- Ржанов А.В. Пьезоэффект титана бария / Ржанов А.В. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1949. - Т.19, N 6. - С.502-506. - Библиогр.: 4 назв.
- Ржанов А.В. Спонтанная поляризация поликристаллических образцов титана бария / Ржанов А.В. // Журнал экспериментальной и теоретической физики - 1949. - Т.19, N 4. - С.334-345. - Библиогр.: 6 назв.
- Ржанов А.В. Титанат бария - новый сегнетоэлектрик [pdf 2 Mb] / Ржанов А.В. // Успехи физических наук. - 1949. - Т.38, N 4. - С.461-489. - Библиогр.: 35 назв.
- Ржанов А.В. Кристаллические усилители / Ржанов А.В. // Кристаллические детекторы. - М.: Советское радио, 1950. - С.280-311. - Библиогр.: 16 назв.
- Ржанов А.В. Современные взгляды на природу выпрямления кристаллических детекторов / Ржанов А.В. // Кристаллические детекторы. - М.: Советское радио, 1950. - С.253-280. - Библиогр.: 38 назв.
- Ред.: Полупроводниковые электронные приборы. Некоторые вопросы физики и техники германиевых диодов и триодов: сборник переводов / под ред. Ржанова А.В. - M., 1953. - 260 с.
- Ржанов А.В. Влияние рекомбинации на контакте на вольтамперную характеристику выпрямителя / Ржанов А.В. // Доклады Академии наук СССР. - 1954. - Т.98, вып.3. - C.389-393. - Библиогр.: 4 назв.
- Ржанов А.В. Зависимость времени жизни избыточных носителей зарядов от концентрации равновесных носителей зарядов / Ржанов А.В., Парамонова Р. // Журнал технической физики. - 1955. - Т.25, N 7. - C.1342-1344. - Библиогр.: 2 назв.
- Ржанов А.В. Полупроводники и их применение / Ржанов А.В. // Труд. - 1955. - 16 нояб.
- Ржанов А.В. Влияние примесей на время жизни избыточных носителей зарядов в германии / Ржанов А.В. // Журнал технической физики. - 1956. - Т.26, вып.7. - С.1389-1393. - Библиогр.: 9 назв.
- Ржанов А.В. Исследование поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации в образцах германия / Ржанов А.В., Неизвестный И.Г., Росляков В.В. // Журнал технической физики. - 1956. - Т.26, вып.10. - C.2142-2153. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. О соотношении поверхностной и объемной рекомбинации в кремниевых триодах с вплавленными электронно-дырочными переходами / Ржанов А.В. // Журнал технической физики. - 1956. - Т.26, вып.1. - С.239-240. - Библиогр.: 4 назв.
- Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация и ее влияние на характеристики полупроводниковых приборов / Ржанов А.В. // Радиотехника и электроника. - 1956. - Т.1, N 8. - С.1086-1092. - Библиогр.: 6 назв.
- Rzhanov A.V. Influence of Impurities on Lifetime of Excess Charge Carriers in Germanium / Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Technical Physics. - 1956. - Vol.1, N 7. - 1360-1364.
- Rzhanov A.V. Surface Conductivity and Surface Recombination in Germanium Specimens / Rzhanov A.V., Neizvestnyi I.G., Rosliakov V.V. // Soviet physics -Technical physics. - 1956. - Vol.1, N 10. - P.2081-2090.
- Rzhanov A.V. The Relationship of Surface and Volume Recombination in Germanium Triodes with Fused-in Electron-Hole Transitions / Rzhanov A.V. // Soviet physics - Technical physics. - 1956. - Vol.1, N 1. - P.235-236.
- Ред.: Электрофизические свойства германия и кремния: сб. переводов / под ред. Ржанова А.В. - М.: Сов. радио, 1956. - 391 c.
