Предисловие ..................................................... 3
Институт физики полупроводников им. A.B. Ржанова СО РАН в 
XXI веке: достижения и перспективы
   A.B. Латышев, А.Л. Асеев ..................................... 5

Глава I. Низкоразмерные системы: теория и эксперимент .......... 39

Исследования по электронной теории двумерных систем в ИФП
   A.B. Чаплик, М.В. Энтин ..................................... 39
Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
   З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Д.А. Козлов, H.H. Михайлов,
   С.А. Дворецкий .............................................. 61
Наногетероструктуры с квантовыми точками на основе кремния
   A.B. Двуреченский, А.И. Якимов .............................. 76
Электронный транспорт: от наноструктур к 
наноэлектромеханическим системам.
   А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, A.A. Шевырин, Е.Ю. Жданов,
   Д.А. Похабов ............................................... 103
Нелинейная проводимость двумерного электронного газа при 
больших факторах заполнения
   A.A. Быков, И.В. Марчишин, И.С. Стрыгин, Д.В. Дмитриев,
   A.B. Горан ................................................. 124
Вычислительно-экспериментальная интроскопия субмикронных
квантовых и одноэлектронных GaAs/AlGaAs-структур
   В.А. Ткаченко, O.A. Ткаченко, З.Д. Квон, Д.В. Щеглов,
   А.Л. Асеев ................................................. 132
Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных
полупроводниковых систем
   А.Г. Милехин ............................................... 152

Глава II. Поверхность, гетерограницы, структурные дефекты ..... 176

Атомные процессы на поверхности кремния
   A.B. Латышев, С.С. Косолобов, Д.А. Носимов, 
   С.В. Ситников, Д.И. Рогило, Е.Е. Родякина, 
   Л.И. Федина, А.Б. Красильников, А.Л. Асеев ................. 176
Атомная структура полупроводниковых низкоразмерных
гетеросистем
   А.К. Гутаковский, A.B. Латышев, А.Л. Асеев ................. 198
Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в
равновесных условиях
   В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Д.М. Казанцев, Н.С. Рудая,
   Е.Е. Родякина, A.C. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.Н. Карпов,
   Н.Л. Шварц, A.C. Терехов, A.B. Латышев ..................... 221
Атомные процессы при формировании напряженных слоев Ge на 
подложках Si(111) и (001) в рамках механизма роста
Странского—Крастанова
   С.А.Тийс ................................................... 241
Дальнодействующие поля дислокаций несоответствия и 
структурное состояние полупроводниковой гетеросистемы
   Е.М. Труханов, A.B. Колесников, И.Д. Лошкарев, 
   A.C. Ильин, А.П. Василенко ................................. 254
Краевые дислокации несоответствия в эпитаксиальных 
напряженных пленках полупроводников с решеткой сфалерита и 
алмаза
   Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.И. Дерябин,
   Л.В. Соколов ............................................... 266
Новые технологии пассивации поверхности InAs в плазме
тлеющего разряда. В.Г. Кеслер,
   A.A. Гузев, З.В. Панова, А.П. Ковчавцев .................... 289
Отрыв и детектирование двойных спиралей ДНК при помощи 
кварцевого резонатора.
   Ф.Н. Дульцев, Е.А. Колосовский, A.A. Ломзов, 
   Д.В. Пышный ................................................ 295

Глава III. Молекулярно-лучевая эпитаксия ...................... 301

Молекулярно-лучевая эпитаксия CdxHg1-xTe.
   Ю.Г. Сидоров, А.П. Анциферов, B.C. Варавин, 
   С.А. Дворецкий, H.H. Михайлов, М.В. Якушев,
   И.В. Сабинина, В.Г. Ремесник, Д.Г. Икусов,  И.Н. Ужаков,
   Г.Ю. Сидоров, В.Д. Кузьмин, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец, 
   A.C. Мардежов, Е.В. Спесивцев, А.К. Гутаковский,
   A.B. Латышев, К.К. Свиташев ................................ 301
Развитие технологических основ молекулярно-лучевой эпитаксии
многослойных гетероструктур на основе соединений А3В5
   А.И. Торопов ............................................... 329
Молекулярно-лучевая эпитаксия сверхрешеток II типа InAs/GaSb
для фотоприемников ИК-диапазона
   Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, A.B. Васев, М.А. Путято,
   Б.Р. Семягин, И.Б. Чистохин, А.К. Гутаковский, 
   А.П. Василенко, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский ......... 336
Морфология поверхности слоев германия, выращенных на чистых
и оксидированных поверхностях кремния
   A.A. Шкляев, К.Н. Романюк, С.С. Косолобов, A.B. Латышев .... 344
Монте-Карло-моделирование процессов формирования 
полупроводниковых наноструктур
   И.Т. Неизвестный, Н.Л. Шварц ............................... 356
Термодинамика и кинетика образования кристаллов из жидкой 
фазы
   Б.И. Кидяров ............................................... 372

