Библиография трудов чл.-кор. РАН К.К.Свиташева с 1987 г. по настоящее время
 Навигация
 
 

Свиташев К.К.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды



 Научные школы ННЦ
 

БИБЛИОГРАФИЯ ТРУДОВ 1959-1977 1978-1986 с 1987 года ИЗОБРЕТЕНИЯ
 
1987 | 1988 | 1989 | 1991 | 1992 | 1993 | 1994 | 1995 | 1996 | 1997 | 1998 | 2001 | 2002 | 2003 | 2014

  1. Автоматический эллипсометрический комплекс ЛЭФ-4А - микро-ЭВМ / Ю.А.Блюмкина, А.В.Архипенко, Н.Н.Иощенко, А.Ф.Леоненко, Б.С.Новиков, М.Х.Ощепков, И.П.Пузыня, С.В.Рыхлицкий, К.К.Свиташев, В.К.Соколов, К.Г.Сычева, В.Н.Федоринин, Н.И.Щукина // Эллипсометрия: теория, методы, приложения: труды III всесоюзной конференции (Новосибирск, 9 июля - 11 июля 1985 г.) / ответственные редакторы: А.В.Ржанов, Л.А.Ильина. - Новосибирск: Наука, 1987. - С.108-111. - Библиогр.: 9 назв.

  2. Контроль параметров сверхрешеток в процессе их получения методом эллипсометрии / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, А.С.Мардежов, В.А.Швец // Доклады Академии наук СССР. - 1987. - Т.297, N 3. - C.604-607. - Библиогр.: 5 назв.

  3. Лазерный фотоэлектрический эллипсометр ЛЭФ-3М-1 / Ю.Б.Алгазин, Н.Н.Иощенко, А.Ф.Леоненко, В.Г.Панькин, С.В.Рыхлицкий, К.К.Свиташев, В.Н.Семенов, В.К.Соколов, Н.И.Щукина // Приборы и техника эксперимента. - 1987. - N 6. - С.204.

  4. О влиянии многократного отражения на работу фазовой кварцевой пластинки / С.В.Рыхлицкий, К.К.Свиташев, В.К.Соколов, Т.Х.Хасанов // Оптика и спектроскопия. - 1987. - Т.63, N 5. - С.1092-1094. - Библиогр.: 7 назв.

  5. Свиташева С.Н. Отражение света от ячейки случайной фазовой маски с цилиндрическими боковыми гранями / С.Н.Свиташева, Р.И.Любинская, К.К.Свиташев - Новосибирск, 1987. - 29 с. - (Препринт / Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР; N 18).

  6. Effect of multiple reflection on the operation of a quartz phase plate / S.V.Rykhlitskii, K.K.Svitashev, V.K.Sokolov, T.Kh.Khasanov // Optics and Spectroscopy. - 1987. - Vol.63, N 5. - P.643-644. - Bibliogr.: 7 ref.

  7. Koldyaev V.I. Mathematical modeling of electron transport processes in the dielectrics of MDS structures in strong fields / V.I.Koldyaev, K.K.Svitashev // Soviet Microelectronics. - 1987. - Vol.15, N 3. - P.145-158.

  8. Monitoring of superlattice parameters during ellipsometric measurements / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, A.S.Mardezhov, V.A.Shvets // Soviet Physics Doklady. - 1987. - Vol.32, N 11. - P.930-932. - Bibliogr.: 5 ref.

  9. Ред.: Эллипсометрия в науке и технике: труды конференции (Новосибирск, 9-11 июля 1985 г.) / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников; ответственный редактор К.К.Свиташев, А.С.Мардежов. - Новосибирск: Наука, 1987. - 205 с.

  10. Васильев В.В. Флюоресценция и фосфоресценция аморфных слоев нитрида кремния / В.В.Васильев, И.П.Михайловский, К.К.Свиташев // Журнал технической физики. - 1988. - Т.58, N 4. - С.836-839. - Библиогр.: 12 назв.

  11. Определение четырех параметров системы изотропная диэлектрическая пленка - ориентированный одноосный кристалл / Р.И.Любинская, А.С.Мардежов, К.К.Свиташев, Т.Хасанов // Оптика и спектроскопия. - 1988. - Т.65, N 3. - С.632-635. - Библиогр.: 9 назв.

  12. Основное уравнение эллипсометрии для сверхрешеток / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, А.С.Мардежов, В.А.Швец // Доклады Академии наук СССР. - 1988. - Т.298, N 4. - С.862-866. - Библиогр.: 5 назв.

