98.
(11) 2139957
(46) 20.10.1999
(51) 6 C 30 B 29/22, 9/04
(21) 98109637/12
(22) 22.05.1998
(71) Институт минералогии и петрографии СО РАН
(72) Кох А.Е., Гец В.А., Кононова Н.Г., Ильина О.С., Семиколенова Г.В.
(73) Институт минералогии и петрографии СО РАН
(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА β-BaB
(57) Изобретение относится к получению монокристалла β-BaB2O4(ВBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения. Способ включает выращивание в системе ВаО - B2O3 - Na2O, из раствора-расплава, состав которого определен областью ABCD-A'B'C'D', со следующими координатами точек, мольные доли: A: BaO 0,54; B2O3 0,39; Nа2O 0,07; В: ВаO 0,41; B2O3 0,41; Nа2O 0,18; С: ВаO 0,36; В2O3 0,46; Nа2O 0,18; D: ВаO 0,25; B2O3 0,50; Nа2O 0,25; A': ВаО 0,53; B2O3 0,42; Nа2O 0,05; В': ВаO 0,445; B2O3 0,445; Nа2O 0,11; C': BaO 0,40; B2O3 0,49; Nа2O 0,11; D': ВаО 0,33; B2O3 0,50; Nа2O 0,17. Составы данной области ВаО - B2O3 - Na2O обеспечивают снижение вязкости раствора-расплава, что приводит к увеличению температурного интервала, пригодного для роста монокристалла β-BaB2O4 при определенной скорости вытягивания, и позволяет выращивать кристаллы, размер которых по длине в кристаллографическом направлении [0001] достигает 20-25 мм, характеризующихся хорошими показателями оптического качества и возможностью изготовления оптических элементов. 1 ил.
|
|