- Ржанов А.В. Влияние примесей на время жизни избыточных носителей зарядов в германии / Ржанов А.В. // Вопросы металлургии и физики полуроводников. - М.: Изд-во АН СССР, 1957. - С.133-137. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. Иccледование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в образцах германия / Ржанов А.В., Новотоцкий-Власов Ю.Ф., Неизвестный И.Г. // Журнал технической физики. - 1957. - Т.27, вып.11. - C.2440-2450. - Библиогр.: 10 назв.
- Ржанов А.В. Создатели "транзистора": к присуждению нобелевской премии 1956 по физике американским ученым В.Шекли, Дж.Бардину и В.Браттейну / Ржанов А.В. // Природа. - 1957. - N 3. - C.49-50.
- Rzhanov A.V. Investigation of the Field Effect and of Surface Recombination in Samples of Germanium / Rzhanov A.V., Novototskii-Vlasov Y.F., Neizvestny I.G. // Soviet physics - Technical physics. - 1957. - Vol.2, N 11. - P.2274-2282.
- Ржанов А.В. Исследование энергетических положений и эффективных сечений захвата поверхностных рекомбинационных уровней в германии / Ржанов А.В., Павлов Н.М., Селезнева М.А. // Журнал технической физики. - 1958. - Т.28, вып.12. - С.2645-2656. - Библиогр.: 10 назв.
- Ржанов А.В. Курсы интернациональной физической школы в Италии // Вестник Академии наук СССР. - 1958. - N 2. - C.87-88.
- Курсы интернациональной физической школы при Итальянском физическом обществе. Заметки слушателя о работе летних курсов 1957 г.
- Ржанов А.В. О применимости метода измерения скорости поверхностной рекомбинации по изменению сопротивления полупроводника в магнитном поле / Ржанов А.В., Архипова И.А., Бидуля В.Н. // Журнал технической физики. - 1958. - Т.28, вып.5. - С.1051-1052. - Библиогр.: 5 назв.
- Rzhanov A.V. Investigation of Energy Positions and Effective Capture Cross Sections of Surface Recombination Levels in Germanium / Rzhanov A.V., Pavlov N.M., Selezneva M.A. // Soviet physics - Technical physics. - 1958. - Vol.3, N 12. - P.2419-2430.
- Rzhanov A.V. Applicability of the Method of Measuring the Rate of Surface Recombination from the Change in Resistance of a Semiconductor in a Magnetic Field / Rzhanov A.V., Arkhipova I.A., Bidulia V.N. // Soviet physics - Technical physics. - 1958. - Vol.3, N 5. - С. 978-979.
- Ржанов А.В. К вопросу о природе поверхностных центров рекомбинации на германии / Ржанов А.В., Новотоцкий-Власов Ю.Ф., Неизвестный И.Г. // Физика твердого тела. - 1959. - Т.1, N 9. - C.1471-1474. - Библиогр.: 4 назв.
- Ржанов А.В. О корелляции между отношением сечений захвата и энергическим положением уровня поверхностных центров рекомбинации в германии / Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1959. - Т.1, N 3. - С.522-524. - Библиогр.: 5 назв.
- Ржанов А.В. Отчет о командировке в Англию / Ржанов А.В., Спицын А.В.; Академия наук СССР. Всесоюзный институт научной и технической информации. - Москва: ВИНИТИ, 1959. - 12 с.
- Rzhanov A.V. On the Correlation Between the Capture Cross Section Ratio and The Energy Level Position of Surface Recombination Centers in Germanium / Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Solid State. - 1959. - Vol.1, N 3. - P.469-470.
- Ржанов А.В. Ежегодная конференция по физической электронике // Вестник Академии наук СССР. - 1960. - N 7. - C.84.
- Ржанов А.В. Конференция по физике полупроводников (Прага, авг-сент., 1960 г.) // Вестник Академии наук СССР. - 1960. - N 12. - C.46-48.
