COMPEL: The International Journal
(ISSN 0332-1649)
Оглавление N 3 (1982)
| Joseph R.Mautz and Roger F.Harrington
An H-field solution for electromagnetic scattering by a conducting body of revolution |
137 | ||
| M.S.Mock
An example of nonuniqueness of stationary solutions in semiconductor device models |
165 | ||
| K.Shenai
Depletion layer calculations and modelling of a single-diffused p - n junction with complementary error function profile |
175 | ||
| Calendar | 187 | ||
COMPEL • Оглавление N 2 (1982) • Оглавление N 3 (1982) • Оглавление N 4 (1982)
| 630090 Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 6
Тел.: +7 383 373-40-13 • e-mail: branch@gpntbsib.ru © 1997-2026 Отделение ГПНТБ СО РАН |
Документ изменен: Wed Jul 8 22:51:54 2026 Размер: 12,200 bytes Посещение N 3202 с 26.12.2003 |
||