336.
(11) 2094902
(46) 27.10.97
(51) 6 Н 01 L 21/306
(21) 94004618/25
(22) 11.02.94
(71) Институт физики полупроводников СО РАН,
Горохов Евгений Борисович, Носков Анатолий Григорьевич, Принц Виктор Яковлевич
(72) Горохов Е. Б., Носков А Г., Принц В. Я.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН, Горохов Евгений Борисович, Носков Анатолий Григорьевич, Принц Виктор Яковлевич
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ
(57) Использование: полупроводниковая технология, для создания многократно используемых масок с самоформирующимся и самосовмещенным литографическим рисунком. Сущность изобретения: способ заключается в следующем: на поверхность твердого тела наносят двухслойную маску с заданными свойствами и с рисунком, формирующим в ней концентраторы механических напряжений, обрабатывают маску для генерации в ней заданных механических напряжений, что приводит к образованию узких отверстий в маске в местах расположения концентраторов путем трещинообразования, а затем и к прецизионному сдвигу их краев за счет скольжения верхнего слоя маски по нижнему вспомогательному слою. Затем с областей поверхности вблизи отверстий удаляют вспомогательный слой из-под основного слоя маски. 3 з. п. ф-лы, 7 ил.
|
