B.П.Пономаренко
Новые направления полупроводниковой фотоэлектроники ............ 14

М.В.Якушев, Д.В.Брунев, В.В.Васильев, В.С.Варавин,
С.А.Дворецкий, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин,
И.В.Марчишин, А.Л.Асеев
Полноформатный фотоприемный модуль на основе гетероструктур
CdHgTe/Si(310), выращенных методом МЛЭ ......................... 15

Ф.Ф.Сизов, Ж.В.Гуменюк-Сычевская, А.В.Шевчик-Шекера
Полупроводниковые приемники от ПК до мм диапазона. Критерии
применения ..................................................... 16

Д.Е.Долженко, В.И. Черничкин, Л.И.Рябова, А.В.Никорич,
В.А.Касьян, З.М.Дашевский, C.Д.Ганичев, С.Н.Данилов,
В.В.Бельков, Д.Р.Хохлов
Терагерцовая фотопроводимость и новый тип локальных состояний
в легированных сплавах на основе теллурида свинца .............. 17

А.Э.Климов, В.Н.Шумский
Матричные фотоприемники PbSnTe:In на кремнии для дальнего ИК
и терагерцового диапазонов ..................................... 18

Г.Л.Курышев, А.П.Ковчавцев, В.Г.Половинкин, В.М.Базовкин,
А.А.Гузев, И.И.Ли
Быстродействующие линейчатые МДП - фотоприемники на основе
арсенида и антимонида индия .................................... 19

A.П.Ковчавцев, А.В.Царенко, Н.А.Валишева, А.А.Гузев,
З.В.Панова, В.Г.Половинкин, Т.А.Левцова, Л.А.Семенова,
Г.Л.Курышев
Квантование электронов в слоях обогащения арсенида индия ....... 20

Е.А.Емельянов, Д.Ф.Феклин, А.В.Васев, М.А.Путято,
Б.Р.Семягин, А.П.Василенко, B.В.Преображенский
Формирование   методом   МЛЭ   напряженных   короткопериодных
сверхрешеток InAs/GaSb II-типа для фотоприемников ИК
диапазона ...................................................... 21

C.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, И.В.Мжельский, В.Г.Половинкин,
М.А.Ременный, A.Ю.Рыбальченко, Н.М.Стусь
Об эффективности сбора фототока в обратно-смещенных
фотодиодах на основе InAsSbP (λс= 4.5 мкм) ..................... 22

B.П.Астахов, П.Д.Гиндин, В.В.Карпов, Н.С.Кузнецов,
В.И.Петренко, В.Ф.Чишко, Д.В.Бородин
Матричное фотоприемное устройство формата 320x256 элементов
на антимониде индия ФУК-154М ................................... 23

К.О.Болтарь, В.П.Пономаренко, И.Д.Бурлаков, А.М.Филачев
ИК фотоэлектроника второго поколения ........................... 24

И.Г.Неизвестный
Нанотехнологии в создании солнечных элементов .................. 25

Б.Г.Вайнер
Физические и биомедицинские исследования, основанные на
применении матричного тепловидения высокого разрешения ......... 26

П.С.Копьев, Т.В.Шубина
Плазмонные эффекты в металл-полупроводниковых нанокомпозитах ... 27

А.Г.Милёхин, Л.Л.Свешникова,  Т.А.Дуда, Н.А.Ерюков,
А.К.Калагин, А.И.Торопов, Н.В.Суровцев, С.В.Адищев,
C.Himcinschi, D.R.T.Zahn
Комбинационное рассеяние света полупроводниковыми квантовыми
точками: от массива к одиночной точке .......................... 28

О.А.Шегай, О.Р.Баютова, А.К.Бакаров, А.И.Торопов
Фотопроводимость InAs/AlAs мезаструктур с квантовыми точками
при латеральном окислении ...................................... 29

