210.
(11) 2071985
(46) 20.01.97
(51) 6 С 22 В 43/00
(21) 93002037/02
(22) 11.01.93
(71) Институт физики полупроводников СО РАН, Kонструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники СО РАН
(72) Блинов В. В., Дворецкий С. А, Сидоров Ю. Г.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН, Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники СО РАН
(54) СПОСОБ СБОРА РТУТИ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ КАМЕРЕ УСТАНОВКИ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ И УСТАНОВКА ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
(57) Использование: технология получения тонкопленочных многослойных покрытий. Сущность изобретения: в первом контуре сбора ртути при температурах, близких к температуре кипения ртути (357oС), расплавленная ртуть через воронку 16, трубопровод 31 и открытый вентиль 30 поступает в питатель 25, а десорбировавшие со стенок экрана 8 газы откачиваются откачными средствами 2. Периодическое размораживание экрана 8, установленного коаксиально внутри камеры 1, приводит к постепенному израсходованию ртути, т. к. она вымораживается на экране 9. Тогда используют второй контур сбора ртути. При этом ртуть конденсируется в жидком состоянии на стенках экрана 40 и выводится в питатель 25 через отверстие 45 и вентиль 48, а газы, которые выделяются из ртути и десорбируют со стенок установки, откачивают откачными средствами 38, защищенными от попадания в них ртути экраном 46. Если собранная в дополнительном контуре ртуть недостаточно очищена, ее можно собрать в испарителе 52. Затем ртуть нагревают, пары ртути через вентиль 54 по трубопроводу 53 поступают в экран 39, конденсируются на его стенках, а газы откачивают откачными средствами 38. В случае ненужности очистки ртуть сливают через вентиль 55 в питатель 25. Положительный эффект: увеличение производительности и надежности установки, уменьшение энергоемкости в 3-5 раз; исключение загрязнения ртути газами и летучими примесями и обеспечение экологически чистого производства. 2 с. и 3 з. п. ф-лы, 2 ил.
|
