Анатолий Васильевич родился в семье кадрового военного моряка, и его юность связана с Ленинградом. В 1941 году он успел окончить инженерно-физический факультет Ленинградского политехнического института, - в июне началась Великая Отечественная война. Анатолий Васильевич не мог оставаться равнодушным к судьбе Родины и добровольцем ушел на фронт.

По семейной традиции он сражался в рядах морской пехоты, защищая блокадный Ленинград. За мужество и героизм, проявленные на фронте, Анатолий Васильевич награжден боевыми орденами и медалями. В 1943 г. в одной из боевых операций он был тяжело ранен. Госпитали, операции, больничные койки... В этом же году он был демобилизован из армии. Но фронтовик не теряет мужества. Несмотря на критическое состояние здоровья, он поступает в аспирантуру Физического института Академии наук СССР, которую блестяще заканчивает в 1948 году. После защиты кандидатской диссертации, он продолжает работать в ФИАНе, которому отдал почти 20 лет жизни. В этом институте он прошел путь от аспиранта до доктора физико-математических наук, и здесь сложился как ученый и организатор научных исследований. В эти годы им был открыт пьезоэффект поляризованных керамических образцов титаната бария, что совершило настоящую революцию в использовании пьезоэффекта в гидролокации и других областях техники. Им был создан первый в СССР германиевый транзистор, разработаны физические основы его технологии и начат цикл фундаментальных исследований поверхностных свойств германия и кремния. Здесь же он нашел своего неизменного, верного и любящего спутника жизни - Елену Сергеевну. Здесь он выбрал путь "на всю оставшуюся жизнь".

В 1962 году Анатолий Васильевич по приглашению академика М.А.Лаврентьева переезжает в Новосибирск, в Сибирское отделение АН СССР, для организации Института физики полупроводников (первоначальное название - Институт физики твердого тела и полупроводниковой микроэлектроники).

Тематика работ института вначале была связана с исследованием электронных процессов на поверхности полупроводников и границ их раздела. Особенно плодотворными оказались исследования структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структур), которые, в зависимости от технологии, нашли применение не только в качестве нелинейных элементов, но и таких важнейших устройств микроэлектроники, как транзисторы или элементы памяти, не требующие энергии для ее хранения. Обобщением многолетних работ Анатолия Васильевича в области фундаментальных исследований поверхности полупроводников явилась его монография "Электронные процессы на поверхности полупроводников". Анализ тенденций развития науки, новые идеи, общение с коллегами побуждают Анатолия Васильевича к расширению круга исследований, созданию новых лабораторий. В институт приглашаются молодые талантливые ученые из многих городов Советского Союза. Институт быстро растет и становится ведущей академической организацией в широком спектре вопросов физики полупроводников с крепким фундаментом экспериментальных, прикладных и теоретических разработок, выдвинувших ИФП СО РАН на передний край науки.

Из новых научных задач, инициированных Анатолием Васильевичем и которые развились благодаря его поддержке в самостоятельные научные направления, отметим следующие три. Первая - это молекулярно-лучевая эпитаксия. Она позволяет, образно говоря, "складывать" атом к атому, молекулу к молекуле и создавать полупроводниковые структуры с заранее заданными уникальными свойствами, как для физических исследований, так и для самых разных практических применений. Но прежде, чем "сложить" надлежащим образом атомы или молекулы, необходимо было создать аппаратуру, которая позволяла бы не только наносить молекулы различных веществ на выбранную подложку, но и, что очень важно, контролировать параметры растущей пленки непосредственно в процессе роста. В результате были созданы первые промышленно-ориентированные отечественные установки молекулярно-лучевой эпитаксии - сначала "Ангара", затем "Катунь", сконструированные, изготовленные и полностью отлаженные в стенах института (и КТИ прикладной микроэлектроники). Это были первые отечественные установки столь высокого класса.