А.И.Якимов, А.И.Никифоров, В.А.Тимофеев, А.А.Блошкин,
В.В.Кириенко, A.В.Двуреченский
Фотоэлектрические явления в слоях квантовых точек Ge,
встроенных в квантовые ямы SiGe в матрице Si ................... 30

Н.П.Степина, Е.С.Коптев, А.В.Двуреченский, А.И.Никифоров
Детектирование слабых потоков ИК-излучения в мезоскопических
структурах с квантовыми точками ................................ 31

B.А.Тимофеев, А.И.Никифоров, С.А.Тийс, О.П.Пчеляков,
А.К.Гутаковский
Синтез массива островков германия на поверхности двумерного
бездислокационного слоя GexSi1-x ............................... 32

В.А.Зиновьев, П.А.Кучинская, А.В.Ненашев, А.В.Двуреченский,
В.А.Володин, C.W.Liu
Квантовые кольца Ge/Si для приемников ИК и терагерцового
излучения ...................................................... 33

В.Н.Брудный, С.Н.Гриняев, В.А.Донченко, А.В.Двуреченский,
А.А.Землянов, В.В.Кириенко
Фотодетекторы на основе наногетероструктур Ge/Si ............... 34

О.А.Шегай, В.И.Машанов, А.И.Никифоров
Фотопроводимость GeSn/Si структур с квантовыми точками ......... 35

М.С.Сторожевых, Л.В.Арапкина, В.А.Чапнин, В.П.Калинушкин,
К.В.Чиж, В.А.Юрьев
Фоточувствительность Si p-i-n-структур с Ge квантовыми
точками и влияние ИК подсветки на ее величину .................. 36

Е.И.Гацкевич, В.Л.Малевич, Г.Д.Ивлев, В.А.Зиновьев,
Ж.В.Смагина, В.А.Володин, A.В.Двуреченский
Плавление и кристаллизация нанокластеров Ge, встроенных Si
матрицу, в условиях импульсного лазерного воздействия .......... 37

B.И.Шашкин
Планарные приемные матрицы для систем радиовидения
миллиметрового диапазона длин волн ............................. 38

A.Г.Паулиш, С.А.Кузнецов, А.В.Аржанников, П.А.Лазорский,
В.Н.Федоринин
Неохлаждаемые болометрические приемники терагерцового
излучения на основе ультратонких поглотителей .................. 39

B.Д.Анцыгин, А.А.Мамрашев, Н.А.Николаев, О.И.Потатуркин
Эффективность генерации импульсного терагерцового излучения
в полупроводниках А3В5 ......................................... 40

Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий, В.А.Швец, Ю.Г.Сидоров
Рост HgTe квантовых ям для приемников ИК и ТГц излучения ....... 41

М.А.Демьяненко, Д.Г.Есаев, И.В.Марчишин, В.Н.Овсюк,
Б.И.Фомин, Б.А.Князев, В.В.Герасимов
Поляризационные эффекты при регистрации инфракрасного и
терагерцового излучения матричными микроболометрическими
приемниками .................................................... 42

К.Е.Спирин, М.С.Жолудев, А.В.Антонов, В.В.Румянцев,
В.И.Гавриленко, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий
Терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах
HgTe/CdHgTe(013) с квантовыми ямами ............................ 43

О.И.Потатуркин, С.С.Милосердов
Информационные технологии в оптоэлектронике .................... 44

В.В.Карпов, А.Ю.Никифоров, А.М.Белин, В.И.Золотарев,
А.Д.Попов
Тепловизионная матрица на основе PtSi формата 512×512
элементов с раздельным накоплением и считыванием сигнала ....... 45

Н.В.Сахно, Ж.В.Гумепюк-Сычевская, С.А.Дворецкий, Ф.Ф.Сизов
Моделирование свойств печатных антенн на кремниевых подложках
для мм/суб-мм детекторных массивов ............................. 46

Г.И.Косолапов, И.В.Марчишин, Т.Н.Хацевич
О режимах работы матричного тепловизора с импульсной лазерной
подсветкой ..................................................... 47