  13. Свиташев К.К. Оптическая эллипсометрия. Вып.1. Эллипс / К.К.Свиташев, Р.И.Любинская. - Новосибирск, 1988. - 47 с. - (Препринт / Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР; N 30).

  14. Determination of four parameters for the isotropic-dielectric-film-oriented-uniaxial-crystal system / R.I.Lyubinskaya, A.S.Madezhov, K.K.Svitashev, T.Khasanov // Optics and Spectroscopy. - 1988. - Vol.65, N 33. - P.375-377.

  15. Fluorescence and phosphorescence of amorphous silicon nitride films / V.V.Vasil'ev, I.P.Mikhailovskii, K.K.Svitashev // Soviet Physics - Technical Physics. - 1988. - Vol.33, N 4. - P.510-512.

  16. Fundamental equation of ellipsometry for superlattices / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, A.S.Mardezhov, V.A.Shvets // Soviet Physics Doklady. - 1988. - Vol.33. - P.146-148. - Bibliogr.: 5 ref.

  17. Автоматизированный спектрально-эллипсометрический комплекс / В.К.Соколов, К.К.Свиташев, В.Н.Федоринин, С.В.Рыхлицкий, А.Ф.Леоненко, Н.Н.Иощенко, В.В.Бузук, В.Н.Кольчунов, С.Г.Пятаков // Приборы и техника эксперимента. - 1989. - N 14. - С.240.

  18. Ржанов А.В. Сколько можно отставать...: блеск научных идей и нищета технического прогресса / А.В.Ржанов, К.Свиташев, С.Стенин // Известия. - 1989. - 3 октября. - С.3.

  19. Свиташев К.К. Измерение деполяризованной компоненты, возникающей при прохождении линейно поляризованного света через плоскопараллельную анизотропную пластинку / К.К.Свиташев, Т.Х.Хасанов // Оптика и спектроскопия. - 1989. - Т.66, N 1. - С.218-220. - Библиогр.: 6 назв.

  20. Свиташев К.К. Оптическая эллипсометрия. Вып.2. Эллиптические колебания / К.К.Свиташев, Р.И.Любинская. - Новосибирск, 1989. - 48 с. - (Препринт / Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР; N 35).

  21. Svitashev K.K. Measurement of the depolarized component arising from the passage of linearly polarized light through a plane-parallel anisotropic plate / K.K.Svitashev, T.Khasanov // Optics and Spectroscopy. - 1989. - Vol.66, N 1. - P.125-126. - Bibliogr.: 6 ref.

  22. Кругликов С.В. Многоэлементные приемники изображения / С.В.Кругликов, А.В.Логинов, К.К.Свиташев - Новосибирск: Наука, 1991. - 96 с.

  23. Свиташев К. Стартовые условия существуют: Научно-технические программы СО АН СССР: «Твердотельная электроника» / К.Свиташев, В.Овсюк // Наука в Сибири. - 1991. - Март (N 12). - C.3.

  24. Ovsyuk V.N. Selective photodetectors: a view from the USSR / V.N.Ovsyuk, K.K.Svitashev // Proceedings of SPIE. - 1991. - Vol.1540. - P.424-431.

  25. Ред.: Кругликов С.В. Многоэлементные приемники изображения / С.В.Кругликов, А.В.Логинов; ответственный редактор К.К.Свиташев; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт автоматики и электрометрии. - Новосибирск: Наука, 1991. - 96 с.

  26. Ред.: Эллипсометрия. Теория. Методы. Приложения: сборник научных трудов / ответственные редакторы: К.К.Свиташев, А.С.Мардежов; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1991. - 253 с.

  27. Фотоприемные элементы ИК-диапазона на основе многослойных квантовых ям GaAs/AIGaAs / М.Р.Бакланов, М.А.Демьяненко, Н.Т.Мошегов, О.Р.Копп, В.Н.Овсюк, К.К.Свиташев, А.И.Торопов, В.В.Шашкин // Оптический журнал. - 1992. - N 12. - C.45-49. - Библиогр.: 13 назв.

  28. Infrared photodetector elements based on GaAs/AlGaAs multilayer quantum wells / M.R.Baklanov, M.A.Demyanenko, N.T.Moshegov, O.R.Kopp, V.N.Ovsyuk, K.K.Svitashev, A.I.Toropov, V.V.Shashkin // Soviet Journal Optical Technology. - 1992. - Vol.59, N 12. - P.789-792.

