Действительный член (2006), член-корреспондент (2000) РАН, доктор физико-математических наук (1990). Физик. Специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур.
Родился 24 сентября 1946 г. в Улан-Удэ. Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета (1968).
В Сибирском отделении с 1968 г. По окончании вуза работал в Институте физики полупроводников (ИФП) - зав. лабораторией (с 1986), зам. директора по науке (с 1994), директор (с 1998). В 1999-2003 - и.о. генерального директора, генеральный директор Объединенного института физики полупроводников СО РАН. С 2003 г. - директор ИФП. Одновременно (с 2002) профессор кафедры физики полупроводников Томского государственного университета.
Научная деятельность посвящена изучению атомных механизмов формирования полупроводниковых систем пониженной размерности.
А.Л.Асеев получил принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхности кристаллов кремния впервые обнаружил обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов. Исследовал элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии. Результаты экспериментов стали основой для развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и создания ряда приборов полупроводниковой электроники. Ведет работы по получению нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии, по материаловедению кремния, направленные на получение высокосовершенных кристаллов большого диаметра.
Под его руководством в институте создан современный научно-технологический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур с квантовыми свойствами, обоснована технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий - ртуть - теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.
Член Президиума СО РАН (с 2001), научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии. Зам. председателя Объединенного ученого совета по физико-техническим наукам СО РАН, член бюро Совета директоров институтов Новосибирского научного центра СО РАН, Ученого совета НГУ, редколлегий ведущих научных российских и международных журналов. В 1996-2005 гг. входил в состав Совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия).
| | ОСНОВНЫЕ ТРУДЫ: Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии. Новосибирск, 1991. 148 с. (в соавт.) (изд. на англ. яз. в «Akademie Verlag». Берлин, 1994); Когерентное рассеяние в малой квантовой точке // Письма в «Журн. эксперим. и теорет. физики». 2004. Т.80, N 9. С.688-692 (в соавт.); Моноатомные ступени на поверхности кремния. Новосибирск, 2006. 242 с. (в соавт.); Нанотехнологии в полупроводниковой электронике // Вестн. РАН. 2006. Т.76, N 7. С.03-611.
ЛИТЕРАТУРА: Профессора Томского университета: Биографический словарь. Томск, 2003. Т.4: 1980-2003, ч.1. С.49-51; Наука в Сибири. 2006. N 37. |
| |  | |
| | |
| | | Асеев Александр Леонидович // Российская академия наук. Сибирское отделение: Персональный состав / Сост. Е.Г.Водичев и др. - Новосибирск: Наука, 2007. - С.18-19. |
|
|