Е.А.Виноградов, Н.Н.Новикова, В.А.Яковлев
Спектроскопия фонон-поляритонных возбуждений ультратонких
пленок в дальнем и ближнем поле ................................ 48

Н.Н.Михайлов, Д.В.Брунев, В.В.Васильев, В.С.Варавин,
С.А.Дворецкий, Д.Г.Икусов, А.В.Предеин, В.Г.Ремесник,
И.В.Сабинина, Г.Ю.Сидоров, Ю.Г.Сидоров, А.О.Сусляков
Двухспектральные гетероэпитаксиальные структуры HgCdTe и
фотоприемные устройства на их основе ........................... 49

Р.КСавкина, Ф.Ф.Сизов, А.Б.Смирнов, В.А.Дериглазов,
М.В.Якушев
Неохлаждаемый фотовольтаический ИК приемник на основе
напряженной гетероструктуры Hg1-xCdxTe/Si (х ÷ 0,3) ............ 50

А.В.Войцеховский, Н.Х. Талипов, И.И.Ижнин
Ионная имплантация и ионное травление варизонных
эпитаксиальных структур HgCdTe ................................. 51

A.С.Кожухов, Д.В.Щеглов, А.В.Латышев
Электрохимическая модификация поверхности полупроводников
зондом атомно-силового микроскопа .............................. 52

М.Д.Шарков, К.Ю.Погребицкий, М.Е.Бойко, С.Г.Конников
Рентгеновские методы анализа монокристаллических, зернистых
и поликристаллических соединений в пространственном масштабе
от атомов до доменов ........................................... 53

B.В.Бакин, С.А.Рожков, К.В.Торопецкий, Д.В.Горшков,
А.А.Сапожник, Г.Э.Шайблер, C.Н.Косолобов, А.С.Терехов,
П.А.Сысоев
Исследование физико-химических и фотоэмиссионных явлений в
GaAs-(Cs,O) и GaN-(Cs,O) фотокатодах ........................... 54

Д.В.Горшков, Д.В.Горшков, С.А.Кесаев, В.В.Бакин, А.С.Терехов
Исследование энергетической зависимости коэффициента
отражения электронов от поверхности МКП ........................ 55

Д.В.Горшков, A.A.Сапожник, В.В.Бакин, Г.Э.Шайблер,
С.Н.Косолобов, А.С.Терехов
Влияние электронного сродства на энергетическое и угловое
распределение электронов эмитированных из GaAs(Cs,O)-
фотокатода ..................................................... 56

И.К.Игуменов, Б.М.Кучумов, Ю.В.Шевцов, Е.С.Викулова,
С.В.Забуслаев, В.И.Сахно, С.С.Косолобов
Новые процессы создания функциональных нанокомпозитных слоев
на поверхности МКП ............................................. 57

О.В.Чистов, В.В.Поздняков, Ю.Н.Гордиенко, Л.М.Балясный,
Д.А.Широков
Водительский прибор ночного видения на основе ЭОП с
системой защиты от света фар встречных автомобилей ............. 58

В.В.Бакин, С.Н.Косолобов, А.С.Терехов, Г.Э.Шайблер,
В.Г.де-Бур, В.Л.Плохотниченко, Г.М.Бескин, С.В.Карпов,
Е.В.Турбин
Фотоумножитель с GaAs фотокатодом и кодирующим коллектором
для быстродействующей системы формирования изображения в
режиме счёта одиночных фотонов ................................. 59

И.С.Тарасов
Мощные полупроводниковые лазеры ................................ 60

В.А.Гайслер
Сверхминиатюрные микрорезонаторные излучатели на базе
полупроводниковых наноструктур ................................. 61

