101.
(11) Номер патента: 2149216
(46) Дата публикации: 20.05.2000
(51) МПК7: C 23 C 16/26
(21) Номер заявки: 98116008/02
(22) Дата подачи заявки: 20.08.1998
(71) Заявитель:
Институт сильноточной электроники СО РАН
(72) Изобретатель:
Бугаев С.П.,
Оскомов К.В.,
Сочугов Н.С.
(73) Патентообладатель:
Институт сильноточной электроники СО РАН
(98) Адрес для переписки:
634055, г.Томск, пр. Академический 4, Институт сильноточной электроники СО РАН
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ АМОРФНЫХ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННЫХ УГЛЕРОДНЫХ ПЛЕНОК НА ДИЭЛЕКТРИКИ
(57)
Изобретение относится к области модификации поверхности материалов и может быть использовано для улучшения служебных характеристик диэлектрических листовых и рулонных материалов. Изобретение направлено на получение углеродных однородных по толщине пленок высокого качества на диэлектрических подложках с большой площадью (102 -104 см2 ) и рулонных материалах, включая легкоплавкие пластики. Устройство включает газовую систему, генератор высоковольтных импульсов и рабочую камеру, содержащую перемещаемую диэлектрическую подложку, с одной стороны которой расположены протяженные параллельные высоковольтный и заземленный электроды, а с другой стороны подложки - заземленный инициирующий электрод, при этом инициирующий электрод имеет возможность перемещения вдоль протяженных электродов и выполнен в виде нити или узкой полосы. 2 з. п. ф-лы, 1 ил., 3 табл.
|
|
