Навигация
 
 
Асеев А.Л.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды



Научные школы ННЦ
АКАДЕМИК АЛЕКСАНДР ЛЕОНИДОВИЧ АСЕЕВ*
 

Александр Леонидович Асеев родился 24 сентября 1946 г. в г. Улан-Удэ. В 1968 г. закончил Новосибирский государственный университет.

С 1968 г. работает в Институте физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН. В 1975 г. защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоев кремния и германия на различных подложках», в 1990 г. защитил докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».

В 2000 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН (специальность «элементная база микроэлектроники»), в 2006 г. избран действительным членом РАН по Отделению физических наук РАН (специальность «физика»).

С 2003 по 25.04.2013 г. являлся директором Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН.

С 2008 г. - вице-президент Российской академии наук, председатель Сибирского Отделения РАН.

С 2014 г. - иностранный член Национальной академии наук Беларуси.

Основное направление научной деятельности А.Л.Асеева связано с изучением атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.

А.Л.Асеевым и его сотрудниками изучены атомные механизмы процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии, свойства моноатомных ступеней на поверхности кремния. Под руководством и при непосредственном участии А.Л.Асеева разработана технология получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии и технология формирования полупроводниковых структур с квантовыми ямами, использующихся при изготовлении матричных и линейчатых фотоприемных устройств для нового поколения инфракрасной техники. При активном участии А.Л.Асеева разрабатываются нанотранзисторы в структурах кремний-на-изоляторе, новые типы элементов памяти, элементов СВЧ-электроники.

А.Л.Асеев - член научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, заместитель председателя Научного совета «Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем» РАН, председатель докторского диссертационного совета.

В 2010-2012 гг. - член редколлегий журналов РАН «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия высших учебных заведений». Материалы электронной техники», «Crystal Research and Technology», «Нано- и микросистемная техника», «Российские нанотехнологии», «Нанотехнологии. Экология. Производство», «Проблемы информатики», электронного журнала «Surface Science and Nanotechnology», член Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию, член научно-технических советов ряда ведомств, ОАО «НПК «Оптические системы и технологии».

В 2007-2012 гг. - член Научно-технического совета ГК «Роснано».

В настоящее время член общественного совета при Минобрнауки РФ, Консультативного совета при ФСБ, Научно-технического совета Военно-промышленной комиссии при Правительстве РФ.

А.Л.Асеев - член Наблюдательного совета Новосибирского государственного университета, член Ученого совета НГУ; профессор филиала кафедры физики полупроводников Томского государственного университета, почетный член Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН, почетный доктор Томского госуниверситета, почетный профессор Бурятского государственного университета, член Попечительского совета Программы развития Национального исследовательского Томского государственного университета.

Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. А.Л.Асеев - автор и соавтор более 250 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов. Он является руководителем Программы фундаментальных исследований СО РАН, в которую входят 7 проектов.

А.Л.Асеев награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, высшим орденом Монголии «Полярная звезда», грамотами и благодарностями Государственной Думы РФ, Федерального агентства по атомной энергии, Национального исследовательского Томского государственного университета, мэрии г. Новосибирска, правительства НСО, полномочного представителя Президента РФ в Сибирском федеральном округе в связи с 75-летием со дня образования НСО, знаком «Гражданская доблесть» Республики Саха (Якутия), орденами «Ключ дружбы» и «Доблесть Кузбасса» - высшими наградами Кемеровской области. В 2011 г. А.Л.Асееву присвоено звание «Почетный работник науки и техники Российской Федерации».

*Источник:Александр Леонидович Асеев: биобиблиографический указатель (1969-2012) / Гос. публич. науч.-техн. б-ка Сиб. отд-ния Рос. акад. наук; [сост. Л.А.Мандринина]. - Новосибирск: ГПНТБ СО РАН, 2012. - 143 с.
 
Академик РАН А.Л.Асеев
 
Академик А.Л.Асеев на открытии нефтегазового месторождения на Ямале


 
Научные школы ННЦ А.Л.АсеевПодготовили Клара Елкина, Ирина Курбангалеева и Сергей Канн  
 

[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2017 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика

Документ изменен: Mon Apr 18 10:52:10 2016. Размер: 10,115 bytes.
Посещение N 3041 с 12.04.2016