И.А.Андреев, И.М.Гаджиев, Е.А.Гребенщикова, А.Г.Дерягин,
В.В.Дюделев, Н.Д.Ильинская, Г.Г.Коновалов, Е.В.Куницына,
В.И.Кучинский, М.П.Михайлова, О.В.Серебренникова,
Г.С.Соколовский, Ю.П.Яковлев
Регистрация коротких импульсов излучения в спектральном
диапазоне 1.3-2.4 мкм с помощью быстродействующих p-i-n
фотодиодов ..................................................... 62

Л.К.Орлов, Э.А.Штейнман, А.Н.Терещенко, А.А.Мельникова
Спектры фотолюминесценции наноструктурированных пленок
кубического карбида кремния, выращиваемых на кремнии ........... 63

К.Д.Мынбаев, Н.Л.Баженов, А.В.Шиляев, Н.Н.Михайлов,
В.Г.Ремесник, В.С.Варавин, М.В.Якушев, С.А.Дворецкий
Особенности фотолюминесценции МЛЭ-гетероструктур на основе
HgCdTe при высоких температурах ................................ 64

A. Б.Барабанов, П.В.Бирюлин, А.А.Солодков, Ф.С.Соснин,
В.В.Тарасов, В.Б.Куликов
Матричные фотоприемные модули на основе структур с квантовыми
ямами, разработанные в ОАО "ЦНИИ "Циклон" ...................... 65

Д.А.Гиндин, В.П.Ежов, В.В.Карпов
Разработка и освоение производства субматричных и матричных
ФПУ среднего и дальнего ИК-диапазона ........................... 66

B.П.Рева, И.В.Марчишин, С.В.Коринец, Ф.Ф.Сизов
Особенности проектирования и изготовления схем считывания для
ИК матриц большого формата ..................................... 67

Н.М.Акимова, А.В.Гусаров, В.В.Карпов, Е.В.Сусов, А.В.Филатов,
В.И.Шаевич
Сверхстабильность параметров фоторезисторов диапазона спектра
8-12 мкм из ГЭС ................................................ 68

Д.В.Бородин, Ю.В.Осипов, А.С.Скрылёв, В.В.Васильев
Многоканальные КМОП микросхемы для ФПУ ......................... 69

Н.Н.Мордвин, И.В.Касаткин
Тепловизионный и тепло-телевизионный прицелы для стрелкового
оружия - постановка задачи, проектирование, результаты ......... 70

М.С.Никитин
Анализ тенденций развития охлаждаемых и неохлаждаемых
инфракрасных фокальных матриц .................................. 71

В.Н.Федоринин, С.М.Чурилов, Т.Н.Хацевич, В.В.Васильев,
И.И.Кремис, К.П.Шатунов, Е.А. Терешин
Оптико-электронные модули для тепловизионных приборов
различного назначения на основе субматричных и матричных
фотоприемников ................................................. 72

Г.Н.Попов, В.В.Малинин, В.А.Большаков, А.А.Топорков
Трилогия «Точприбор» ........................................... 73

В.В.Быков, В.В.Васильев, П.П.Добровольский, Ю.М.Корсаков,
В.Н.Федоринин, Вл.В.Васильев, Ю.Г.Сидоров, А.О.Сусляков
Тепловизионный прибор на основе интегрального ФПУ
отечественного производства с изменяемым полем зрения .......... 74

B.В.Карпов, А.В.Мартиросов, В.И.Петренко, В.И.Семенов,
К.В.Чиж
Универсальный блок ввода массивов данных с субматричных и
матричных фотоприемников в ПЭВМ ................................ 75

Е.С.Постников
Модельное исследование характеристик сигнала от точечной цели
в мегапиксельном матричном фотоприемнике ШПК БАО ............... 76

A.В.Голицын, С.В.Хрящев, Н.А.Сейфи, В.А.Навражных,
С.С.Мишанин
Влияние температуры окружающей среды на точность ввода
поправок стрельбы неохлаждаемого тепловизионного прицела
стрелкового оружия ............................................. 77

C.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, В.Г.Ремесник
In-situ и ex-situ контроль состава в CdxHg1-xTe потенциальных
ямах ........................................................... 78

