Навигация
ОбложкаСинтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах / В.А.Гриценко [и др.]; отв. ред. А.Л.Асеев, В.А.Гриценко; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников им. А.В.Ржанова [и др.]. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2011. - 158 с. — (Интеграционные проекты СО РАН; вып. 31).
Оглавление книги
ВВЕДЕНИЕ ........................................................ 5

Глава 1  СИНТЕЗ И СТРОЕНИЕ high-k-ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ 
ОКСИДА ГАФНИЯ (Т.П. Смирнова, И.К. Игуменов, Н.Б. Морозова,
В.В. Каичев) .................................................... 9
1.1  MOCVD-метод формирования слоев диэлектриков с высокой
     диэлектрической константой на основе диоксида гафния ....... -
1.2  Требования к прекурсорам. Основные прекурсоры гафния, 
     используемые в процессах MOCVD ............................. -
1.3  Химия прекурсоров гафния(IV) и алюминия(III) .............. 12
1.4  Строение high-k-диэлектриков на основе оксида гафния ...... 21
Литература к главе 1 ........................................... 38

Глава 2  ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ВАКАНСИИ КИСЛОРОДА В high-k-
ДИЭЛЕКТРИКАХ (М.В. Иванов, Т.В. Перевалов, В.В. Каичев,
В.А. Гриценко) ................................................. 43
2.1  Электронная структура вакансии кислорода в А12O3 .......... 44
2.2  Электронная структура вакансии кислорода в НfО2 ........... 46
2.3  Электронная структура вакансии кислорода в ТiО2 ........... 47
2.4  Электронная структура вакансии кислорода в Та2О5 .......... 49
Литература к главе 2 ........................................... 51

Глава 3  ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ high-k-ДИЭЛЕКТРИКОВ
(А.А. Расторгуев, А.П. Елисеев, В.Н. Снытников, 
В.А. Пустоваров, В.О. Стояновский) ............................. 54
3.1  Фотолюминесценция собственных и примесных дефектов
     в аморфных пленках Al2О3/Si ............................... --
3.2  Фотолюминесценция в пленках Al2О3/Si при ее возбуждении
     ArF-лазером ............................................... 65
3.3  Спектры комбинационного рассеяния пленок Al2О3/Si ......... 67
3.4  Исследование электронной структуры пленок НfО2 ............ 77
3.5  Двойные оксиды (НfО2)1-x(Al2О3)x ........................... 85
Литература к главе 3 ........................................... 89

Глава 4  ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ОКСИДА, ОКСИНИТРИДА И НИТРИДА 
КРЕМНИЯ (С.С. Некрашевич, А.Н. Сорокин, А.А. Карпушин,
А.В. Шапошников, В.А. Гриценко) ................................ 93
4.1  Электронная структура оксида кремния ...................... --
4.2  Электронная структура оксинитрида кремния ................. 94
4.3  Электронная структура нестехиометрических оксидов и
     нитридов кремния .......................................... 99
Литература к главе 4 .......................................... 106

Глава 5 МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ
(В.А. Гриценко) ............................................... 107
5.1  Важность понимания механизмов переноса электронов и 
     дырок в диэлектриках кремниевых приборов ................. ---
5.2  Двузонная проводимость диэлектриков ...................... 112
5.3  Контактноограниченные механизмы инжекции электронов и
     дырок .................................................... 133
5.4  Объемноограниченные механизмы проводимости ............... 136
5.5  Монополярная электронная проводимость А12О3 .............. 140
5.6  Двузонная проводимость Si3N4.............................. 142
Литература к главе 5 .......................................... 145

Глава 6  ОПТИМИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ 
БЛОКИРУЮЩЕГО ДИЭЛЕКТРИКА В ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ, 
ОСНОВАННОЙ НА НИТРИДЕ КРЕМНИЯ (Ю.Н. Новиков, 
В.А. Гриценко, К.А. Насыров) .................................. 150
6.1  Модель ................................................... ---
6.2  Оптимизация блокирующего диэлектрика ..................... 152
Литература к главе 6 .......................................... 154

Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Аl2O3, НfО2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (НfО2)x(Al2О3)1-x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах: оксида SiO2, оксинитрида SiOxNy и нитрида Si3N4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой

Выпуски
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35
36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47                                              


[О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Библиография | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
  Пожелания и письма: www@prometeus.nsc.ru
© 1997-2017 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика
 

Документ изменен: Mon Apr 11 19:02:14 2016. Размер: 13,911 bytes.
Посещение N 2160 c 06.02.2012