337.
(11) 2077751
(46) 20.04.97
(51) 6 Н 01 L 21/316
(21) 93033067/25
(22) 24.06.93
(71) Институт физики полупроводников СО РАН, Товарищество с ограниченной ответственностью "Эгалс"
(72) Репинский С. М., Васильева Л.Л., Ненашева Л. А, Дульцев Ф. Н.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН, Товарищество с ограниченной ответственностью "Эгалс"
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОДИФИЦИРОВАННЫХ СЛОЕВ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ
(ВАРИАНТЫ)
(57) Использование: технология получения полупроводниковых приборов, производство твердотельных газовых датчиков диоксида серы. Сущность изобретения: модифицированные слои диоксида кремния получают в изотермических условиях в присутствии паров органических соединений, содержащих аминогруппы. Слои могут быть сформированы и модифицированы одновременно при температуре 120 - 200oС. общем давлении 0,5-1 мм рт. ст. и газовой смеси, содержащей моносилан и кислород в соотношении концентраций от 1 до 0,4, при парциальном давлении моносилана 0,3-0,7 мм рт. ст.
Другой вариант получения модифицированных слоев диоксида кремния заключается в том, что слои формируют из газовой фазы, содержащей моносилан и кислород в соотношении концентраций от 0,6 до 0,4, при парциальном давлении моносилана 0,5-0,7 мм рт. ст. при температуре 70 - 120oС и общем давлении 0,8-1 мм рт. ст., а модификацию проводят путем отжига при температуре 150 - 200oС в присутствии паров органических соединений. 2 с. и 2 з. п. ф-лы, 2 ил.
|