К.С.Журавлёв, Т.В.Малин, Д.Ю.Протасов, А.В.Тихонов, L.Dobos,
B.Peez
Изучение роста широкозонных слоев для УФ фотоприемников ........ 79

B.В.Чесноков, Д.В.Чесноков
Лазерный интерференционный метод термохимического
формирования регулярных наноструктур на подложках .............. 80

В.В.Чесноков, Д.В.Чесноков
Лазерное управление процессами в адсорбированных моноатомных
слоях при формировании наноструктур ............................ 81

Д.В.Чесноков, В.В.Чесноков, Д.М.Никулин, Д.С.Кочкарев
Лазерная зональная ретушь неравномерностей оптических
поверхностей, искажающих волновые фронты оптических систем ..... 82

В.С.Варавин, М.О.Гарифуллин, И.О.Парм, И.В.Сабинина,
Г.Ю.Сидоров, Ю.Г.Сидоров
Влияние плазмохимического травления на свойства CdHgTe ......... 83

И.И.Ижнин, А.И.Ижнин, М.Поцяск, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин,
Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев
Влияние отжига на дефектную структуру МЛЭ ГЭС CdxHg1-xТе ....... 84

Р.В.Лёвин, Е.П.Ракова, С.И.Трошков, Б.В.Пушный, М.Н.Мизеров,
В.М.Андреев
Особенности легирования GaSb кремнием методом МОС-гидридной
эпитаксии ...................................................... 85

Э.И.Зульфигаров, С.А.Алиев, А.М.Магеррамов
Об изменении свойств материалов для термомагнитных
преобразователей на основе CdHgTe действием электронного
облучения ...................................................... 86

Р.С.Мадатов, Ф.П.Абасов, Ю.М.Мустафаев
Влияние гамма облучения на фотоэлектрические параметры
двухбарьерной структуры на основе кремния ...................... 87

И.В.Мутигуллин, К.К.Абгарян, Д.И.Бажанов
Компьютерное моделирование процесса формирования A1N на
поверхности сапфира (0001) ..................................... 88

С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, В.Г.Ремесник, Ю.Г.Сидоров,
П.В.Сизиков
Метод определения состава HgCdTe структур для
двухспектральных фотоприемников 3-5 и 8-12 мкм ................. 89

К.О.Болтарь, И.Д.Бурлаков, А.В.Войцеховский, А.Л.Сизов,
В.Г.Средин, Н.Х.Талипов, С.А.Шульга
Влияние воздействия мощного импульсного лазерного излучения
на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe .. 90

А.А.Алтухов, А.Ю.Митягин, Н.Х.Талипов, В.С.Фищенко,
Г.В. Чучева
Особенности активации бора имплантированного при больших
дозах в природные кристаллы алмаза ............................. 91

A.А.Алтухов, К.Н.Зяблюк, А.Ю.Митягин, Н.Х.Талипов, Г.В.Чучева
Формирование дельта легированного р-слоя в природных и CVD
кристаллах алмаза при термообработках в водороде ............... 92

К.В.Торопецкий, Г.Э.Шайблер, А.С.Терехов
Порог Cs-индуцированной адсорбции кислорода на
полупроводниках группы III-V ................................... 93

А.М.Турапин, А.В.Войцеховский, А.П.Коханенко, К.А.Лозовой
Зависимость параметров массива квантовых точек Ge на
поверхности Si(100) от условий синтеза ......................... 94

Т.С.Шамирзаев, Д.С.Абрамкин, А.К.Гутаковский, М.А.Путято,
А.Б.Талочкин, B.В. Преображенский
Высококачественные однородно релаксированные слои GaP
выращенные на несогласованных подложках GaAs методом МЛЭ ....... 95

И.О.Ахундов, С.Н.Косолобов, Н.С.Рудая, Д.В.Щеглов,
В.Л.Альперович, А.В.Латышев, A. С.Терехов
Формирование сетки дислокаций в напряженных фотокатодных
GaAs/AlGaAs гетероструктурах на стеклянных подложках ........... 96

