacific Electron Microscopy Conference, Beijing, China, 2-6 August 1992. - Singapore: World Scientific, 1992. - Vol.1. - P.66-67.

  101. Latyshev A.V. Application of ultrahigh vacuum reflection electron microscopy for the study of clean silicon surfaces in sublimation, epitaxy, and phase transitions / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev // Microscopy Research and Technique. - 1992. - Vol.20, N 4. - P.341-351.

  102. Latyshev A.V. Direct REM observation of structural processes on clean silicon surfaces during sublimation, phase transition and epitaxy / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev // Applied Surface Science. - 1992. - Vol.60/61. - P.397-404.

  103. Monoatomic step clustering during superstructural transitions on Si(111) surface / A.B.Krasilnikov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev, S.I.Stenin // Journal of Crystal Growth. - 1992. - Vol.116, N 1/2. - P.178-184.

  104. Гутаковский А.К. Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для изучения атомной структуры дефектов и границ раздела в полупроводниках / А.К.Гутаковский, С.М.Пинтус, A.L.Aseev // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1993. - N 10. - С.5-16.

  105. Hutchison J.L. (113)-defects in He+ implanted germanium / J.L.Hutchison, A.L.Aseev, L.Fedina // Microscopy of Semiconducting Materials 1993: proceedings of the Royal Microscopical Society Conference, Oxford University, 5-8 April 1993. - Oxford: CRC Press, 1993. - P.41-46. - (Institute of Physics Conference Series; vol.134).

  106. Krasilnikov A.B. Transformation of a Si(111) stepped surface during the formation of a Si(3 x 1)Ca superstructure / A.B.Krasilnikov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev // Surface Science. - 1993. - Vol.290, N 3. - P.232-238.

  107. Latyshev A.V. In situ REM study of monoatomic step behaviour on Si(111) surface during sublimation / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev // Ultramicroscopy. - 1993. - Vol.48, N 4. - P.377-380.

  108. In situ исследования методами электронной микроскопии структурных процессов на границе раздела Ge/Si при выращивании эпитаксиальных многослойных систем / А.Л.Асеев, А.К.Гутаковский, А.Б.Красильников, А.В.Латышев, А.Г.Мамонтова, С.В.Рубанов // Информационный бюллетень РФФИ. - 1994. - Т.2, N 2. - С.568.

  109. Красильников А.Б. Трансформация ступенчатой поверхности Si(111) в процессе формирования сверхструктуры Si(3 x 1)Ga / А.Б.Красильников, А.В.Латышев, А.Л.Асеев // Известия Российской академии наук. Серия физическая. - 1994. - Т.58, N 7. - С.83-88.

  110. Aseev A. Shrinkage of the rod-like defects and (113)-defects in implanted Si and Ge crystals during electron irradiation in HVEM / A.Aseev, L.Fedina // Electron microscopy 1994: proceedings of the 13th International Congress on Electron Microscopy, Paris, France, 17-22 July, 1994. - Paris, 1994. - Vol.2A: Applications in materials sciences. - P.101-102.

  111. Clusters of interstitial atoms in silicon and germanium / A.Aseev, L.Fedina, D.Hoehl, H.Bartsch. - Berlin: Akademie Verlag, 1994. - 152 p.

  112. Gutakovskii A.K. High resolution electron microscopy of semiconductor interface / A.K.Gutakovskii, L.I.Fedina, A.L.Aseev // Electron microscopy of boundaries and interfaces in material science: proceedings of the autumn school of the International Centre of Electron Microscopy at the Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle/Saale, Sept.25 - Oct.1, 1994. - Halle: Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, 1994. - P.205-210.

  113. Latyshev A.V. Direct UHV REM observation of the behaviour of monoatomic steps on the silicon (111) surface / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev // Physica Status Solidi (A). - 1994. - Vol.146, N 1. - P.251-257.

  114. Latyshev A.V. UHV REM study of the anti-band structure on the vicinal Si(111) surface under heating by a direct electric current / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev // Surface Science. - 1994. - Vol.311, N 3. - P.395-403.

  115. Асеев А. От атомной структуры к устройствам наноэлектроники / А.Асеев // Наука в Сибири. - 1995. - Февраль (N 8). - С.2.
    Исследования Института физики полупроводников СО РАН в области наноэлектроники и нанотехнологий.

  116. Асеев А. Управляющие электронами: репортаж из Института физики полупроводников СО РАН / А.Асеев // Наука в Сибири. - 1995. - Июнь (N 25). - С.3.

  117. Квазибаллистический квантовый интерферометр / А.А.Быков, З.Д.Квон, Е.Б.Ольшанецкий, А.Л.Асеев, М.Р.Бакланов, Л.В.Литвин, Ю.В.Настаушев, В.Г.Мансуров, В.П.Мигаль, С.П.Мощенко // Успехи физических наук. - 1995. - T.165, N 2. - С.227-229.

  118. Gutakovskii A.K. High resolution electron microscopy of semiconductor interfaces / A.K.Gutakovskii, L.I.Fedina, A.L.Aseev // Physica Status Solidi (A). - 1995. - Vol.150, N 1. - P.127-140.