  29. Ovsyuk V.N. Selective photodetectors - a view from Russia / V.N.Ovsyuk, K.K.Svitashev // Optical Engineering. - 1992. - Vol.31, N 4. - P.685-688.

  30. Ред.: Избранные труды классиков физической оптики. В 3 томах. Т.1. Поляризация света / Э.Бартолин, Х.Гюйгенс, И.Ньютон [и др.]; ответственный редактор К.К.Свиташев [и др.]; Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1992. - 155 с.

  31. Ред.: Несмелова И.М. Оптические свойства узкощелевых полупроводников / И.М.Несмелова; ответственный редактор К.К.Свиташев; Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1992. - 156 с.

  32. Quantum-well infrared detectors: photocurrent spectroscopy and volt-ampere characteristics / V.N.Ovsyuk, K.K.Svitashev, V.V.Shashkin, A.I.Toropov, N.T.Moshegov // Proceedings of SPIE. - 1993. - Vol.2021. - P.171-178.

  33. Ред.: Френель О.Ж. Взаимодействие поляризованного света с веществом / О.Ж.Френель; ответственный редактор К.К.Свиташев [и др.]; Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1993. - 226 с. - ( Избранные труды классиков физической оптики).

  34. Обзор докладов [представленных на секции «Наука и высшая школа: поиски выхода из кризиса»] / К.К.Свиташев, В.А.Труфакин, А.С.Востриков // Стратегия стабилизации экономики региона: проблемы и решения: научно-практическая конференция (Новосибирск, 18-19 апреля 1994 г.). - Новосибирск, 1994. - C.124-132.

  35. Growth of high-quality MCT films in MBE using in-situ ellipsometry / K.K.Svitashev, S.A.Dvoretsky, Yu.G.Sidorov, V.A.Shvets, A.S.Mardezhov, I.E.Nis, V.S.Varavin, V.Liberman, V.G.Remesnik // Crystal Research and Technology. - 1994. - Vol.29, N 7. - C.931-937.

  36. Growth of high-quality MCT films in MBE using in-situ ellipsometry / K.K.Svitashev, S.A.Dvoretsky, Yu.G.Sidorov, V.A.Shvets, A.S.Mardezhov, I.E.Nis, V.S.Varavin, V.Liberman, V.G.Remesnik // Infrared Detectors-Materials, Processing and Devices: Materials Research Society Symposium Proceedings. - 1994. - Vol.299. - P.135-140.

  37. Ред.: Друде П. Оптические постоянные и поверхностные слои: [перевод с немецкого] / П.Друде; ответственный редактор К.К.Свиташев [и др.]; Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1994. - 481 с. - (Избранные труды классиков физической оптики, т.2).

  38. Эллипсометрия in situ при выращивании пленок твердых растворов кадмий - ртуть - теллур методом МЛЭ / К.К.Свиташев, В.А.Швец, А.С.Мардежов, С.А.Дворецкий, Ю.Г.Сидоров, В.С.Варавин // Журнал технической физики. - 1995. - T.65, N 9. - С.110-120. - Библиогр.: 16 назв.

  39. In-situ ellipsometry used in MBE growth of cadmium-mercury-tellurium solid-solution films / K.K.Svitashev, V.A.Shvets, A.S.Mardezhov, S.A.Dvoretskii, Yu.G.Sidorov, V.S.Varavin // Technical Physics. - 1995. - Vol.40, N 9. - P.924-929. - English translation of the journal «Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki».

  40. Метод эллипсометрии в технологии синтеза соединений кадмий-ртуть-теллур / К.К.Свиташев, В.А.Швец, А.С.Мардежов, С.А.Дворецкий, Ю.Г.Сидоров, Е.В.Спесивцев, С.В.Рыхлицкий, С.И.Чикичев, Д.Н.Придачин // Автометрия. - 1996. - N 4. - С.100-109. - Библиогр.: 24 назв.

  41. Свиташев К.К. Некоторые проблемы создания многоэлементных фотоприемных устройств на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути / Свиташев К.К., Чикичев С.И. // Автометрия. - 1996. - N 4. - С.3-5. - Библиогр.: 2 назв.

  42. Фокальные матрицы 2x64 для спектрального диапазона 8-10 мкм на объемных кристаллах CdHgTe / В.В.Васильев, Т.И.Захарьяш, А.Г.Клименко, А.И.Крымский, И.В.Марчишин, Т.Н.Недосекина, В.Н.Овсюк, Л.Н.Ромашко, К.К.Свиташев , А.О.Сусляков, Н.Х.Талипов, Л.В.Тишковская // Автометрия. - 1996. - N 4. - С.32-39. - Библиогр.: 14 назв.