B.С.Варавин, А.В.Вишняков, А.В.Предеин, Ю.Г.Сидоров
Моделирование туннельных токов, стимулированных глубокой
акцепторной примесью, в n-р фотодиодах на основе CdHgTe ........ 97

А.Э.Климов, В.Н.Шумский
Твердый раствор PbSnTe:In как неупорядоченная система с
сегнетоэлектрическим фазовым переходом ......................... 98

Н.Н.Шабурова
Библиометрические характеристики фотоники ...................... 99

А.Г.Журавлев, И.Л.Сербин, А.Г.Паулиш, Г.Э.Шайблер,
В.Л.Альперович, А.С.Терехов
Неравновесные явления при формировании субмонослойных
цезиевых покрытий на поверхности GaAs(001) .................... 100

А.Э.Климов, В.Н.Шумский, В.С.Эпов
Особенности динамики тока в пленках PbSnTe:In в сильных
магнитных полях ............................................... 101

Ю.С.Вайнштейн, О.Б.Гусев, Ю.К.Ундалов, О.С.Ельцина,
Е.И.Теруков, О.М.Сресели
Фотоответ и фотолюминесценция нанокластеров аморфного
кремния в матрице нестехиометрического субоксида кремния ...... 102

Е.В.Богданов, Н.Я.Минина, С.С.Широков
Особенности электролюминесценции и перестройка спектра дырок
в п-AlGaAs/GaAsP/p-AlGaAs при одноосном сжатии ................ 103

A.В.Войцеховский, С.Н.Несмелов, С.М.Дзядух, В.С.Варавин,
С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев
Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе
гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным
распределением состава ........................................ 104

Д.В.Дмитриев, И.В.Марчишин, А.А.Быков
Микроволновая фотопроводимость двумерного электронного газа
в гетероструктурах GaAs/AlAs при больших факторах заполнения .. 105

B.С.Ефанов, Г.Н.Камаев, А.Х.Антоненко, А.А.Гисматулин,
А.С.Гилева, М.Д.Ефремов
Формирование и исследование фотоэлектрических свойств
наноразмерных гетероструктур Si\SiO2 на кремнии ............... 106

А.А.Исмаилов, Н.Д.Ахмедзаде, М.М.Ширинов
Эффект появления дополнительных неравновесных носителей
заряда в монокристаллах GaSe и InSe ........................... 107

A.Н.Акимов, А.Э.Климов, Д.В.Ищенко, Н.С.Пащин,
В.Н.Шерстякова, В.Н.Шумский
Исследование гальваномагнитных и фотоэлектрических свойств
твердых растворах Pb1-xSnxTe:In в зависимости от содержания
олова ......................................................... 108

Д.В.Комбаров, В.Я.Костюченко, Д.Ю.Протасов, С.А.Дворецкий,
Н.Н.Михайлов, B.С.Варавин
Влияние низкотемпературных отжигов на свойства ГЭС КРТ МЛЭ
р-типа ........................................................ 109

В.Я.Костюченко, A.B.Трифанов, Д.Ю.Протасов,
А.В.Войцеховский
Автоматизированный комплекс определения рекомбинационно-
диффузионных параметров в плёнках узкозонных
полупроводников р-типа ........................................ 110

Д.Мелебаев
Фоточувствительность наноструктурированных диодов Шоттки
Аu-окисел-n-GaP в УФ области спектра .......................... 111

A. П.Ковчавцев, Г.Л.Курышев, И.И.Ли, А.Е.Настовьяк,
В.Г.Половинкин, А.В.Царенко, B. М.Гайлес, В.Н.Гаштольд,
А.П.Казак, В.П.Хромов
Адмиттанс Si-МОП-структур с глубокой примесью ................. 112

