|
Александр Леонидович Асеев родился 24 сентября 1946 г. в г. Улан-Удэ. В 1968 г. закончил Новосибирский государственный университет.
С 1968 г. работает в Институте физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН. В 1975 г. защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоев кремния и германия на различных подложках», в 1990 г. защитил докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».
В 2000 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН (специальность «элементная база микроэлектроники»), в 2006 г. избран действительным членом РАН по Отделению физических наук РАН (специальность «физика»).
С 2003 по 25.04.2013 г. являлся директором Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН.
С 2008 г. - вице-президент Российской академии наук, председатель Сибирского Отделения РАН.
С 2014 г. - иностранный член Национальной академии наук Беларуси.
Основное направление научной деятельности А.Л.Асеева связано с изучением атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.
А.Л.Асеевым и его сотрудниками изучены атомные механизмы процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии, свойства моноатомных ступеней на поверхности кремния. Под руководством и при непосредственном участии А.Л.Асеева разработана технология получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии и технология формирования полупроводниковых структур с квантовыми ямами, использующихся при изготовлении матричных и линейчатых фотоприемных устройств для нового поколения инфракрасной техники. При активном участии А.Л.Асеева разрабатываются нанотранзисторы в структурах кремний-на-изоляторе, новые типы элементов памяти, элементов СВЧ-электроники.
А.Л.Асеев - член научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, заместитель председателя Научного совета «Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем» РАН, председатель докторского диссертационного совета.
В 2010-2012 гг. - член редколлегий журналов РАН «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия высших учебных заведений». Материалы электронной техники», «Crystal Research and Technology», «Нано- и микросистемная техника», «Российские нанотехнологии», «Нанотехнологии. Экология. Производство», «Проблемы информатики», электронного журнала «Surface Science and Nanotechnology», член Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию, член научно-технических советов ряда ведомств, ОАО «НПК «Оптические системы и технологии».
В 2007-2012 гг. - член Научно-технического совета ГК «Роснано».
В настоящее время член общественного совета при Минобрнауки РФ, Консультативного совета при ФСБ, Научно-технического совета Военно-промышленной комиссии при Правительстве РФ.
А.Л.Асеев - член Наблюдательного совета Новосибирского государственного университета, член Ученого совета НГУ; профессор филиала кафедры физики полупроводников Томского государственного университета, почетный член Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН, почетный доктор Томского госуниверситета, почетный профессор Бурятского государственного университета, член Попечительского совета Программы развития Национального исследовательского Томского государственного университета.
Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. А.Л.Асеев - автор и соавтор более 250 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов. Он является руководителем Программы фундаментальных исследований СО РАН, в которую входят 7 проектов.
А.Л.Асеев награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, высшим орденом Монголии «Полярная звезда», грамотами и благодарностями Государственной Думы РФ, Федерального агентства по атомной энергии, Национального исследовательского Томского государственного университета, мэрии г. Новосибирска, правительства НСО, полномочного представителя Президента РФ в Сибирском федеральном округе в связи с 75-летием со дня образования НСО, знаком «Гражданская доблесть» Республики Саха (Якутия), орденами «Ключ дружбы» и «Доблесть Кузбасса» - высшими наградами Кемеровской области. В 2011 г. А.Л.Асееву присвоено звание «Почетный работник науки и техники Российской Федерации».
| * | Источник: | | Александр Леонидович Асеев: биобиблиографический указатель (1969-2012) / Гос. публич. науч.-техн. б-ка Сиб. отд-ния Рос. акад. наук; [сост. Л.А.Мандринина]. - Новосибирск: ГПНТБ СО РАН, 2012. - 143 с. |
|
