84.
(11) Номер патента: 2165481
(46) Дата публикации: 20.04.2001
(51) МПК7: C 25 B 1/00
(21) Номер заявки: 99110763/12
(22) Дата подачи заявки: 25.05.1999
(71) Заявитель: Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, Яковлев Юрий Игоревич, Романов Сергей Иванович
(72) Изобретатель: Яковлев Ю.И., Романов С.И., Кириенко В.В.
(73) Патентообладатель: Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, Яковлев Юрий Игоревич, Романов Сергей Иванович
(98) Адрес для переписки: 630090, г.Новосибирск, пр. акад. Лаврентьева 13, ИФП СО РАН
(54) СПОСОБ ОКИСЛЕНИЯ КРЕМНИЯ
(57) Изобретение относится к электронной технике преимущественно микро- и наноэлектронике, и может быть использовано в производстве интегральных схем с квантово-размерными гетероэпитаксиальными структурами на изолирующих подложках. Способ окисления кремния основан на анодной поляризации кремния в растворах электролитов. В качестве окислителей используют растворы электролитов в легких гомофункциональных кетонах. Способ обеспечивает следующие преимущества: расширение номенклатуры изделий электронной техники за счет привлечения квантово-размерных полупроводниковых структур, не выдерживающих термических обработок; увеличение электрической изоляции в структурах кремний-на-изоляторе за счет создания высококачественных скрытых окисных слоев; получение податливых изолированных подложек кремния для гетероэпитаксиального роста полупроводниковых материалов. 3 ил.
|
|
