Рашкович Л.Н. Физика кристаллизации (М., 2015) - ОГЛАВЛЕНИЕ
Навигация
ОбложкаРашкович Л.Н. Физика кристаллизации. - М.: Научный мир, 2015. - 102 с.
ШИФР ОТДЕЛЕНИЯ ГПНТБ СО РАН     В37-Р282  
Оглавление книги
Предисловие ..................................................... 4
Введение ........................................................ 6
Фазовое равновесие ............................................. 11
   Однокомпонентные системы .................................... 11
   Двухкомпонентные системы .................................... 13
   Трехкомпонентные системы .................................... 23
Зарождение кристаллов .......................................... 31
Диффузионный и кинетический режимы роста кристаллов ............ 40
Структура поверхности .......................................... 46
Нормальный рост кристаллов ..................................... 49
Образование двумерных зародышей ................................ 52
Дислокационный механизм роста .................................. 54
   Дислокационная спираль ...................................... 54
   Крутизна холмиков роста ..................................... 58
   Плотность изломов ........................................... 61
   Скорость движения изломов ................................... 65
   «Одномерные зародыши» ....................................... 66
   Зависимость скорости ступени от ее длины .................... 66
   Флуктуации положения ступени ................................ 71
   Движение эшелона ступеней ................................... 75
   Некосселевские кристаллы .................................... 78
   Влияние примесей ............................................ 80
Дефекты в кристаллах ........................................... 89
   Рост из раствора ............................................ 90
   Рост из расплава ............................................ 96
Заключение .................................................... 102

В учебном пособии приведены классические представления о фазовом равновесии и диаграммах состояния, образовании кристаллов, структуре поверхности, механизмах и кинетике роста кристаллов. Но основное содержание книги - обсуждение новых экспериментальных данных о явлениях, происходящих на поверхности растущих кристаллов, что приводит к современному пониманию роли термодинамики и кинетики в процессе кристаллизации. Эти знания необходимы для разработки новых методов и приемов выращивания бездефектных кристаллов, применяемых в различных областях техники.


Архив поступлений новой литературы | Отечественные поступления | Иностранные поступления
 

[О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Библиография | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск]
  Пожелания и письма: branch@gpntbsib.ru
© 1997-2024 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика
 

Документ изменен: Wed Feb 27 14:27:26 2019 Размер: 7,028 bytes.
Посещение N 1902 c 07.04.2015