155.
(11) Номер патента: 2150712
(46) Дата публикации: 10.06.2000
(51) МПК7: G 01 R 33/05, 33/24
(21) Номер заявки: 99109831/09
(22) Дата подачи заявки: 07.05.1999
(71) Заявитель:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
(72) Изобретатель:
Беляев Б.А.,
Бутаков С.В.,
Лексиков А.А.,
Бабицкий А.Н.
(73) Патентообладатель:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
(98) Адрес для переписки:
660036, г.Красноярск, Академгородок, Институт физики СО РАН, патентный отдел
(54) ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ
(57)
Использование: в электроизмерительной технике, в частности в магнитометрии. Технический результат заключается в возможности измерения двух компонент магнитного поля одним датчиком. Датчик магнитного поля содержит диэлектрическую подложку, магнитную пленку, нанесенную на одну сторону подложки и поверх которой нанесен металлический слой, выполняющий роль экрана. На другой стороне подложки нанесена микрополосковая структура. Микрополосковая структура выполнена в виде рамки прямоугольной формы и представляет собой микрополосковый резонатор, в котором возбуждаются две ортогональные моды электромагнитных колебаний с близкими частотами. Параллельные плоскости датчика ортогональные компоненты магнитного поля определяются по уровням и их соотношению проходящих через микрополосковую структуру СВЧ сигналов на частотах двух ортогональных мод резонатора. 6 ил.
1 - диэлектрическая подложка, 2 - полосковые проводники, 3 - магнитная пленка, 4 - экран.
|
|