- Ржанов А.В. О применимости метода стационарной фотопроводимости для исследования зависимости скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала / Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1960. - Т.2, N 10. - С.2431-2438. - Библиогр.: 12 назв.
- Rzhanov A.V. On the Nature of Surface Recombination Centers in Germanium / Rzhanov A.V., Novototsky-Vlasov Yu.F., Neizvestny I.G. // Soviet Physics - Solid State. - 1960. - Vol.1, N 9. - P.1349-1351.
- Ржанов А.В. Исследование некоторых электронных процессов на поверхности германия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Ржанов А.В.; Объединенный ученый совет институтов математики физики полупроводников и металлофизики Акад. наук УССР. - Киев, 1961. - 19 с.
- Ржанов А.В. К вопосу о теории поверхностной рекомбинации в полупроводниках / Ржанов А.В., Неизвестный И.Г., Новотоцкий-Власов Ю.Ф. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 12. - С.3698-3705. - Библиогр.: 16 назв.
- Ржанов А.В. О влиянии адсорбции молекул на германии на параметры поверхностных центров рекомбинации / Ржанов А.В., Неизвестный И.Г. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 11. - С.3317-3323. - Библиогр.: 6 назв.
- Ржанов А.В. О поверхностных уровнях на германии по данным фотопроводимости в инфракрасной области спектра / Ржанов А.В., Плотников А.Ф. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 5. - С.1557-1560. - Библиогр.: 14 назв.
- Ржанов А.В. О природе поверхностных центров рекомбинации на германии / Ржанов А.В., Новотоцкий-Власов Ю.Ф., Неизвестный И.Г. // Физика твердого тела. - 1961.- Т.3, N 3. - C.822-831. - Библиогр.: 13 назв.
- Ржанов А.В. О температурной зависимости параметров поверхностных центров рекомбинации в германии / Ржанов А.В., Павлов Н.М., Селезнева М.А. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 3. - С.832-840. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. Об изменении поверхностного заряда на германии при прогревах образцов в вакууме / Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 6. - С.1718-1722.- Библиогр.: 12 назв.
- Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация в германии при повышенных уровнях инъекции / Ржанов А.В., Архипова И.А. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 7. - С.1954-1956. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. Статистика рекомбинации при захвате носителей заряда возбужденными состояниями центра рекомбинации / Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 12. - С.3691-3697. - Библиогр.: 7 назв.
- Ržhanov A.V. A Study of the surface Properties of germanium / Ržhanov A.V., Novotockij-Vlasov J.F., Neizvestnyj I.G., Galkina T.I., Pokrovskaya S.V. // International Conference On Semiconductor Physics, Proceedings, Prague, 1960. - New York: Academic Press, 1961. - P.503-506.
- Rzhanov A.V. On the Nature of Surface Recombination Centers in Germanium / Rzhanov A.V., I. G. Neizvestny, Novototsky-Vlasov Yu.F. // Soviet Physics - Solid State. - 1961. - Vol.3, N 3. - P.600-606.
- Rzhanov A.V. Temperature Dependence of Parameters of Surface Centers of Recombination in Germanium / Rzhanov A.V., Pavlov N.M., Selezneva M.A. // Soviet Physics - Solid State. - 1961. - Vol.3, N 3. - P.607-612.
- Rzhanov A.V. Surface Charge Variations on Germanium Induced by Heating in Vacuum / Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Solid State. - 1961. - Vol.3, N 6. - P.1245-1248.
- Rzhanov A.V. Surface Levels in Germanium from Photoconductivity Data in The Infrared Spectral Region / Rzhanov A.V., Plotnikov A.F. // Soviet Physics - Solid State. - 1961. - Vol.3, N 5. - P.1130-1132.
- Rzhanov A.V. The Applicability of a Steady-State Photoconductivity Method to Investigation of the Dependence of Surface-Recombination Velocity on The Surface Potential / Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Solid State. - 1961. - Vol.2, N 10. - P.2166-2172.
