ПРЕДИСЛОВИЕ ..................................................... 3
ВВЕДЕНИЕ ........................................................ 6
ГЛАВА 1. ДИССИПАТИВНЫЕ СОСТОЯНИЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ГРАНУЛИРОВАННЫХ
СВЕРХПРОВОДНИКОВ ....................................... 9
1.1. Диссипативные состояния в узких сверхпроводящих каналах .... 9
1.2. Диссипативные (резистивные) токовые состояния в широких
пленках ................................................... 19
1.2.1. Планарные сверхпроводники .......................... 19
1.2.2. Метастабильные резистивные состояния
в пленках с дефектами .............................. 21
1.2.3. Локальный характер разрушения сверхпроводимости .... 37
1.2.4. Ток появления диссипативного состояния
и барьер Бина-Ливингстона .......................... 41
1.2.5. Расслоение образца на сверхпроводящие
и нормальные области ............................... 52
1.2.6. Особенности процессов тепловыделения в
образцах при разрушении сверхпроводимости током .... 61
1.2.7. Распределение электрического поля в области
локального разрушения сверхпроводимости ............ 78
1.2.8. Определение температуры в области локального
разрушения сверхпроводимости ....................... 94
1.2.9. Линии проскальзывания фазы и стоячая
волна магнитного потока ........................... 102
1.2.10.Нестационарное диссипативное состояние
в широких пленках с дефектами ..................... 109
1.2.11.Особенности перехода в диссипативное
состояние бесщелевых сверхпроводников ............. 112
ГЛАВА 2. ПРОНИКНОВЕНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ
ТРАНСПОРТНОГО ТОКА И РЕЗИСТИВНЫЕ
СОСТОЯНИЯ КЕРАМИЧЕСКИХ ВТСП .......................... 117
2.1. Общие характеристики и методы приготовления
образцов ................................................. 119
2.2. Влияние магнитного поля и тока на резистивный переход .... 134
2.3. Обоснование метода определения времен магнитной
релаксации из измерений магнитной восприимчивости ........ 141
2.4. Проникновение магнитного поля транспортного тока
в цилиндрический сверхпроводник II рода .................. 153
2.5. Сравнение свойств керамических ВТСП-образцов
и идеального сверхпроводника II рода
с барьером Бина-Ливингстона .............................. 167
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ДИССИПАТИВНЫЕ
РЕЗИСТИВНЫЕ СОСТОЯНИЯ КЕРАМИЧЕСКИХ ВТСП .............. 175
3.1. Влияние на критический ток продольных магнитных полей.
Обнаружение спиральных вихрей ............................ 175
3.2. Определение линий необратимости .......................... 186
3.3. Влияние поперечных круговых магнитных полей
на критический ток ....................................... 192
3.4. Влияние на ток появления диссипативного
состояния захваченных образцом
магнитных полей .......................................... 193
3.4.1. Влияние поперечных круговых
магнитных полей ................................... 196
3.4.2. Обнаружение разорванных магнитных квантованных
вихрей Абрикосова ................................. 210
3.4.3. Влияние продольных полей .......................... 219
3.4.4. Совместное влияние продольных и поперечных
магнитных полей ................................... 233
ГЛАВА 4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ
ПРОВОДИМОСТИ ИТТРИЕВОЙ КЕРАМИКИ
ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ ОТ 300 К И ВЫШЕ ..................... 237
4.1. Нелинейные эффекты в электрической
проводимости твердых тел ................................. 237
4.1.1. Дрейфовая и концентрационная нелинейность ......... 238
4.1.2. Температурный механизм нелинейности ............... 239
4.1.3. Способы получения отрицательной
дифференциальной проводимости ..................... 241
4.2. Нелинейные эффекты в электрической
проводимости ВТСП-керамики ............................... 244
4.2.1. Температурно-концентрационная неустойчивость
появления температурно-электрического домена ...... 246
4.2.2. Влияние внешних условий на свойства доменов ....... 250
4.2.3. Пространственная динамика домена
и результаты теоретической модели ................. 256
4.3. Исследование причин изменения нелинейности ВАХ ........... 265
4.3.1. Влияние транспортного тока на перенос анионов
и катионов ........................................ 265
4.3.2. Определение изменения макроструктуры и
параметров кристаллической решетки образцов ....... 271
4.3.3. Деградация образцов ............................... 274
ГЛАВА 5. СОСТОЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КЕРАМИКАХ СO
СТРУКТУРОЙ ТИПА ΥBCO ................................. 279
5.1. Корреляция между структурными и сверхпроводящими
свойствами ............................................... 280
5.2. Роль плоскостей CuO2 и цепочек Cu-O в переносе
электрических зарядов в ΥBa2Cu3O6+x ....................... 283
5.3. Изменение Тс, обусловленное обменом зарядами между
плоскостями CuO2 и цепочками CuO ......................... 290
5.4. Особенности в распределении носителей заряда ............. 291
ГЛАВА 6. ФЛУКТУАЦИОННАЯ ПРИРОДА ПЕРЕХОДА В СВЕРХПРОВОДЯЩЕЕ
СОСТОЯНИЕ И ДВУМЕРНЫЕ МОДЕЛИ СПАРИВАНИЯ .............. 295
6.1. Флуктуационные явления в низкотемпературных
сверхпроводниках ......................................... 301
6.2. Свойства ΥBa2Cu3O7-δ образцов и их аналогов
в области флуктуационной сверхпроводимости ............... 310
6.3. Влияние на парапроводимость ΥBa2Cu3O7-δ образцов
концентрации подвижных дырок ............................. 321
6.4. Влияние давления на парапроводимость ..................... 336
6.5. Влияние эффекта близости на парапроводимость ............. 339
ЛИТЕРАТУРА .................................................... 349
|