Ученый, Учитель, Солдат - такими словами характеризовали жизненный путь и научную деятельность академика Анатолия Васильевича Ржанова (1920-2000 гг.) участники торжественного открытия памятника-надгробия на его могиле и мемориальной доски на главном здании Института физики полупроводников 1 ноября. Основатель и первый директор Института физики полупроводников академик А.Ржанов принадлежит к славной когорте основателей Сибирского отделения - ученых, приехавших в Сибирь в конце 50-х - начале 60-х годов. К этому времени за плечами А.Ржанова было участие в боевых действиях на фронтах Великой Отечественной под Ленинградом, отмеченное тяжелыми ранениями и боевыми наградами, аспирантура и защита кандидатской диссертации в знаменитом Физическом институте, успешная работа над созданием первого в стране полупроводникового транзистора по поручению С.Вавилова - директора ФИАН и Президента АН СССР.

Выступивший на церемонии председатель СО РАН академик Н.Добрецов особо отметил заслуги Анатолия Васильевича в создании научной школы по физике полупроводников, принесшей признание институту и нашедшей воплощение в многочисленных научных разработках. За время работы на посту заместителя председателя Отделения А.Ржанову удалось добиться заметного улучшения во взаимодействии науки с предприятиями электронной промышленности и приборостроительного комплекса страны и Сибирского региона. Жизнь А.Ржанова явилась ярким примером служения науке, обществу и Родине.

Ближайшие сотрудники А.Ржанова - член-корреспондент РАН И.Неизвестный и профессор Л.Смирнов охарактеризовали историю научного роста А.Ржанова как поистине героическую, когда после тяжелых ранений он нашел в себе силы самоотверженным научным трудом занять передовые позиции в науке. Огромная работа по исследованию поверхности полупроводников и границ раздела полупроводника с металлами, диэлектриками, вакуумом, газовыми средами, исследованию тонких пленок и гетероструктур, проведенная под руководством А.Ржанова, явилась залогом прошлых, сегодняшних и, будем надеяться, будущих успехов Института физики полупроводников. Для многих более молодых сотрудников работа под руководством А.Ржанова явилась прекрасной научной и жизненной школой. Памяти А.Ржанова посвящен выпуск журнала "Физика и техника полупроводников" (т.35, N 9, 2001), включающий статьи его коллег и учеников.

Директор Института физики полупроводников член-корреспондент РАН А.Асеев в своем выступлении отметил заслуги А.Ржанова в создании в Сибирском регионе крупного центра по физике полупроводников и полупроводниковой электронике, каким фактически является ИФП вместе с институтами Прикладной микроэлектроники и Сенсорной электроники, входящими в состав Объединенного института физики полупроводников. Продуманная система инженерного и технологического обеспечения научных работ, наличие целого ряда уникальных методов позволяет сотрудникам института на равных участвовать в российском и международном разделении труда в бурно развивающейся современной физике полупроводников и полупроводниковой технологии. Институт занимает передовые позиции в создании матричных фотоприемных устройств нового поколений, приборов ночного видения, технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, в исследовании квантовых эффектов и разработке устройств наноэлектроники, технологии кремниевых кристаллов и структур. Однако жизнь непрерывно ставит все новые и более сложные задачи, решение которых возможно благодаря созданному в институте под руководством академика А.Ржанова, его ближайших сотрудников и учеников мощному научно-техническому потенциалу.

Навсегда сохранится благодарная память об Анатолии Васильевиче Ржанове - Ученом, Учителе и Солдате.