- Гуро А.В. Кинетика неравновесной проводимости при высоких уровнях генерации / Гуро А.В., Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 12. - С.3441-3445. - Библиогр.: 5 назв.
- Парамонова Р.А. Исследование объемной рекомбинации в кристаллах германия с примесью меди / Парамонова Р.А., Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 7.- С.1820-1825. - Библиогр.: 13 назв.
- Ржанов А.В. Исследование некоторых электронных процессов на реальной поверхности германия / Ржанов А.В. // Поверхностные свойства полупроводников. - М., 1962. - С.101-114. - Библиогр.: 16 назв.
- Ржанов А.В. Отчет о командировке в США для участия в работе 22-й Национальной конференции Массачусетского технологического института по физической электронике / Ржанов А.В., Чернов З.С., Степанов С.А.; Акад. наук СССР, Всесоюзный Институт научной и технической информации. - Москва: [б. и.], 1962. - 15 с.
- Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация и захват посредством непрерывного спектра поверхностных уровней / Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 5. - С.1279-1284. - Библиогр.: 7 назв.
- Ржанов А.В. Рекомбинация на поверхности германия, адсорбировавшей большое количество воды / Ржанов А.В., Архипова И.А. // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 5. - С.1274-1278. - Библиогр.: 10 назв.
- Rzhanov A.V. Concerning the Effect on the Parameters of Surface Recombination Centers of Molecular Adsorption by Germanium / Rzhanov A.V., Neizvestny I.G. // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.3, N 11. - P.2408-2412.
- Rzhanov A.V. Recombination at a Germanium Surface with a large Amount of Adsorbed Water / Rzhanov A.V., Arkhipova L.A. // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.4, N 5. - P.934-936.
- Rzhanov A.V. Recombination Statistics for Carrier Trapping by Excited States of Recombination Centers / A. V. Rzhanov // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.3, N 12. - P.2680-2683.
- Rzhanov A.V. Surface recombination in germanium at high injection levels / Rzhanov A.V., I. A. Arkhipova // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.3, N 7. - P.1424-1427.
- Rzhanov A.V. Surface Recombination and Trapping by a Continuous Spectrum of Surface / Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.4, N 5. - P.937-940.
- Rzhanov A.V. The Theory of Surface Recombination in Semiconductors / Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.3, N 12. - P.2684-2689.
- Ржанов А.В. Исследование некоторых электронных процессов на поверхности германия (по материалам диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук) / Ржанов А.В. // Исследования полупроводников и диэлектриков. - Москва: Издательство АН СССР, 1963. - С.3-123. - (Труды физического института имени П.И.Лебедева; Том ХХ).
- Guro A.V. Kinetics of Excess Carrier Conductivity at High Generation Lewels / Guro A.V., Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Solid State. - 1963. - Vol.4, N 12. - P.2519-2521.
- Rzhanov A.V. Bulk Recombination in Copper-Doped Germanium Crystal / Paramonova R.A., Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Solid State. - 1963. - Vol.4, N 7. - P.1335-1339.
- Ржанов А.В. План или доверие (проблемы развития советской науки) / Ржанов А.В. // Известия. - 1964. - 5 апр. - С.2.
- Novototsky-Vlasov Yu.F. The origin of recombination centers on the real germanium surface / Novototsky-Vlasov Yu.F., Rzhanov A.V. // Surface Science. - 1964. - Vol.2. - P.93-100. - Bibliogr.: 6 ref.
- Rzhanov A.V. Investigation of some electron processes on a real surface of germanium (Surface recombination and carrier capture centers on real surface of germanium subjected to various surface treatments) / Rzhanov A.V. // Surface properties of semiconductors: proceedings of the conference on the surface properties of semiconductors. - New York: Consultants bureau, 1964. - P.70-78. - (The Lebedev Physics Institute Series; Vol.48). - Bibliogr.: 16 ref.
