79.
(11) 2116963
(46) 10.08.98
(51) 6 С 01 В 33/027
(21) 97109607/25
(22) 06.06.97
(71) Институт физики полупроводников СО РАН, Яковлев Юрий Игоревич
(72) Яковлев Ю. И.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН, Яковлев Юрий Игоревич
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ
(57) Изобретение относится к технологии кремния и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния. Сущность изобретения заключается в способе получения кремния, основанном на реакции термического разложения газообразного, кремнийсодержащего химического соединения на нагретых электрическим током кремниевых подложках с образованием элементарного кремния и газообразных продуктов реакции; в качестве кремнийсодержащего химического соединения используют тетраамминтрикремнефторид Si3 (NН3 )4 F12 . Использование способа позволяет повысить чистоту полупроводникового кремния и увеличить выход продукта. 2 ил., 1 табл.
|
|
