170.
(11) Номер патента: 2148871
(46) Дата публикации: 10.05.2000
(51) МПК7: H 01 L 21/203
(21) Номер заявки: 98117345/28
(22) Дата подачи заявки: 17.09.1998
(71) Заявитель:
Институт физики полупроводников СО РАН
(72) Изобретатель:
Сидоров Ю.Г.,
Либерман В.И.,
Придачин Д.Н.,
Анциферов А.П.
(73) Патентообладатель:
Институт физики полупроводников СО РАН
(98) Адрес для переписки:
630090, г.Новосибирск, пр.акад.Лаврентьева 13, ИФП СО РАН
(54) ИСТОЧНИК АТОМАРНОГО ВОДОРОДА ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
(57)
Использование: полупроводниковая техника, в молекулярно-лучевой эпитаксии для предэпитаксиальной подготовки подложек, а также в процессе выращивания эпитаксиальных слоев. Сущность изобретения: источник атомарного водорода содержит две концентрические трубы, средства подачи в источник газа, соединенные с внутренней трубой, расщепитель, служащий для термического разложения молекул газа, средства, обеспечивающие подведение электрического питания к этому расщепителю. Расщепитель выполнен из тонкой вольфрамовой фольги. Со стороны входного конца он имеет форму трубки, входной конец которой надет на наконечник внутренней трубы. Выходные концы полос, изогнутых в виде петель, продолжаются с внешней стороны трубки-расщепителя в сторону входного ее конца и соединяются с внешней трубой. Внутренняя и внешняя концентрические трубы являются электрическими контактами, обеспечивающими подвод электропитания к расщепителю. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности взаимодействия потока газа с расщепителем, исключение участка с пониженной температурой на выходном конце расщепителя и исключение столкновений молекул газа с элементами, имеющими более низкую температуру, чем расщепитель. 2 з.п.ф-лы, 4 ил.
|
|