- Кравченко А.Ф. Продольный эффект Холла в кубических кристаллах / Кравченко А.Ф., Ржанов А.В., Сардарян В.С. // Доклады Академии наук СССР. - 1965. - Т.164, вып.5. - C.1016-1018. - Библиогр.: 5 назв.
- Иccледование поверхностной фотопроводимости германия / Ржанов А.В.,Свиташев К.К., Филатова Е.С., Шепель В.М. // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 3. - С.758-766. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. О влиянии захвата неравновесных носителей заряда поверхностными дефектами на спектр собственной фотопроводимости тонкого образца германия / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Шепель В.М. // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 6. - С.1955-1957. - Библиогр.: 3 назв.
- Ржанов А.В. План или доверие (проблемы развития сов. науки) // Известия. - 1964. - 5 апр. - С.2.
- Ржанов А.В. Спектры гашения фотопроводимости тонкого образца германия при 77 ° К / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Шепель В.М. // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 9. - С.2777-2779. - Библиогр.: 5 назв.
- Rzhanov A.V. Influence of Nonequilibrium-Charge-Carrier Capture by Surface Defects on Intrinsic-Photoconductivity Spectrum of a Thin Germanium Sample / Rzhanov A.V., K. K. Svitashev, V. M. Shepel // Soviet Physics - Solid State. - 1966. - Vol.8, N 6. - P.1552-1554.
- Investigation of the surface photoconductivity of germanium (Surface photoconductivity dependence on thermal and spectral state and time lag of germanium) / Rzhanov A.V., Svitashev K.K., Filatova E.S., Shepel V.M. // Soviet Physics - Solid State. - 1966. - Vol.8, N 3. - P.607-613. - Bibliogr.: 8 ref.
- Kravchenko A.F. Longitudinal Hall effect in cubic crystals / Kravchenko A.F., Rzhanov A.V., Sardarian V.S. // Soviet Physics-doklady. - 1966. - Vol.10, N 5. - P.946-948. - Bibliogr.: 5 ref.
- Васильева Л.Л. Исследования сульфидированной поверхности германия / Васильева Л.Л., Покровская С.В., Ржанов А.В. // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.18-21. - Библиогр.: 6 назв.
- Неизвестный И.Г. Исследования влияния прогревов в вакууме на электрофизические параметры поверхности германия / Неизвестный И.Г., Луцевич Л.В., Ржанов А.В. // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.97-101. - Библиогр.: 5 назв.
- Ржанов А.В. Измерение Фотоэдс Холла на тонких образцах германия / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Панькин В.Г. // Физика и техника полупроводников. - 1967. - Т.1, вып.4. - С.526-534. - Библиогр.: 17 назв.
- Ржанов А.В. О роли рекомбинационного процесса в приповерхностной области пространственного заряда полупроводника / Ржанов А.В., Ковалевская Т.И. // Физика и техника полупроводников. - 1967. - Т.1, вып.11. - С.1724-1727. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. Физики выращивают монокристаллы / Ржанов А., Синица С. // Наука и техника. - 1967. - N 1. - С.18.
- Ржанов А.В. Электрофизические свойства эпитаксиальных переходов Ga-As-Ge / Ржанов А.В., Марончук И.Е., Шумский В.Н. // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.224-229. - Библиогр.: 8 назв.
- Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных переходов Ga-As-Ge / Ржанов А.В., Лисенкер Б.С., Марончук И.Е., Марончук Ю.Е., Шумский В.Н. // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.219-223. - Библиогр.: 9 назв.
- Rzhanov A.V. Measurements of the Hall photo-EMF in thin samples of germanium / Rzhanov A.V., Svitashev K.K., Pankin V.G. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1967. - Vol.1, N 4. - P.437-443, - Bibliogr.: 17 ref.
- Rzhanov A.V. Photoconductivity quenching spectra of a thin sample of germanium at 77 c / Rzhanov A.V., Svitashev K.K., Shepel V.M. // Soviet Physics - Solid State. - 1967. - Vol.8, N 9. - P.2216-2218. - Bibliogr.: 5 ref.