  119. Point defect reactions in silicon studied in situ by high flux electron irradiation in high voltage transmission electron microscope / J.Vanhellemont, A.Romano-Rodriguez, L.Fedina, J.Van Landuyt, A.Aseev // Materials Science and Technology. - 1995. - Vol.11, N 11. - P.1194-1202.

  120. Quasiballistic quantum interferometer / A.A.Bykov, Z.D.Kvon, E.B.Olshanetsky, A.Aseev, M.R.Baklanov, L.V.Litvin, Yu.V.Nastaushev, V.G.Mansurov, V.P.Migal', S.P.Moshchenko // Physics-Uspekhi. - 1995. - Vol.38, N 2. - P.217-219.

  121. Изучение атомных механизмов формирования латеральных и наклонных сверхрешеток в эпитаксиальной системе германий-кремний методами МЛЭ, СВВ отражательной и высокоразрешающей электронной микроскопии / А.Л.Асеев, А.К.Гутаковский, А.Б.Красильников, А.В.Латышев, Д.А.Насимов // Информационный бюллетень РФФИ. - 1996. - Т.4, N 2. - С.1109.

  122. Gutakovskii A.K. Structure of interfaces in semiconductor low-dimensional systems grown by MBE / A.K.Gutakovskii, A.Aseev, J.L.Hutchison // Microscopy of Semiconducting Materials 1995: proceedings of the Institute of Physics Conference, Oxford University, 20-23 March 1995. - Bristol: CRC Press, 1996. - (Institute of Physics Conference Series; vol.146).

  123. Latyshev A.V. In situ reflection electron microscope observation of two-dimensional nucleation on Si(111) during epitaxial growth / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev // Thin Solid Films. - 1996. - Vol.281/282, N 1/2. - P.20-23.

  124. Latyshev A.V. Self-diffusion on Si(111) surfaces / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. - 1996. - Vol.54, N 4. - P. 2586-2589.

  125. Latyshev A.V. UHV REM study of 2D nucleation during Si homoepitaxy / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev // Microscopy of Semiconducting Materials 1995: proceedings of the Institute of Physics Conference, Oxford University, 20-23 March 1995. - Bristol: CRC Press, 1996. - (Institute of Physics Conference Series; vol.146).

  126. Observation of vacancy clustering in FZ-Si crystals during in situ electron irradiation in a high voltage electron microscope / L.Fedina, J.Van Landuyt, J.Vanhellemont, A.L.Aseev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Sect.B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 1996. - Vol.112, N 1/4. - P.133-138.

  127. Применение вакуумного электронного резиста октавинилсилсесквиоксана для нанолитографии / Л.В.Литвин, Т.А.Гаврилова, А.Е.Плотников, А.К.Гутаковский, Ю.В.Настаушев, А.Л.Асеев, Ф.Н.Дульцев, К.П.Могильников, М.Р.Бакланов, С.А.Прохорова, Л.Д.Никулина, С.М.Волкова, Т.И.Лисковская, В.С.Данилович, Б.Шпангенберг, С.Альтмеер // Микроэлектроника. - 1997. - Т.26, N 6. - С.451-457.

  128. The application of octavinylsilsesquioxane as a vacuum electron resist for nanolithography / L.V.Litvin, T.A.Gavrilova, A.E.Plotnikov, A.K.Gutakovskii, Yu.V.Nastaushev, A.L.Aseev, F.N.Dul'tsev, K.P.Mogil'nikov, M.R.Baklanov, S.A.Prokhorova, L.D.Nikulina, S.M.Volkova, T.I.Liskovskaya, V.S.Danilovich, B.Spangenberg, S.Altmeyer // Russian Microelectronics. - 1997. - Vol.26, N 6. - P.387-393.

  129. Aseev A.L. Reflection electron microscopy observation of the behavior of monoatomic steps on the silicon surfaces / A.L.Aseev, A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov // Surface Review and Letters. - 1997. - Vol.4, N 3. - P.551-558.

  130. Intrinsic point defect clustering in Si: a study by HVEM and HREM in situ electron irradiation / L.Fedina, A.Gutakovskii, A.Aseev , van J.Landuyt, J.Vanhellemont // In situ Microscopy in Materials Research: Leading International Research in Electron and Scanning Probe Microscopies. - Boston: Kluwer Academic Publishers, 1997. - P.63-92.

  131. New intermediate defect configuration in Si studied by in situ HREM irradiation / L.Fedina, A.Gutakovskii, A.Aseev, van J.Landuyt, J.Vanhellemont // Microscopy of Semiconducting Materials 1997: proceedings of the Royal Microscopical Society Conference, Oxford University, 7-10 April 1997. - Bristol: CRC Press, 1997. - P.43-46. - (Institute of Physics Conference Series; vol.157).

  132. UHV reflection electron microscopy investigation of the monoatomic steps on the silicon (111) surface at homo- and heteroepitaxial growth / A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev // Thin Solid Films. - 1997. - Vol.306, N 2. - P.205-213.
ПродолжениеПродолжение1998-2007
 

Научные школы ННЦ А.Л.Асеев | Литература о жизни и деятельностиПодготовили Клара Елкина и Сергей Канн  
  
[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 1997–2024 Отделение ГПНТБ СО РАН
Документ изменен: Wed Apr 27 15:18:01 2022. Размер: 61,856 bytes.
Посещение N 3052 с 12.04.2016