Вторая из упомянутых задач - эллипсометрия - базовый оптический метод контроля параметров диэлектрических и полупроводниковых пленок, позволяющий определять с уникальной точностью не только их толщину, плотность и показатель преломления, но и изучать кинетику роста и химических превращений в тонких слоях на поверхности полупроводников. Разработку теории метода эллипсометрии и изготовление первого советского эллипсометра "ЛЭФ-000" возглавил ученик Анатолия Васильевича, тогда молодой ученый, позже член-корреспондент РАН К.Свиташев.

В настоящее время эллипсометрия заняла прочное место и как инструмент для физических исследований, и как один из самых эффективных методов технологического контроля в производстве интегральных полупроводниковых приборов и в эпитаксиальных технологиях полупроводников.

Третья научно-прикладная задача, предложенная Анатолием Васильевичем, состояла в развитии исследований фотоэффекта и создании на этой основе специализированных фотоприемников. Эти работы сразу же сложились в отдельное научное направление, объединяющее несколько лабораторий. Достижения института в этой области неоспоримы: разработаны фотоприемники с уникальной чувствительностью для различных спектральных диапазонов; фотоприемники для инфракрасной области спектра; созданы высокочувствительные электронно-оптические преобразователи для приборов ночного видения и других применений; разработан матричный тепловизор, позволяющий регистрировать тепловое поле объекта с превосходным разрешением.

Крупнейшей заслугой Анатолия Васильевича Ржанова является создание коллектива ученых, способного выполнять глубокие фундаментальные и актуальные прикладные исследования. И, как подтверждение правильности выбранного пути, - высокие награды, полученные учеными института.

• 1984 г. -- Премия Совета министров за работы в области эллипсометрии (А.В.Ржанов, К.К.Свиташев и др.).
• 1984 г. -- Государственная премия за работы в области радиоэлектроники (С.В.Богданов, И.Б.Яковкин).
• 1988 г. -- Государственная премия за работы в области технологии полупроводников (Л.Н.Александров, А.В.Двуреченский, Г.А.Качурин, Л.С.Смирнов).
• 1993 г. -- Государственная премия за работы в области радиоэлектроники (И.Б.Яковкин).
• 1993 г. -- Государственная премия за работы в области молекулярно-лучевой эпитаксии (С.И.Стенин, О.П.Пчеляков, Г.А.Потемкин).
• 1995 г. -- Государственная премия за работы в области физики полупроводников. (И.Г.Неизвестный, В.Н.Шумский). И во всех этих работах есть прямое либо направляющее участие Анатолия Васильевича Ржанова.

Понимая, что наука может развиваться лишь тогда, когда в институт будут приходить молодые исследователи и перенимать опыт у старшего поколения, Анатолий Васильевич в свое время много сил отдавал воспитанию молодых ученых. Он не только руководил многочисленными аспирантами, но и организовал при Новосибирском государственном университете кафедру физики полупроводников. Долгое время он являлся ее бессменным руководителем. Многие выпускники этой кафедры, защитив кандидатские и докторские диссертации, в настоящее время возглавляют важные научные направления института.

Анатолий Васильевич Ржанов всегда умел успешно сочетать большую научную работу со значительной научно-организационной деятельностью. Долгое время он являлся заместителем Председателя Сибирского отделения РАН. Он был членом бюро Научного Совета по физике и химии полупроводников, главным редактором журнала "Микроэлектроника", председателем комиссии по электронной базе Комитета по вычислительной технике АН СССР. В течение многих лет он представлял СССР в Международном союзе по вакуумным исследованиям, технике и применениям.

Заслуги Анатолия Васильевича перед отечественной наукой отмечены высокими правительственными наградами. Он награжден орденом "Трудового Красного Знамени", орденом "Октябрьской Революции", орденом Ленина, орденом "За Заслуги перед Отечеством". Мы, от имени друзей и учеников юбиляра, желаем Анатолию Васильевичу (и его семье) долгих лет жизни, благополучия и здоровья.