- Ред.: Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск, 1967. - 240 c.
- Ред.: Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников: труды симпозиума / отв. ред. Ржанов А.В.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1967. - 240 c.
- Оcобенности кристаллизации монокристаллических слоев германия из жидкой фазы на неориентирующих подложках / Ржанов А.В., Клименко Э.А., Клименко А.Г., Строителев С.А. // Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. Ч.1. - Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1968. - Т.1, вып.2. - С.506-515. - Библиогр.: 17 назв.
- Ржанов А.В. Духовная зарядка ученого: рядом с интересным собеседником / Беседу вела О.Александрова // Советская культура. - 1968. - 31 авг. (N 103).
- Ржанов А.В. Исследование поверхности Fe с помощью спектроскопии полного внутреннего отражения. I. / Ржанов А.В., Синюков М.П. // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Т.2, вып.4. - С.504-513. - Библиогр.: 14 назв.
- Ржанов А.В. Исследование поверхности Fe с помощью спектроскопии полного внутреннего отражения. II. / Ржанов А.В., Синюков М.П. // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Т.2, вып.4. - С.514-518. - Библиогр.: 7 назв.
- Ржанов А.В. Отчет о командировке в США для посещения научных центров и участия в работе Гордоновской конференции по химии и металлургии полупроводников (Эндовер, Нью-Хэмпшир 17-21 июля 1967 г.) / Член-корреспондент АН СССР Ржанов А.В.; Академия наук СССР. Всесоюзный институт научной и технической информации. - Москва: ВИНИТИ, 1968. - 21 с.
- Ржанов А.В. Перспективы использования эпитаксиальной технологии арсенида галлия для создания интегральных монокристаллических микросхем / Ржанов А.В., Марончук Ю.Е. // Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. Ч.1. - Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1968. - С.63-78. - Библиогр.: 17 назв.
- Ржанов А.В. Применение фотомагнитного эффекта для изучения объемной поверхностной рекомбинации в монокристаллических слоях германия на сапфире / Ржанов А.В., Клименко А.Г., Клименко Э.А.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 1968. - 15 c.
- Ржанов А.В. Спектр примесей поверхностной фотопроводимости тонкого образца германия п-типа / Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Т.2, вып.5. - С.739-741. - Библиогр.: 7 назв.
- Ржанов А.В. Эпитаксиальные слои арсенида галлия с высокой подвижностью электронов / Ржанов А.В., Лисенкер Б.С., Марончук И.Е. Марончук Ю.Е., Шерстяков А.П. // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Т.2, вып.5. - С.714-720. - Библиогр.: 12 назв.
- Epitaxial gallium arsenide films with a high electron mobility // Rzhanov A.V., Lisenker B.S., Maronchuk I.E, Maronchuk Iu.E. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1968. - Vol.2, N 5, - P.593-597. - Bibliogr.: 12 ref.
- Kovalevskaia T.I. Role of recombination process in the surface space charge region of a semiconductor / Kovalevskaia T.I., Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1968. - Vol.1, N 11. - P.1428-1431. - Bibliogr.: 8 ref.
- Rzhanov A.V. Extrinsic surface photoconductivity spectrum of a thin n-type germanium sample Rzhanov A.V., Svitashev K.K. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1968. - Vol.2, N 5, - P.613-614. - Bibliogr.: 7 ref.
- Rzhanov A.V. Investigation of the surface of Ge by total internal reflection spectroscopy Pt.1 / Rzhanov A.V., Sinyukov M.P. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1968. - Vol.2, N 4. - P.416-423. - Bibliogr.: 14 ref.
- Rzhanov A.V. Investigation of the surface of Ge by total internal reflection spectroscopy Pt.2 / Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1968. - Vol.2, N 4. - P.424-427. - Bibliogr.: 7 ref.
|
