338.
(11) 2097871
(46) 27.11.97
(51) 6 H 01 L 21/465, 21/306
(21) 95105130/25
(22) 05.04.95
(71) Институт физики полупроводников СО РАН
(72) Ромашко Л. Н., Мясников А М., Ободников В. И., Овсюк В. Н., Васильев В. В., Земцова Т. А
(73) Институт физики полупроводников СО РАН
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ПОДЛОЖКАХ СdХНg1ХТе
(57) Использование: изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может найти применение для создания матриц, например, п-р переходов или других полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления матриц полупроводниковых приборов на подложках СdХНg1ХТе включает в себя химическую полировку в бромном травителе,промывку поверхности в органических растворителях, нанесение диэлектриков и напыление металла, причем после травления и промывки поверхности в органических растворителях поверхность подложек обрабатывают во фторсодержащем водном растворе с концентрацией фтора 3 - 20% с последующей промывкой в воде. Предлагаемый способ позволяет достаточно простым дешевым способом, не требующим дополнительных трудоемких и дорогостоящих операций и оборудования, изготовлять матрицы стабильных однородных приборов с достаточно высокими параметрами. 4 ил.
|
