Член-корреспондент АН СССР (1990), доктор физико-математических наук (1980), профессор (1983). Физик. Специалист в области физики полупроводников и физических основ полупроводниковой микроэлектроники.
Родился 26 ноября 1931 г. в Одессе. Окончил электромеханический факультет Московского энергетического института (1956). После окончания вуза работал в Физическом институте АН СССР.
В Сибирском отделении с 1962 г. Работает в Институте физики полупроводников (ИФП) СО АН СССР - РАН со дня его основания в должности зам. директора по научной работе (1962-1972, 1981-2003), зав. лабораторией (1972-1981). В период организации института активно занимался строительством термостатированного корпуса, подбором кадров, оснащением лабораторий. С 1980 г. возглавляет филиал кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского государственного технического университета. Советник РАН (с 2003).
Основное направление научных исследований - электронные и фотоэлектрические явления на границах раздела полупроводник - диэлектрик и в многослойных полупроводниковых гетероструктурах. Внес большой вклад в изучение поверхностных рекомбинаций и захвата, заложивших базу методов стабилизации характеристик полупроводниковых приборов. Результаты экспериментов неравновесного объединения носителей заряда, проведенных под его руководством, применяются при разработке приборов с зарядовой связью и зарядовой инжекцией на основе узкозонных полупроводников. Совместно с сотрудниками развиты методы изучения ряда многослойных тонкопленочных структур, с помощью которых получают многоэлементные фотоприемные устройства в широком диапазоне длин волн. С 1995 г. под его руководством ведутся работы в области компьютерного моделирования атомарных процессов на поверхности полупроводников.
Исследования И.Г.Неизвестного с сотрудниками по разработке технологии и исследованию гетероструктур на базе PbSnTe (In) и создание многоэлементных фотоприемников на их основе удостоены Государственной премии России по науке и технике. В возглавляемом им отделе изучаются квантовые точки и физические основы элементной базы квантового компьютера и квантовой криптографии. Он является руководителем ряда работ, поддержанных грантами РФФИ, а также выполняемых в рамках федеральных целевых научно-технических программ, программ РАН и Министерства образования и науки. В настоящее время И.Г.Неизвестный - координатор работы в ИФП СО РАН по созданию физической и физико-технологической элементной базы быстродействующей микро- и фотоэлектроники на основе кремния и материалов А3В5, А2В6, квантовой однофотонной криптографии, визуализации терагерцевого излучения. Координирует работы в программе СО РАН «Твердотельные устройства и приборы микро- и наноэлектроники, микрофотоэлектроники, медицины, экологии».
Член Научного совета РАН «Физика полупроводников» и Объединенного ученого совета по физико-техническим наукам СО РАН. Зам. главного редактора журнала «Микроэлектроника», член редколлегий ряда научных журналов.
Лауреат Государственной премии РФ (1995).
Награжден орденом Трудового Красного Знамени (1970) и медалью.
| | ОСНОВНЫЕ ТРУДЫ: Релаксация неравновесной емкости в МДП-структурах // Микроэлектроника. 1976. Т.5, вып.2. С.150-163 (в соавт.); Метод миниатюризации элементной базы КМДП СБИС // Автометрия. 1992. Вып.5. С.42-54 (в соавт.); Физика поверхности полупроводников: Учеб. пособие. Новосибирск, 1994. 183 с.; Одноэлектроника. Ч.1: Применение одноэлектронных приборов // Микроэлектроника. 1999. Т.28, вып.1. С.163-174 (в соавт.); Основы наноэлектроники: Учеб. пособие для вузов. Новосибирск, 2000. 331 с. (в соавт.).
ЛИТЕРАТУРА: Вестник РАН. 2002. Т.72, N 3. С.286-287; Микроэлектроника. 2002. Т.31, N 2. С.83; Наука в Сибири. 2006. N 45. |
| |  | |
| | |
| | | Неизвестный Игорь Георгиевич // Российская академия наук. Сибирское отделение: Персональный состав / Сост. Е.Г.Водичев и др. - Новосибирск: Наука, 2007. - С.440-441. |
|
|
