88.
(11) Номер патента: 2176689
(46) Дата публикации: 10.12.2001
(51) МПК7: C 30 B 15/26
(21) Номер заявки: 98111901/12
(22) Дата подачи заявки: 16.06.1998
(71) Заявитель: Кузнецов Семен Александрович, Зюбин Владимир Евгеньевич, Булавский Дмитрий Владимирович
(72) Изобретатель: Кузнецов С.А., Зюбин В.Е., Булавский Д.В.
(73) Патентообладатель: Институт автоматики и электрометрии СО РАН
(98) Адрес для переписки: 630090, г.Новосибирск, пр-т акад. Коптюга, 1, ИАиЭ СО РАН, С.Т.Васькову
(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ДИАМЕТРА КРИСТАЛЛА В РОСТОВОЙ УСТАНОВКЕ
(57) Изобретение относится к области выращивания кристаллов в ростовых установках. Сущность изобретения: посредством измерителя, установленного под углом к расплаву, определяют положение границы между кристаллом и расплавом. При этом одновременно определяют положение границы между кристаллом и расплавом посредством другого идентичного измерителя, установленного в плоскости, проходящей через ось вращения кристалла и ось измерителя, и на основе полученных данных рассчитывают диаметр кристалла и уровень расплава. Изобретение позволяет повысить надежность и точность измерения диаметра кристалла, а также одновременно определять и уровень расплава. 1 ил.
|
|