А.Н.Акимов, А.Э.Климов, Н.С.Пащин, В.Н.Шумский
Особенности динамики фототока в пленках PbSnTe:In в
терагерцевой области спектра .................................. 113

Ю.Г.Пейсахович, А.А.Штыгашев
Нестационарная фотоэмиссия через поверхностную
гетероструктуру и матрица плотности ........................... 114

A.В.Предеин, В.В.Васильев, И.В.Сабинина, Н.Н.Михайлов,
В.С.Варавин, Ю.Г.Сидоров
Двухцветный фотодиод на основе слоев ГЭС КРТ МЛЭ .............. 115

B.Я.Костюченко, Д.Ю.Протасов, А.В.Войцеховский,
Ю.Б.Андрусов, И.А.Денисов
Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект на
плёнках ГЭС ЖФЭ р-КРТ ......................................... 116

С.А.Рожков, Г.Э.Шайблер, В.В.Бакин, С.Н.Косолобов,
А.С.Терехов, А.Ю.Андреев, К.Ю.Телегин, А.А.Падалица,
А.А.Мармалюк
Влияние «фотонного переноса» на транспорт электронов в
полупрозрачных p+-GaAs(Cs,0) - фотокатодах .................... 117

А.В.Сорочкин, В.С.Варавин, А.В.Предеин, И.В.Сабинина,
М.В.Якушев
Фотоэлектрические характеристики диодов на основе
HgCdTe/Si(310) ................................................ 118

A.M.Ташлиева
Фоточувствительность барьеров Шоттки Au-p-GaP ................. 119

О.Е.Терещенко, А.Г.Паулиш, Т.С.Шамирзаев, М.Н.Неклюдова,
А.К.Гушаковский, А.М.Гилинский, Д.В.Дмитриев, А.И.Торопов,
X.Li., G.Lampel,  Y.Lassailly, D.Paget, J.Peretti
Оптический детектор спина электрона на основе структур
Pd/Fe/GaAs/InGaAs ............................................. 120

A.В.Войцеховский, Д.В.Григорьев, Е.Ю.Марфин, О.П.Пчеляков,
А.И.Никифоров 
Влияние квантовых точек Ge на эффективность преобразования
солнечного элемента на основе Si .............................. 121

B.М.Ефимов, А.А.Гузев
Определение деформаций и термомеханических напряжений в
матричных гибридных сборках на основе InAs .................... 122


Ф.Ф.Сизов, В.В.Забудский, З.Ф.Цибрий, С.Г.Бунчук, Н.И.Момот,
Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий
Регистрация ТГц/суб-мм излучения структурами с квантовыми
ямами на основе КРТ ........................................... 123

В.Л.Курочкин, А.В.Зверев, И.И.Рябцев, И.Т.Неизвестный,
А.А.Вольф, Ю.В.Курочкин, А.Г.Черевко
Регистрация одиночных фотонов на длине волны 1,5 мкм .......... 124

В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, А.П.Ковчавцев, Г.Л.Курышев,
И.И.Ли, Н.Н.Михайлов, А.Е.Настовьяк, В.Г.Половинкин,
Ю.Г.Сидоров
Свойства МДП структур на основе КРТ с пассивирующими слоями
CdTe/ZnTe/ZnS ................................................. 125

И.О.Парм. Ю.П.Машуков, Е.В.Федосенко, В.В.Васильев
Формирование границы раздела диэлектрик-полупроводник для
тройного соединения теллурид кадмия ртути в процессе
низкотемпературного синтеза диоксида кремния .................. 126

В.М.Ефимов. G.Lecarpentier, G.Ribette
Современные средства гибридизации матричных фотоприемников
ИК-диапазона .................................................. 127

А.Б.Беркин
Моделирование импульсного режима усиления МКП ................. 128

Л.М.Балясный, Ю.Н.Гордиенко, О.В.Чистов, Д.А.Широков,
А.Ю.Варфоломеев, П.А.Сысоев
Фотоприемный модуль на основе ЭОП с УФ ОЭС фотокатодом ........ 129

