Graphene nanoelectronics: from materials to circuits (New York, 2012). - ОГЛАВЛЕНИЕ / CONTENTS
Навигация

Архив выставки новых поступлений | Отечественные поступления | Иностранные поступления | Сиглы
ОбложкаGraphene nanoelectronics: from materials to circuits / ed. by R.Murali, foreword by J.Welser. - New York: Springer, 2012. - xii, 265 p.: ill. (some col.). - Incl. bibl. ref. - Ind.: p.263-265. - ISBN 978-1-4614-0547-4
 

Оглавление / Contents
 
1  CMOS Performance Scaling ..................................... 1
   Ali Khakifirooz and Dimitri A. Antoniadis
2  Electronic Transport in Graphene ............................ 17
   Jun Zhu
3  Graphene Transistors ........................................ 51
   Raghu Murali
4  Alternative State Variables for Graphene Transistors ........ 93
   Kosmas Galatsis, Alexander Shailos, Ajey P. Jacob, and 
   Kang L. Wang
5  Transport of Novel State Variables ......................... 113
   Shaloo Rakheja and Azad Naeemi
6  Formation of Epitaxial Graphene ............................ 137
   D. Kurt Gaskill and Luke O. Nyakiti
7  Graphene Growth by CVD Methods ............................. 167
   Alfonso Reina and Jing Kong
8  Chemical Approaches to Produce Graphene Oxide and Related
   Materials .................................................. 205
   Alexander Sinitskii and James M. Tour
9  Atomic Layer Deposition of Dielectrics on Graphene ......... 235
   Nelson Y. Garces, Virginia D. Wheeler, and D. Kurt
   Gaskill
List of Abbreviations ......................................... 259
Index ......................................................... 263


Архив выставки новых поступлений | Отечественные поступления | Иностранные поступления | Сиглы
 

[О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Библиография | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск]
  © 1997–2024 Отделение ГПНТБ СО РАН  

Документ изменен: Wed Feb 27 14:25:12 2019. Размер: 4,821 bytes.
Посещение N 1449 c 27.08.2013