Введение ........................................................ 3
Глава 1 Методы неразрушающего контроля диагностических
параметров полупроводниковых изделий ................... 5
1.1 Общие требования ........................................... 5
1.2 Критерии прогнозирования потенциальной ненадежности ИС
по внезапным и параметрическим отказам ..................... 9
Глава 2. Разбраковка полупроводниковых изделий по токовым
параметрам ............................................ 14
2.1 Разбраковка транзисторов по величине токов утечки ......... 14
2.2 Отбраковка маломощных биполярных транзисторов с
дефектами, возникающими в системе кристалл-пластмасса ..... 16
2.3 Отбраковка ненадежных КМДП ИС по току потребления ......... 18
Глава 3 Методы диагностики биполярных ИС измерением
критического напряжения питания ....................... 22
3.1 Метод "Термо КНП" ......................................... 23
3.2 Метод "Ток КНП" ........................................... 29
3.3 Метод частотной зависимости критического напряжения
питания ................................................... 33
3.4 Радиационно-диагностический метод с измерением
критического напряжения питания ........................... 34
Глава 4 Радиационные методы диагностики полупроводниковых
изделий ............................................... 36
4.1 Метод ускоренных испытаний МОП интегральных схем .......... 37
4.2 Метод отбраковки МДП структур путем облучения импульсным
лазерным лучом ............................................ 40
4.3 Отбор радиационностойких полупроводниковых изделий ........ 42
4.4 Отбор полупроводниковых изделий по стойкости или
надежности ................................................ 46
Глава 5 Разделение партий полупроводниковых изделий по
стойкости к электростатическим разрядам ............... 52
5.1 Воздействие электростатических разрядов на
полупроводниковые изделия ................................. 52
5.2 Разделение партий ИС по стойкости к электростатическим
разрядам .................................................. 54
5.3 Метод разделения транзисторов по стойкости к ЭСР .......... 56
5.4 Способ выборочного контроля надежности транзисторов в
партии .................................................... 60
5.5 Выделение из партии ИС повышенной надежности .............. 63
Глава 6 Отбраковка ненадежных полупроводниковых изделий
различными методами ................................... 67
6.1. Разбраковки КМОП ИС по уровням надежности с
использованием измерения времени задержки
распространения сигнала ................................... 67
6.2 Метод гидростатического давления для отбраковки
полупроводниковых приборов с определенным типом дефекта ... 70
6.3 Оценка уровня загрязнений кристаллов интегральных схем,
приводящих к коррозии алюминиевой металлизации ............ 72
6.4 Отбраковка потенциально ненадежных маломощных
транзисторов методом кратковременной импульсной токовой
тренировки (КИТТ) ......................................... 76
6.5 Отбраковка биполярных транзисторов по информативному
параметру ................................................. 77
Глава 7 Диагностические методы испытаний полупроводниковых
изделий по тепловым параметрам ........................ 79
7.1 Оценка МДП приборов по величине изменения параметров в
результате последовательного воздействия импульсов
греющей и термостабилизирующей мощности ................... 79
7.2 Отбраковка потенциально ненадежных мощных транзисторов
по тепловым характеристикам после подачи мощности для
разогрева кристалла ....................................... 84
7.3 Метод отбраковки ненадежных транзисторов по кривым
остывания ................................................. 87
Заключение ..................................................... 90
Литература ..................................................... 91
|