  43. Ellipsometry in the technology of cadmium-mercury-telluride alloy synthesis / K.K.Svitashev, V.A.Shvets, A.S.Mardezhov, S.A.Dvoretsky, Yu.G.Sidorov, E.V.Spesivtsev, S.V.Rykhlitsky, S.I.Chikichev, D.N.Pridachin // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing (Avtometriya). - 1996. - N 4. - P.24-31.

  44.  *  LWIR 2x64 FPA detectors on bulk CdHgTe crystals / V.V.Vasilyev, T.I.Zakharyash, A.G.Klimenko, A.I.Krymsky, I.V.Marchishin, T.N.Nedosekina, V.N.Ovsyuk, L.N.Romashko, K.K.Svitashev, A.O.Suslyakov // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing (Avtometriya). - 1996. - N 4.

  45. Svitashev K.K. Some problems of multielement photodetector array fabrication from solid solutions of cadmium and mercury tellurides / K.K.Svitashev, S.I.Chikichev // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 1996. - N 4. - P.3-4.

  46. Свиташев К.К. Оптическая эллипсометрия на пороге 21-го века / К.К.Свиташев, С.И.Чикичев // Автометрия. - 1997. - N 1. - С.3-4. - Библиогр.: 7 назв.

  47. Свиташев К.К. Связанные эллипсы и связанные эллиптические колебания / К.К.Свиташев // Автометрия. - 1997. - N 1. - С.22-33. - Библиогр.: 1 назв.

  48. Свиташев К.К. Физика в устойчивом развитии: [беседа с председателем Объединенного ученого совета по физико-техническим наукам СО РАН членом-корреспондентом РАН Константином Константиновичем Свиташевым / записала Л.А.Щербакова] // ЭКО: экономика и организация промышленного производства. - 1997. - N 8. - C.3-16.

  49. Ellipsometry as a powerful tool for the control of epitaxial semiconductor structures in-situ and ex-situ / V.A.Shvets, K.K.Svitashev, A.S.Mardezhov, S.A.Dvoretsky, Yu.G.Sidorov, N.N.Mikhailov, E.V.Spesivtsev, S.V.Rychlitsky // Materials Science and Engineering. B: Solid State Materials for Advanced Technology - 1997. - Vol.44, N 1-3. - P.164-167.

  50. Svitashev K.K. Optical ellipsometry on the verge of the XXI century / K.K.Svitashev, S.I.Chikichev // Optoelectronics Instrumentation and Data Processing. - 1997. - N 1. - P.3-4.

  51. Svitashev K.K. Related ellipses and related elliptic oscillations / K.K.Svitashev // Optoelectronics Instrumentation and Data Processing. - 1997. - N 1. - P.22-23.

  52. Он Человеком был / Н.Добрецов, В.Молодин, К.Свиташев, Г.Толстиков, В.Фомин, А.Деревянко, В.Бойко, Л.Горюшкин, Н.Покровский, Е.Ромадановская, Н.Алексеев, А.Аникин, Э.Бальбуров, Б.Болдырев, Е.Кузьмина, С.Маккуойд, Г.Михайлов, Р.Назаренко, С.Рожнова, И.Селютина, А.Федоров, М.Черемисина, Н.Широбокова, Т.Юмсунова, Л.Якимова // Наука в Сибири. - 1998. - Август (N 31-32). - C.11.
    Памяти члена-корреспондента РАН А.Б. Соктоева - директора Института филологии СО РАН.

  53. Открытое письмо президенту Российской Федерации Б.Н.Ельцину / А.С.Алексеев, Л.М.Барков, В.В.Болдырев, А.А.Боровков, В.А.Ваганов, О.Ф.Васильев, В.В.Воробьев, М.Г.Воронков, С.К.Годунов, С.В.Гольдин, А.П.Деревянко, Ю.Л.Ершов ... К.К.Свиташев [и др.] // Наука в Сибири. - 1998. - Июнь (N 25). - С.2.

  54. Попов В.П. Фундаментальные проблемы материаловедения полупроводникового кремния / В.П.Попов, А.Л.Асеев, К.К.Свиташев // Материалы Сибири: доклады 2-й международной конференции (Барнаул, 6-9 сентября 1998 г.). - Барнаул, 1998. - С.3.

