152.
(11) Номер патента: 2164719
(46) Дата публикации: 27.03.2001
(51) МПК7: H 01 L 21/324
(21) Номер заявки: 99120527/28
(22) Дата подачи заявки: 28.09.1999
(71) Заявитель: Институт физики полупроводников СО РАН, Попов Владимир Павлович, Антонова Ирина Вениаминовна, Стась Владимир Федосеевич, Миронова Людмила Владимировна
(72) Изобретатель: Попов В.П., Антонова И.В., Стась В.Ф., Миронова Л.В.
(73) Патентообладатель: Институт физики полупроводников СО РАН, Попов Владимир Павлович, Антонова Ирина Вениаминовна, Стась Владимир Федосеевич, Миронова Людмила Владимировна
(98) Адрес для переписки: 630090, г.Новосибирск, пр. Ак.Лаврентьева 13, ИФП СО РАН
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ
(57) Использование: полупроводниковая технология, создание структур кремний-на-изоляторе для производства современных сверхбольших интегральных схем и других изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе состоит в имплантации водорода в интервале доз 2,5·1016 - 5·1016 см-2 в первую пластину кремния через тонкий защитный слой окисла толщиной 20-50 нм с последующим удалением его после облучения, окислении второй пластины до подготовки пластин к соединению, химической обработке облученной и второй пластины кремния, их соединении, последующей термообработке для сращивания пластин и расслоения облученной пластины при температурах 150-250°С в течение 1-2 ч и 350-450°С в течение 0,5-2 ч, высокотемпературной термообработке при 1100°С в течение 0,5-1 ч, улучшающей ряд свойств структуры, и удалении приповерхностного нарушенного слоя кремния. Техническим результатом изобретения является улучшение свойств границы раздела Si/SiO2 в структурах, а также снижение радиационно-термического воздействия, необходимого для создания структур кремний-на-изоляторе, что, в свою очередь, приведет к уменьшению стоимости структур. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
|
