Окончил физический факультет Ленинградского государственного университета (1959). По окончании вуза работал в Государственном оптическом институте им. С.И.Вавилова.

В Сибирском отделении с 1962 г.: зам. директора (1976), одновременно начальник СКТБ специальной электроники и аналитического приборостроения (1980-1990), с 1990 г. - директор Института физики полупроводников (ИФП) СО АН СССР - РАН, генеральный директор Объединенного института физики полупроводников СО РАН, зам. председателя Сибирского отделения (1991-1999).

Научная деятельность посвящена разработке физических принципов построения многоэлементных фотоприемных устройств ИК-диапазона, эллипсометрических методов исследования тонкопленочных структур, развитию методов молекулярно-лучевой эпитаксии, истории оптики.

Внес большой вклад в формирование элементной базы полупроводниковой электроники, создание тепловизионных устройств и систем тепловидения. Основатель научной школы по поляризационной отражательной эллипсометрии, заслужившей признание в нашей стране и за рубежом. Под его руководством велись разработка теории метода эллипсометрии и изготовление первого советского эллипсометра «ЛЭФ-000». В возглавляемом им отделе впервые в России была создана технология получения совершенных эпитаксиальных пленок тройного соединения «кадмий - ртуть - теллур». В рамках программы «Фотоника» проведены исследования новых технологий и многоэлементных, линейчатых и матричных полупроводниковых интегральных фотоприемников, позволяющих регистрировать сверхслабые излучения: от ультрафиолетового до дальнего инфракрасного диапазона длин волн.

Под руководством К.К.Свиташева ИФП СО РАН стал единственным в России институтом физического профиля, полностью работающим в области полупроводниковой тематики. В нем на мировом уровне продолжают развиваться физико-технологические исследования, направленные на создание современной микроэлектроники (микро-, нано- и оптоэлектроника). Его усилиями заложены основы возрождения отечественной индустрии полупроводникового кремния, образован научно-производственный комплекс «Кремний», успешно разрабатывалась технология производства матричных интеллектуальных силовых интегральных схем. Важное значение он уделял подготовке научных кадров. В институте работают кафедра Новосибирского государственного университета и филиал кафедры Новосибирского государственного технического университета.

Член Президиума СО РАН (1991-1999), председатель Объединенного ученого совета по физико-техническим наукам СО РАН (1994-1999), член редколлегий журналов «Микроэлектроника» и «Автометрия».

Лауреат премии Совета Министров СССР (1984).

Учреждена премия его имени для молодых ученых СО РАН.

		Свиташев Константин Константинович // Российская академия наук. Сибирское отделение: Персональный состав / Сост. Е.Г.Водичев и др. - Новосибирск: Наука, 2007. - С.500-501.



		ОГЛАВЛЕНИЕ • ИМЕННОЙ УКАЗАТЕЛЬ • ФАЙЛ PDF