Zhang H. Ion sources (Springer, 1999)
Навигация

Выставка новых поступлений  |  Поступления иностранных книг в библиотеки СО РАН : 2003 | 2006 |2008
 
Поступления иностранных книг в библиотеки ННЦ в 2003 г.
Институт ядерной физики
Zhang H. Ion sources. - Beijing: Science press; Berlin et al.: Springer, 1999. - XVIII, 476 p.: ill. (ISBN 3-540-65747-9 ) – Источники ионов.
Оглавление
  • Ion implantation has become a basic technology in device manufacturing. For efficient use of this accelerator-based technique the choice of appropriate ion sources is important. This book deals with the design and operation of ion sources. Additionally the physics of ion formation of the various elements with different charge states and charge neutralization are discussed. Ion selection and beam diagnostics are part of the book too. The presentation of the necessary equations and diagrams for the various parameters makes this book useful as a handbook for ion sources.
Поступления ин-та Ядерной физики | Другие институты  

[О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Библиография | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск]
  © 1997–2024 Отделение ГПНТБ СО РАН  

Документ изменен: Wed Feb 27 14:51:42 2019. Размер: 4,506 bytes.
Посещение N 2687 с 30.03.2004