Часть I. НА ПЛЕЧАХ ГИГАНТОВ ..................................... 7
XX век - от открытий в физике к транзисторам, интегральным
схемам и полупроводниковым гетероструктурам ..................... 9
Основа полупроводниковой микро- и наноэлектроники - 
естественные и технические науки: физика, химия, математика,
информатика, радиотехника ...................................... 17
Феномен Кремниевой долины ...................................... 43
Совершенствование кремниевых элементов и поиск путей
создания новой элементной базы ................................. 48

Часть II. СИЯНИЕ КВАНТОВЫХ НАНОСИСТЕМ .......................... 59
Наноматериалы и нанотехнологии для современной 
полупроводниковой электроники .................................. 61
Инфракрасные фотоприемники на основе оптимизированных
гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия и ртути,
выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии ............... 83
Quantum Hall Liquid-Insulator and Plateau-to-Plateau 
Transitions in a High Mobility 2D Electron Gas in an HgTe
Quantum Well .................................................. 114
Перспективы применения структур кремний-на-изоляторе
в микро-, наноэлектронике и микросистемной технике ............ 120
КНИ-нанопроволочный биосенсор для детекции молекул D-NFATcl ... 133
Новый элемент памяти для электрически перепрограммируемого 
запоминающего устройства на основе диэлектрика с высокой
диэлектрической проницаемостью ................................ 141
Неклассические излучатели на основе квантовых точек ........... 149
Лазерное охлаждение атомов для применений в квантовой
информатике и метрологии ...................................... 169
Новейшие достижения Института физики полупроводников
им. А.В. Ржанова СО РАН ....................................... 186

Часть III. ТЕРНИСТЫЙ ПУТЬ РЕФОРМ .............................. 215
Научная и организационная деятельность Сибирского отделения
РАН в 2008-2012 гг. ........................................... 217
НГУ - СО РАН: 55 лет совместной работы ........................ 289
Многие мировые открытия впервые состоялись в России ........... 292
Свой среди своих .............................................. 295
Выступление на Общем собрании РАН ............................. 303
Российская наука: время испытаний ............................. 308
Балом правят интересы, далекие от истины ...................... 318
Мультидисциплинарный подход - наше большое достижение ......... 331
Кто выносит приговор российской оборонке ...................... 336
На базе СО РАН нужно создать Центр превосходства по 
реализации проектов научно-технологического развития Сибири ... 340
Ломоносов был прав: богатство России прирастает Сибирью ....... 342

Часть IV. НЕМНОГО О СЕБЕ ...................................... 351
О себе и о науке (анкета выпускника физического факультета 
НГУ 1968 года) ................................................ 353
К истории становления в институте методов структурных
исследовании .................................................. 363
Академия в академии, или Сибирская Флоренция .................. 375
Главное - не железки, а человек ............................... 392
А.Л. Асеев. Биографическая справка ............................ 399