Борздов В.М. Физика отказов полупроводниковых приборов и интегральных схем (Минск, 2015). - ОГЛАВЛЕНИЕ / CONTENTS
Навигация
Архив выставки новых поступлений | Отечественные поступления | Иностранные поступления | Сиглы
ОбложкаБорздов В.М. Физика отказов полупроводниковых приборов и интегральных схем: пособие для студентов учреждения высш. образования / В.М.Борздов, В.М.Молофеев, А.Н.Сетун; Белорус. гос. ун-т. - Минск: БГУ, 2015. - 156 с.: ил. - Библиогр.: с.152-153. - ISBN 978-985-566-170-3
Шифр: (И/З 85-Б823) 02
 

Место хранения: 02 | Отделение ГПНТБ СО РАН | Новосибирск

Оглавление / Contents
 
Введение ........................................................ 3
Глава 1. Качество и надежность приборов микро- и
наноэлектроники ................................................. 8
Глава 2. Количественные показатели надежности .................. 12
Глава 3. Основные законы распределения случайных величин ....... 20
Глава 4. Межоперационный и выходной контроль ................... 27
   4.1  Оптические методы контроля ............................. 29
   4.2  Методы контроля распределения температурных полей ...... 33
   4.3  Радиационные методы контроля ........................... 34
   4.4  Фотоакустическая спектроскопия ......................... 35
   4.5  Методы электронной микроскопии ......................... 35
   4.6  Использование тестовых структур при оценке качества и
        надежности полупроводниковых приборов и ИМС ............ 38
   4.7  Выходной контроль функционирования ИМС ................. 43
Глава 5. Ускоренные испытания .................................. 44
Глава 6. Кинетика химических реакций ........................... 52
   6.1  Понятие о химической реакции и ее скорости ............. 52
   6.2  Теория абсолютных скоростей реакций .................... 54
Глава 7. Коррозионные отказы металлизации интегральных
микросхем ...................................................... 58
Глава 8. Кинетика диффузионных процессов в твердых телах ....... 64
Глава 9. Структурные дефекты в кристаллических твердых телах.
Влияние структурных дефектов на кинетику диффузионных
процессов ...................................................... 70
Глава 10. Химическая реакция и диффузия как лимитирующие
стадии сложного гетерогенного физико-химического
деградационного процесса ....................................... 79
Глава 11. Кинетика фазовых превращений в твердых телах ......... 81
   11.1  Механизм фазовых превращений .......................... 81
   11.2  Особенности фазовых превращений в твердом состоянии ... 87
Глава 12. Кинетика процессов адсорбции ......................... 88
Глава 13. Механизмы отказов в результате механических
нагрузок ....................................................... 92
Глава 14. Влияние радиационных воздействий на
полупроводниковые приборы и ИМС ................................ 99
   14.1  Характеристика различных видов радиации ............... 99
   14.2  Воздействие проникающей радиации на
         электрофизические параметры исходных материалов ...... 101
   14.3  Воздействие излучения на параметры резисторов,
         конденсаторов, катушек индуктивности,
         полупроводниковых приборов и ИМС ..................... 106
Глава 15. Электродиффузионные (электромиграционные) отказы
металлизации ИМС .............................................. 112
Глава 16. Моделирование электромиграционных отказов
тонкопленочных металлических проводников ИМС .................. 119
Глава 17. Моделирование отказов микроконтактов ................ 125
Глава 18. Моделирование отказов планарных структур ............ 129
Глава 19. Моделирование процессов деградации МОП-транзисторов,
обусловленных эффектом горячих носителей. Пробой тонкого
подзатворного оксида .......................................... 136
   19.1  Горячие носители заряда .............................. 136
   19.2  Горячие электроны подложки ........................... 137
   19.3  Горячие электроны канала ............................. 138
   19.4  Горячие электроны, связанные с ударной ионизацией .... 139
   19.5  Микроскопическая модель деградации и-канального
         МОП-транзистора, обусловленная эффектами горячих
         электронов ........................................... 140
   19.6  Пробой тонкого подзатворного оксида .................. 144
Глава 20. Физические и технологические ограничения размеров
элементов интегральных микросхем .............................. 145

Список литературы ............................................. 152

Архив выставки новых поступлений | Отечественные поступления | Иностранные поступления | Сиглы
 

[О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Библиография | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
  Пожелания и письма: www@prometeus.nsc.ru
© 1997-2018 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика
 

Документ изменен: Thu Apr 5 17:10:32 2018. Размер: 7,792 bytes.
Посещение N 333 c 04.04.2017