86.
(11) Номер патента: 2164561
(46) Дата публикации: 27.03.2001
(51) МПК7: C 30 B 15/14
(21) Номер заявки: 2000102158/12
(22) Дата подачи заявки: 26.01.2000
(71) Заявитель: Институт минералогии и петрографии СО РАН
(72) Изобретатель: Кох А.Е., Кох В.Е., Кононова Н.Г.
(73) Патентообладатель: Институт минералогии и петрографии СО РАН
(98) Адрес для переписки: 630090, г.Новосибирск 90, пр-т Ак. Коптюга 3, ИМиП СО РАН
(54) СПОСОБ ГОМОГЕНИЗАЦИИ РАСТВОР-РАСПЛАВОВ ИЛИ РАСПЛАВОВ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ
(57) Изобретение относится к выращиванию монокристаллов, в частности к стадии предподготовки раствор-расплавов или расплавов, т.е. их гомогенизации, предшествующей росту кристалла. Для решения поставленной задачи осуществляют перемешивание раствор-расплавов или расплавов путем создания управляемого теплового поля в тигле, содержащем расплав или раствор-расплав. При этом используют нагревательную печь с вертикальным расположением нагревательных элементов, разделенных на секции, и осуществляют последовательное отключение нагрева секций печи с интервалом, обеспечивающим последовательное смещение центра схождения конвективных потоков, возникающих в расплаве или раствор-расплаве, от центра к стенкам тигля. 3 ил.
|
|