А.С.Агеев, А.Б.Дмитриев, А.С.Кандауров, Л.Г.Давыдова
Дневной-ночной прицел ПН22К ................................... 130

Е.В.Дружкин, Т.Н.Хацевич
Малогабаритные приборы ночного видения ........................ 131

A.В.Войцеховский, Д.И.Горн, И.И.Ижнин, А.И.Ижнин<
Теоретический анализ спектра фотолюминесценции
гетероструктуры КРТ МЛЭ с одиночной КЯ ........................ 132

Е.О.Ульянова
Объективы для тепловизионных приборов на основе матричных
фотоприемных устройств ........................................ 133

Д.А.Чунарев, А.С.Кандауров, Л.Г.Давыдова
Повышение скрытности дневных и ночных прицелов и приборов
наблюдения без существенного ухудшения качества изображения ... 134

Д.Е.Миловзоров
Нелинейные оптоэлектронные приборы на основе пленок
фторированного нанокристаллического кремния ................... 135

О.В.Алымов, А.В.Афанасьев, В.А.Ильин, А.В.Матусов,
А.С.Петров
Исследование диодных свойств гетероструктур 3С-SiC/Si с
буферным слоем на основе карбидизированного нанопористого
кремния ....................................................... 136

И.И.Кремис
Высокоэффективный алгоритм компенсации дефектных элементов
многоэлементных фотоприемных устройств ........................ 137

B.Г.Половинкин, В.М.Базовкин, Г.Л.Курышев, И.В.Мжельский
Сканирующий инфракрасный микроскоп ............................ 138

Г.Е.Журов, М.Ю.Цивинский
Универсальная модульная реконфигурируемая система для
обработки видеопотоков в тепловизионных и многоканальных
системах в масштабе реального времени ......................... 139

И.В.Касаткин
Компьютерное моделирование тепловизионных изображений ......... 140

С.М.Борзов, В.И.Козик, А.С.Феоктистов, С.С.Милосердов
Методы оценки параметров тепловизионных камер ................. 141

Е.А.Крапивко, А.О.Морозов, А.С.Рафаилович
Комплект унифицированных модулей для создания устройств
отображения видеоинформации ................................... 142

А.С.Рафаилович
Возможные варианты компоновки оптической схемы бинокулярного
тепловизора с одним фотоприёмником ............................ 143

В.С.Варавин, Б.В.Васильев, С.А.Вергилес, А.В.Голицын,
С.А.Дворецкий, П.П.Добровольский, Г.Е.Журов, Ю.Л.Кравченко,
И.И.Кремис, В.А.Моисеев, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров,
Ю.Ф.Тетерятник, Л.В.Тимин, А.В.Турбин, Т.Н.Хацевич,
М.Ю.Цивинский, С.Д.Чибурун, В.Б.Шлишевский, Т.В.Яшина
Унифицированные модули и тепловизионные каналы на
отечественных и импортных фотоприемных матрицах ............... 144

Г.Л.Курышев, И.В.Мжельский, А.Е.Настовьяк, В.Г.Половинкин
Определение абсолютной температуры микрообъектов в ИК
микроскопии ................................................... 145

М.С.Никитин, А.А.Другова, В.А.Холоднов, Г.В.Чеканова
Моделирование характеристик плотноупакованных охлаждаемых
фотовольтаических инфракрасных фокальных матриц ............... 146

B.В.Карпов, В.П.Астахов, П.Д.Гиндин, В.П.Ежов
Результаты модернизации технологии изготовления фотодиодов
из антимонида индия ........................................... 147

А.В.Голицын, Г.Е.Журов, М.Ю.Цивинский, А.А.Голицын,
Т.В.Яшина, В.А.Навражных, C.С.Мишанин
Тепловизионный прицел для стрелкового оружия .................. 148

Авторский указатель ........................................... 149

Список участников ............................................. 153