  55. Свиташев К.К. Полупроводниковые многоэлементные фотоприемные устройства для тепловидения / К.К.Свиташев, С.И.Чикичев // Автометрия. - 1998. - N 4. - С.3-4. - Библиогр.: 2 назв.

  56. Фокальные фотоприемные матрицы на основе гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs / В.В.Васильев, В.Г.Войнов, Д.Г.Есаев, Т.И.Захарьяш, А.Г.Клименко, А.И.Козлов, А.И.Крымский, И.В.Марчишин, В.Н.Овсюк, Л.Н.Ромашко, К.К.Свиташев, А.О.Сусляков, Н.Х.Талипов, Ю.Г.Сидоров, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // Оптический журнал. - 1998. - T.65, N 1. - С.80-85. - Библиогр.: 11 назв.

  57. Focal photodetector arrays based on CdHgTe heteroepitaxial layers grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates / V.V.Vasilev, V.G.Voinov, D.G.Esaev, T.I.Zakharyash, A.G.Klimenko, A.I.Kozlov, A.I.Krymskii, I.V.Marchishin, V.N.Ovsyuk, L.F.Romashko, K.K.Svitashev, A.O.Suslyakov, N.K.Talipov, Y.G.Sidorov, V.C.Varavin, S.A.Dvoretskii, N.N.Mikhailov // Journal of Optical Technology. - 1998. - Vol.65, N 1. - P.68-72. - Bibliogr.: 11 ref.

  58. Svitashev K.K. Semiconductor multielement photodetector arrays for thermal imaging / K.K.Svitashev, S.I.Chikichev // Optoelectronics Instrumentation and Data Processing. - 1998. - N 4. - P.3-4.

  59. Молекулярно-лучевая эпитаксия CdxHg1-xTe / Ю.Г.Сидоров, А.П.Анциферов, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, А.С.Мардежов, Н.Н.Михайлов, К.К.Свиташев // Наука - производству. - 2001. - N 12. - С.3-8.

  60. Ржанов А.В. Полупроводниковая микроэлектроника и технический прогресс [pdf 680 Kb] / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // След на земле. Солдат, Ученый, Учитель / ответственный редактор И.Г.Неизвестный. - Новосибирск: Наука, 2002. - С.366-380. - Библиогр.: 21 назв.
      Перепечатка одноименного материала из журнала «Микроэлектроника». - 1982. - Т.11, вып.6. - С.499-511.

  61. Эллипсометрические методы контроля в микроэлектронике / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов // След на земле. Солдат, Ученый, Учитель / ответственный редактор И.Г.Неизвестный. - Новосибирск: Наука, 2002. - С.327-349. - Библиогр.: 69 назв.

  62. Молекулярно-лучевая эпитаксия CdxHg1-xTe / Ю.Г.Сидоров, А.П.Анциферов, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, А.С.Мардежов, Н.Н.Михайлов, К.К.Свиташев // Инженер. Технолог. Рабочий. - 2003. - N 10. - С.18-22.

  63. Инфракрасные фотоприемники на основе оптимизированных гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия и ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д.В.Брунев, В.С.Варавин, В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, И.В.Марчишин, Н.Н.Михайлов, И.О.Парм, А.В.Предеин, И.В.Сабинина, А.О.Сусляков, Г.Ю.Сидоров, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев, К.К.Свиташев, В.Н.Овсюк, А.Л.Асеев // Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (1964-2014). - Новосибирск, 2014. - С.401-425.

  64. Молекулярно-лучевая эпитаксия CdxHg1-xTe / Ю.Г.Сидоров, А.П.Анциферов, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, М.В.Якушев, И.В.Сабинина, В.Г.Ремесник, Д.Г.Икусов, И.Н.Ужаков, Г.Ю.Сидоров, В.Д.Кузьмин, С.В.Рыхлицкий, В.А.Швец, А.С.Мардежов, Е.В.Спесивцев, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев, К.К.Свиташев // Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (1964-2014). - Новосибирск, 2014. - С.301-328.
 
1978-1986 гг.НазадНазад
К началу спискаК началу1959-1977 гг.
 * Записи, помеченные "звездочкой", не удалось
просмотреть de visu  
 

Научные школы ННЦ К.К.Свиташев | Литература о жизни и деятельностиПодготовили Зоя Вахрамеева и Сергей Канн  
  

[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2024 Отделение ГПНТБ СО РАН
Документ изменен: Thu Dec 9 15:14:33 2021. Размер: 36,612 bytes.
Посещение N 5445 с 13.02.2007