Навигация
 
 
Свиташев К.К.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды



Научные школы ННЦ
ЧЛ.-КОР. РАН КОНСТАНТИН КОНСТАНТИНОВИЧ СВИТАШЕВ*
 

Член-корреспондент РАН Константин Константинович Свиташев (1936-1999) - выдающийся ученый и организатор науки, крупнейший специалист в области микроэлектроники, директор Объединенного института физики полупроводников, заместитель председателя СО РАН.

Константин Константинович Свиташев являлся крупнейшим специалистом в области микрофотоэлектроники, электронных и физико-химических процессов на поверхности и границах раздела полупроводниковых структур, а также в теории и практическом использовании метода оптической эллипсометрии для исследования свойств поверхности твердых тел и контроля технологических процессов в производстве полупроводниковых приборов. Созданная К.К.Свиташевым научная школа по поляризационной отражательной эллипсометрии заслужила признание не только в России и странах СНГ, но и за рубежом.

В Институте физики полупроводников он прошел все ступени - от аспиранта, младшего научного сотрудника, старшего научного сотрудника, заведующего лабораторией, заместителя директора - до генерального директора Объединенного института физики полупроводников.

Возглавляемый им в течение многих лет Институт физики полупроводников занимает ведущие позиции в стране и в мире в области элементной базы и технологий микро- и наноэлектроники. Во многом это заслуга Константина Константиновича, который глубоко понимал мировые тенденции развития микроэлектроники и правильно определял приоритеты в работе научных коллективов.

Под руководством К.К.Свиташева был разработан ряд приборов - эллипсометров для контроля и измерения оптических свойств тонких пленок с точностью до одного монослоя, значительно развита теория эллипсометрии. В Институте выполнена крупная программа, в результате которой созданы базовые технологии получения новых материалов для инфракрасной техники, создан ряд линейчатых и матричных приемников ИК-диапазона, электронно-оптических преобразователей и систем на их основе.

Будучи с 1991 года заместителем председателя Сибирского отделения РАН, К.К.Свиташев осуществлял руководство прикладными и оборонными исследованиями в Отделении. Круг его забот был чрезвычайно широк - он координировал опытно-конструкторскую и производственную деятельность Отделения, работы по практическому использованию научных разработок институтов, научно-технические связи учреждений Отделения с министерствами, ведомствами, промышленными предприятиями, руководил инновационной деятельностью в Отделении, научно-технической и коммерческой пропагандой разработок Отделения, возглавлял Совет по выставкам. В последние годы под его руководством в СО РАН и непосредственно в Институте физики полупроводников решается важнейшая для России проблема - создание технологии получения сверхчистого монокристаллического кремния - основы микро- и наноэлектроники двадцать первого века.

*Источник:Константин Константинович Свиташев // Наука в Сибири. - 1999. - N 8. - С.2.
 
Чл.-кор. РАН К.К.Свиташев
 
Научные школы ННЦ К.К.СвиташевПодготовили Зоя Вахрамеева, Ирина Курбангалеева и Сергей Канн  
 

[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2017 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика

Документ изменен: Wed Feb 4 12:02:38 2015. Размер: 7,079 bytes.
Посещение N 2152 с 13.02.2007