9.04.1920, Иваново-Вознесенск - 25.07.2000, Новосибирск
Действительный член (1984), член-корреспондент (1962) АН СССР, доктор физико-математических наук (1962), профессор (1967). Физик. Специалист в области физики полупроводников и диэлектриков.
Окончил инженерно-физический факультет Ленинградского политехнического института (1941). Участник Великой Отечественной войны. В 1942-1943 гг. воевал на Ленинградском фронте. Работал в Физическом институте им. П.Н.Лебедева АН СССР (1948-1961).
В Сибирском отделении с 1962 г.: директор-организатор, директор (1962-1990) Института физики полупроводников (ИФП) СО АН СССР, затем почетный директор ИФП СО РАН. Организатор и зав. (с 1963) кафедрой физики полупроводников в Новосибирском государственном университете. Заместитель председателя Сибирского отделения (1985-1991).
Научная деятельность посвящена физике полупроводников и диэлектриков, основам микроэлектроники.
А.В.Ржанов открыл пьезоэффект поляризованных керамических образцов титаната бария, что совершило революцию в гидролокации и других областях техники. Создал первый в СССР германиевый транзистор, разработал физические основы его технологии. Возглавлял программу работ по молекулярной эпитаксии - новейшей технологии для обеспечения элементной базы вычислительной техники. Выполнил ряд исследований, направленных на создание кремниевых интегральных микросхем и схем памяти. Внес значительный вклад в развитие отечественной полупроводниковой электроники, разработку физико-химических основ технологий микро- и оптоэлектроники, подготовку высококвалифицированных кадров. К числу крупных научных проблем, поставленных и решенных при участии А.В.Ржанова и развившихся в самостоятельные научные направления, относятся: молекулярно-лучевая эпитаксия, эллипсометрия, исследования фотоэффекта и создание на этой основе специализированных фотоприемников.
Под его руководством ИФП стал ведущей академической организацией по широкому спектру вопросов физики полупроводников с крепким фундаментом экспериментальных, прикладных и теоретических разработок. В нем успешно реализуется научно-организационная концепция - «триада» академика А.В.Ржанова: физика - технология - приборы.
Член Президиума Сибирского отделения (1976-1991), советник Президиума СО РАН (1998-2000), член Международного научного комитета по тонким пленкам и Международного вакуумного союза, председатель комиссии по элементной базе Комитета по вычислительной технике АН СССР, член бюро Научного совета по физике и химии полупроводников, главный редактор журнала «Микроэлектроника»
Лауреат премии Совета Министров СССР (1984).
Награжден орденами Ленина (1980), Октябрьской Революции (1975), Трудового Красного Знамени (1967), Отечественной войны I (1985) и II (1943) степени, «За заслуги перед Отечеством» IV степени (1999) и медалями.
Его именем назван Институт физики полупроводников, учреждена премия для молодых ученых СО РАН.
| | ОСНОВНЫЕ ТРУДЫ: Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., 1971. 480 с.; Кинетика образования и структуры твердых слоев. Новосибирск, 1972. 227 с.; Полупроводниковая микроэлектроника и технический прогресс // Микроэлектроника. 1982. Т.11, вып.6. С.499-519 (в соавт.); Молекулярно-лучевая эпитаксия как метод создания модулированных полупроводниковых структур // Проблемы кристаллографии. М., 1987. С.190-214 (в соавт.); Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния (III) при сублимации в условиях нагрева электрическим током // Докл. АН СССР. Физика. 1988. Т.300, N 1. С.84-89 (в соавт.).
ЛИТЕРАТУРА: Вестник РАН. 2000. Т.70, N 7. С.660; Наука в Сибири. 2000. N 14; След на Земле. Солдат, Ученый, Учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. Новосибирск, 2002. 460 с. |
| |  | |
| | |
| | | Ржанов Анатолий Васильевич // Российская академия наук. Сибирское отделение: Персональный состав / Сост. Е.Г.Водичев и др. - Новосибирск: Наука, 2007. - С.218-219. |
|
|