Глава IV. Полупроводниковая опто- и фотоэлектроника ........... 378

Сверхминиатюрные излучатели на основе полупроводниковых
наноструктур.
   В.А. Гайслер, A.B. Гайслер, И.А. Деребезов, A.C. Ярошевич,
   А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.К. Калагин, А.И. Торопов,
   М.М. Качанова, Ю.А. Живодков, Т.А. Гаврилова, 
   A.C. Медведев, Л.А. Ненашева, В.М. Шаяхметов,
   О.И. Семенова, К.В. Грачев, В.К. Сандырев,
   A.C. Кожухов, Д.В. Щеглов, Д.Б. Третьяков, И.И. Бетеров,
   В.М. Энтин, И.И. Рябцев, A.B. Латышев, А.Л. Асеев .......... 378
Инфракрасные фотоприемники на основе оптимизированных
гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия и ртути, 
выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   Д.В. Брунев, B.C. Варавин, В.В. Васильев, 
   С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, H.H. Михайлов, 
   И.О. Парм, A.B. Предеин, И.В. Сабинина, 
   А.О. Сусляков, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г Сидоров, М.В. Якушев,
   К.К. Свиташев, В.Н Овсюк, А.Л. Асеев ....................... 401
От электронных процессов на поверхности полупроводников к 
инфракрасным матричным приемникам
   В.Н. Овсюк, М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев .................... 426
Фотоэмиссионные явления на поверхности p-
GaAs(Cs,O)-фотокатодов.
   В.В. Бакин, Д.В. Горшков, С.Н. Косолобов, С.А. Рожков, 
   Г.Э. Шайблер, A.C. Терехов ................................. 447
Фотоприемники зарядовой инжекции на InAs и InSb
   А.П. Ковчавцев, Н.А. Валишева, В.М. Базовкин, A.A. Гузев,
   И.И. Ли, В.Г. Половинкин, В.М. Ефимов, A.C. Строганов,
   A.B. Царенко, И.В. Мжельский, З.В. Панова, 
   А.Е. Настовьяк, Н.Р. Вицина, Т.А. Левцова, С.Ф. Девятова,
   Н.Б. Кузьмин ............................................... 461
Эпитаксиальные пленки твердого раствора PbSnTe:In для
приемников сверхдальнего ИК- и терагерцевого диапазонов
   А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумский ................ 484

Глава V. Радиационные процессы в полупроводниковых 
структурах .................................................... 504

Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации 
твердых тел ("лазерный отжиг")
   A.B. Двуреченский .......................................... 504
Протяженные топологические дефекты в плоскости {113}, 
возникающие в Si за счет смешанной кластеризации вакансий и
собственных междоузельных атомов
   Л.И Федина, А.К. Гутаковский, A.B. Латышев, А.Л. Асеев ..... 518
Кремний-на-изоляторе
   И.Е. Тысченко, В.П. Попов .................................. 541

Глава VI. Новые материалы для электронной компонентной базы ... 565

Арсенид и нитрид галлиевые гетероструктуры для СВЧ-приборов.
   К.С. Журавлев, А.И. Торопов ................................ 565
Интегральные и гибридные технологии в кремниевой силовой
электронике.
   A.B. Шереметьев, В.П. Попов, Е.В. Чернявский, 
   Ю.И. Красников ............................................. 570
Трехмерные наноструктуры и системы: технология, физика и 
практические применения.
   В.Я. Принц ................................................. 594
Природа дефектов, ответственных за транспорт в элементе
резистивной памяти на основе оксида гафния
   Д.Р. Исламов, Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, В.Ш. Алиев,
   A.A. Сараев, В.В. Каичев, М.В. Иванова, М.В. Заморянская ... 614
Прикладной и фундаментальный пористый кремний
   С.И. Романов ............................................... 626
Плазмохимический нитрид кремния в современных приложениях
   О.И. Семенова, И.В. Швейгерт ............................... 646

Глава VII. Оптика, лазерная спектроскопия и квантовая 
информатика ................................................... 657

Экспериментальная квантовая информатика с одиночными атомами
и фотонами
   И.И. Рябцев, И.И. Бетеров, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин,
   Е.А. Яншина, B.Л. Курочкин, A.B. Зверев, Ю.В. Курочкин,
   И.Т. Неизвестный ........................................... 657
Когерентные переходные процессы в атомарных и молекулярных 
газах
   В.Г. Гольдорт, В.Н. Ищенко, С.А. Кочубей, Д.В. Ледовских,
   H.H. Рубцова, Е.Б. Хворостов ............................... 679
Накачка широкозонных полупроводников электронными пучками,
генерируемых в открытом разряде
   П.А. Бохан, Дм.Э. Закревский, К.С. Журавлев ................ 697
Зеркала с насыщающимися поглотителями на основе 
наноразмерных гетероструктур.
   A.A. Ковалев, С.А. Кочубей, В.В. Преображенский, 
   М.А. Путято, H.H. Рубцова, Б.Р Семягин, Т.С. Шамирзаев ..... 711
Киноформная оптика для силовых и метрологических лазерных
систем 
   В.В. Атучин, И.С. Солдатенков .............................. 717
Оптический мультиплексор на основе множества связанных 
волноводов в структурах кремний-на-изоляторе
   A.B. Царев ................................................. 722

Глава VIII. Научное приборостроение ........................... 736

Физико-технологические основы построения оптико-
информационных систем для видимого, инфракрасного и
миллиметрового диапазонов длин волн
   Д.В. Алантъев, A.B. Гелъфанд, A.B. Голицын, 
   A.B. Гусаченко, Г.Е. Журов, Ю.Л. Кравченко, И.И. Кремис,
   С.А. Кузнецов, А.Г. Паулиш, В.Н. Федоринин,
   В.Б. Шлишевский ............................................ 736
Оптическая эллипсометрия - прецизионный метод исследования
тонкопленочных структур
   С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец, Е.В. Спесивцев, В.Н. Кручинин,
   В.В. Атучин, H.H. Михайлов ................................. 761
Функциональная оптимизация ручных комбинированных оптико-
электронных приборов наблюдения и зондирования
   A.B. Голицын, Г.Е. Журов, В.Б. Шлишевский .................. 781
Коротковолновое спектрально-узкополосное матричное
тепловидение
   Б.Г. Вайнер ................................................ 793
Инструментарий параллельного мультипрограммирования
пространственно-распределенных вычислительных систем
   К.В. Павский, М.Г. Курносое, А.Ю. Поляков, A.A. Пазников,
   С.Н. Мамойленко, A.B. Ефимов ............................... 820