- А.с. 384162 СССР, МПК6 H 01 L 21/314. Способ получения защитного диэлектрического покрытия на поверхности германия / Васильева Л.Л., Кантер Б.З., Репинский С.М., Свиташев К.К., Мисуркин О.Г., Осокин Ю.В., Михайлович Д.Л.; заявитель Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. - N 1672236; заявл. 23.06.71; опубл. 23.05.73, Бюл. N 24. - 2 с.
- Титульный лист [jpg 101,7K]
- А.с. 510057 СССР, МПК5 H 01 L 21/20. Способ получения слоев двуокиси кремния / Васильева Л.Л., Дроздов В.Н., Репинский С.М., Свиташев К.К.; заявитель Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. - N 2020938; заявл. 17.04.74; опубл. 25.06.77, Бюл. N 23. - 2 с.
- Титульный лист [jpg 97.3K]
- А.с. 868493 СССР, МПК5 G 01 N 21/40. Способ измерения оптической активности / Хасанов Т., Свиташев К.К.; заявитель Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. - N 2645607; заявл. 13.07.78; опубл. 30.09.81, Бюл. N 36. - 2 с.
- Титульный лист [jpg 94,8K]
- А.с. 1363935 A1 СССР, МПК5 G01J 4/04. Эллипсометр / Н.Н.Беккауер, Н.В.Загоруйко, Л.А.Осадчев, Свиташев К.К., А.А.Тищенко; заявитель Университет дружбы народов им. Патриса Лумумбы. - N 4025024/25; заявл. 21.10.85; опубл. 27.03.2000.
|
