Список условных сокращений ...................................... 8
Введение ....................................................... 10

Глава 1. Исследование направлений и путей развития 
сложнофункциональных изделий микроэлектроники, проектирование
РЭА на основе СБИС типа "система на кристалле" ................. 35
1.1  Исследования направлений и путей развития 
     сложнофункциональных изделий микроэлектроники, их
     функционального состава и характеристик ................... 37
1.2  Особенности конструирования СБИС типа "система на 
     кристалле", основные проектные платформы СБИС типа 
     "система на кристалле" .................................... 38
     1.2.1  Процессорные ядра и СФ-блоки многократного
            использования ...................................... 47
     1.2.2  СБИС типа "система на кристалле" на базе
            реконфигурируемых структур ......................... 49
     1.2.3  Встраиваемые программируемые логические ядра ....... 58
     1.2.4  Аналоговые функциональные блоки и блоки со
            смешанной обработкой сигнала для СБИС типа 
            "система на кристалле" ............................. 58
     1.2.5  СФ-блоки цифровых приемников/передатчиков типа
            "система на кристалле" ............................. 58
Выводы к главе 1 ............................................... 59

Глава 2. Разработка и обеспечение реализации научно-
методических принципов управления научно-техническим уровнем
высокоинтегрированных электронных систем ....................... 65
2.1  Системный анализ физико-технологических ограничений 
     реализации развития технического уровня 
     сложнофункциональных микроэлектронных систем .............. 67
2.2  Анализ функциональной полноты и достаточности 
     разрабатываемых и планируемых к разработке СФ-блоков для
     проектируемых СнК в обеспечение РЭА ....................... 71
     2.2.1  Структурные решения СБИС типа "система на 
            кристалле", направления их развития и опыт
            реализации ......................................... 73
     2.2.2  Определение степени применяемости СФ-блоков ........ 88
2.3  Оценка достаточности действующей НТД по разработке
     и производству СБИС типа СнК с использованием СФ-блоков ... 94
     2.3.1  Направления перспективных работ по созданию
            нормативных документов по СФ-блокам и СБИС типа
            СнК в интересах РЭА ............................... 101
2.4  Организация разработки СБИС типа "система на кристалле"
     на основе СФ-блоков ...................................... 104
     2.4.1  Инфраструктура разработки СБИС типа СнК ........... 107
     2.4.2  Основные методические этапы по развитию 
            инфраструктуры проектирования СФ-блоков и СнК ..... 114
     2.4.3  Современные подходы к проектированию СБИС
            с топологическими нормами 0,18—0,25 мкм и 
            последующим переходом в нанометровые области ...... 116
2.5  Применение статистического метода для анализа и
     прогнозирования развития проектно-технологического 
     базиса сложнофункциональных СБИС ......................... 125
     Выводы к главе 2 ......................................... 133

Глава 3. Формирование унифицированной номенклатуры СФ-блоков
по технологии КМОП/КНС для создания радиационно-стойких СБИС
типа "система на кристалле" ................................... 136
3.1  Анализ направлений и путей развития в области 
     проектирования и изготовления сложнофункциональных
     изделий микроэлектроники типа СБИС "система на
     кристалле" на основе СФ-блоков, анализ проектно-
     технологических возможностей по их реализации ............ 138
     3.1.1  Исследование архитектурно-структурных решений 
            СБИС типа СнК ..................................... 143
3.2  Специальные требования к СФ-блокам СБИС типа "система 
     на кристалле", предназначенным для работы в аппаратуре
     космических аппаратов с длительным сроком эксплуатации ... 148
3.3  Тенденции развития СБИС для бортовой космической 
     аппаратуры. Выбор и обоснование технологии, 
     обеспечивающей изготовление СБИС типа "система на 
     кристалле" для космических аппаратов с длительным 
     сроком эксплуатации ...................................... 152
     Выводы к главе ........................................... 159

Глава 4. Исследования по созданию технологии производства
структур с ультратонкими слоями кремния на сапфире ............ 162
4.1  Анализ современного состояния технологий производства 
     КНС структур с ультратонким эпитаксиальным слоем 
     кремния и КМОП-микросхем на основе КНС структур с 
     ультратонким слоем кремния ............................... 162
4.2  Создание СБИС, в том числе типа "система на кристалле",
     и СФ-блоков для них по технологии КМОП/КНС аппаратуры .... 163
     управления ракетно-космической техники и автоматики
     специального назначения .................................. 175
4.3  Разработка и создание технологии КНС структур с 
     ультратонкими слоями кремния и проектных решений для
     реализации КМОП/КНС СБИС на их основе .................... 176
Выводы к главе 4 .............................................. 178

Заключение .................................................... 182

Литература .................................................... 190

Приложение А (Справочно-аналитическое).
Научно-методические рекомендации (аннотировано). 
Исследование и разработка методов физико-технического и 
нормативно-методического контроля технического уровня СБИС
с предельными топологическими нормами ......................... 199

Приложение Б
Информационная среда проектирования. Методические 
рекомендации. Состав и основное содержание разделов
справочно-информационного листа для описания СФ-блоков на 
различных этапах интеграции в СБИС и требования к содержанию
заявки на разработку СБИС типа "система на кристалле" ......... 206

Приложение В (аннотировано).
Информационная среда проектирования. Методические
рекомендации по правилам заказа на изготовление СБИС в
режиме Foundry ................................................ 237