248.
(11) 2113745
(46) 20.06.98
(51) 6 Н 01 L 31/08, G 01 J 1/42
(21) 96124555/25
(22) 27.12.96
(71) Институт физики полупроводников СО РАН
(72) Чистохин И. Б., Тишковский Е. Г, Зайцев В. А
(73) Институт физики полупроводников СО РАН
(54) СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ И ИЗМЕРЕНИЯ ПОТОКА ИК- ИЗЛУЧЕНИЯ
(57) Использование: в полупроводниковой технике и для регистрации и измерения потока ИК - излучения. Сущность изобретения: в способе регистрации и измерения потока ИК-излучения фоторезистором на основе кремния, легированного селеном, включающем приложение к его контактам постоянного напряжения, освещение фоторезистора и регистрацию сигнала с резистора нагрузки, прикладывают напряжение U(В) в диапазоне 1,4 · 103 · d < U < 1,7 · 103 · d, регистрируют частоту колебаний тока f (Гц) в резисторе нагрузки и определяют величину потока ИК-излучения РФ (Вт/см 2) из соотношения:
РФ = f · U/b, где d-длина образца между контактными областями, см; b-постоянная величина для данного фоторезистора, определяемая по приведенному соотношению в указанном диапазоне напряжений хотя бы при одном известном значении РФ . Технический результат заключается в получении усиленного переменного фотосигнала, пропор-ционального потоку ИК-излучения непосредственно с фоторезистора без применения модуляции потока. 1 табл.
|
|
