Навигация
ОбложкаСлед на земле. Солдат, ученый, учитель: посвящается памяти акад. А.В.Ржанова (1920-2000 гг.) / отв. ред. И.Г.Неизвестный; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2002. - 443 с.
Оглавление книги
ПРЕДИСЛОВИЕ ..................................................... 3
РЖАНОВ А.В. «О СОБЫТИЯХ, ФАКТАХ, ЛЮДЯХ» ......................... 5

                ИЗБРАННЫЕ НАУЧНЫЕ ТРУДЫ А.В.РЖАНОВА  
Ржанов А.В. Титанат бария - новый сегнетоэлектрик ............. 123
Ржанов А.В. Современные взгляды на природу выпрямления
  кристаллических детекторов .................................. 149
Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация и ее влияние на
  характеристики полупроводниковых приборов ................... 173
Ржанов А.В., Неизвестный И.Г. и Росляков В.В. Исследования
  поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации в
  образцах германия ........................................... 182
Ржанов А.В., Новотоцкий-Власов Ю.Ф. и Неизвестный И.Г.
  Исследование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в
  образцах германия ........................................... 197
Ржанов А.В. О применимости метода стационарной
  фотопроводимости для исследования зависимости скорости
  поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала ..... 209
Ржанов A.В. Статистика рекомбинации при захвате носителей
  заряда возбужденными состояниями центра рекомбинации ........ 218
Овсюк B.Н. и Ржанов А.В. О квазинепрерывном спектре уровней
  в запрещенной зоне на поверхности полупроводника ............ 226
Ржанов А.В. Характер энергетического спектра поверхностных
  состояний и кинетика импульсного эффекта поля ............... 229
Гузев А.А., Курышев Г.Л., Ржанов А.В. Исследование процессов
  захвата носителей заряда в МНОП-структурах с туннельно-
  тонким слоем двуокиси кремния ............................... 238
Александров Л.Н., Ржанов А.В. Получение и изучение свойств
  полупроводниковых пленок .................................... 244
Ржанов А.В., Стенин С.И. Молекулярная эпитаксия: состояние
  спроса, проблемы и перспективы развития ..................... 269
Бородовский П.А., Ржанов А.В. Пути создания интегральных
  схем СВЧ-диапазона .......................................... 297
Гиновкер А.С., Ржанов А.В., Синица С.П. Запоминающие
  устройства на основе МНОП (металл - нитрид - окисел -
  полупроводник) - структур ................................... 312
Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В.,
  Соколов В.К. Эллипсометрические методы контроля в
  микроэлектронике ............................................ 327
Квон Зе Дон, Неизвестный И.Г., ОвсюкВ.Н., Ржанов А.В.
  Германиевый МДП-транзистор .................................. 350
Ржанов А.В., Стенин С.И., Ольшанецкий Б.3. Методы контроля
  состояния поверхности и проблемы эпитаксии из молекулярных
  пучков ...................................................... 355
Ржанов А.В., Свиташев К.К. Полупроводниковая
  микроэлектроника и технический прогресс ..................... 366
Латышев А.В., Асеев А.Л., Красильников А.Б., Ржанов А.В.,
  Стенин С.И. Поведение моноатомных ступеней на поверхности
  кремния (111) при сублимации в условиях нагрева
  электрическим током ......................................... 381

                           ПУБЛИЦИСТИКА  
Духовная зарядка ученого ...................................... 387
Совместительство - расточительность или экономия? ............. 392
Ученый и технический прогресс ................................. 397
Перевоспитывать! .............................................. 399
Требуется уточнить предмет и понятие информатики .............. 401
Сколько можно отставать ....................................... 403

                      ГОВОРЯТ ДРУЗЬЯ И КОЛЛЕГИ  
Неизвестный И.Г. Ученый - учитель - солдат .................... 406
Богданов С.В. Рядом с другом .................................. 413
Смирнов Л.С. Всегда вместе .................................... 435

Книга посвящена памяти выдающегося российского ученого А.В. Ржанова и открывается воспоминаниями автора, которые ярко показывают не только различные моменты из его жизни, но и знакомят читателя с общей картиной развития науки с его участием сначала в Физическом институте АН СССР им. П.Н. Лебедева, а затем и в Сибирском отделении АН.
Основную часть книги составляют научные труды академика А.В. Ржанова, посвященные актуальным проблемам физики полупроводников и физике полупроводниковых приборов. Другая часть работы посвящена развитию полупроводниковых технологий, созданию специализированных установок и устройств.
В книгу включены также несколько обзоров, которые дадут возможность читателю проследить за развитием исследований в указанных областях физики полупроводников.
Несколько публицистических статей позволят ощутить как ситуацию в науке в те далекие годы, так и позицию и характер автора.
Завершают издание несколько воспоминаний учеников и соратников А.В. Ржанова.

Сибирская наука в лицах | Архив выставок | Научные школы | Лауреаты сибирской науки | Сибирская наука
 

[О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Библиография | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
  Пожелания и письма: www@prometeus.nsc.ru
© 1997-2017 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика
 

Документ изменен: Wed Aug 19 16:33:45 2015. Размер: 7,127 bytes.
Посещение N 265 c 13.08.2015