97.
(11) 2133308
(46) 20.07.1999
(51) 6 C 30 B 23/08, C 23 C 14/24, H 01 L 21/203
(21) 98114127/25
(22) 14.07.1998
(71) Институт физики полупроводников СО РАН
(72) Якушев М.В., Сидоров Ю.Г., Михайлов Н.Н., Анциферов А.П.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН
(54) ИСПАРИТЕЛЬНЫЙ ТИГЕЛЬ
(57) Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах. Сущность изобретения: в испарительном тигле, содержащем объем для испаряемого вещества и закрепленный на его горловине сепарирующий элемент, сепарирующий элемент выполнен в виде вставки с винтовым каналом. Использование изобретения позволяет снизить вероятности попадания остаточных паров вакуумного объема в тигель молекулярного источника без значительного уменьшения проводимости тигля и значительно снизить плотность дефектов в эпитаксиальных структурах. Использование изобретения позволило снизить плотность дефектов в пленке теллурида кадмия с величины 2 • 103 см-2 до величины, меньшей чем 1 • 102 см-2. 2 ил.
|
|
