56.
(11) Номер патента: 2147292
(46) Дата публикации: 10.04.2000
(51) МПК7: C 01 B 33/107
(21) Номер заявки: 99103236/12
(22) Дата подачи заявки: 18.02.1999
(71) Заявитель:
Институт неорганической химии СО РАН,
ФУП Горно-химический комбинат
(72) Изобретатель:
Резниченко М.Ф.,
Кучумов Б.М.,
Кузнецов Ф.А.,
Куксанов Н.К.,
Муравицкий С.А.,
Лаврухин А.В.,
Корчагин А.И.,
Борисова Л.А.
(73) Патентообладатель:
Институт неорганической химии СО РАН,
ФУП Горно-химический комбинат
(98) Адрес для переписки:
630090, Новосибирск, пр.акад.Лаврентьева, 3, Институт неорганической химии, патентный отдел
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТРИХЛОРСИЛАНА
(57)
Изобретение относится к металлургии кремния, а именно к получению трихлорсилана - SiHCl3 , используемого в производстве полупроводникового кремния, из тетрахлорида кремния - SiCl4 . Способ получения трихлорсилана включает активацию реакции взаимодействия тетрахлорида кремния с водородом высокоэнергетическим пучком электронов с энергией 0,5 - 2,5 МэВ в реакторе проточного типа в парогазовой смеси тетрахлорида кремния с водородом или любых отработанных парогазовых смесях, содержащих тетрахлорид кремния. По изобретению снижаются энергозатраты на получение продукта. 1 з.п. ф-лы.
|
|
