167.
(11) 2131632
(46) 10.06.1999
(51) 6 H 01 L 31/18
(21) 97112114/25
(22) 14.07.1997
(71) Институт физики полупроводников СО РАН
(72) Овсюк В.Н., Савченко А.П., Семенова О.И., Шашкин В.В.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН
(54) СПОСОБ СБОРКИ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
(57) Использование: технология сборки фотоприемных устройств, выполненных на основе полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: в способе сборки фстоприемных устройств, включающем напыление индиевых столбов на полупроводниковые материалы с последующим соединением составляющих узлов сборки: матрицы фотоприемников и коммутатора, перед напылением на элементы матрицы индия наносят подслой, состоящий из двух последовательно напыленных металлов: смачиваемого индием - в центре элемента матрицы и несмачиваемого - на остальной части, затем выдерживают ее в течение 10 - 40 с в высокочастотном газовом разряде смеси газов: аргона и фреона-14, при парциальных давлениях 80 и 20 мТорр соответственно и плотности мощности в разряде от 0,06 - 0,20 Вт/см2 , с последующим нагревом до температуры 160 - 170oC, причем высоту столбов задают геометрическими размерами смачиваемого индием подслоя по формуле: h=S1·h1/S, где S1 исходная площадь основания столба, h1- его исходная высота, S - площадь смачиваемого индием подслоя. Техническим результатом изобретения является увеличение высоты индиевых столбов на элементах матрицы, что позволяет повысить надежность сборки фотоприемных устройств.
|
|
